片式多层陶瓷微波谐振器

介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。     

片式压电陶瓷谐振器的研制

世界组装技术的新发展,要求元器件片式化,本课题就是研制片式压电陶瓷谐振器。是在插脚式配方的基础上,用Mg、Ca等离子取代Pb,并掺入Ce、Mn等杂质,以提高居里温度。采用气流粉碎法、热压烧结、厚度切变模及叠层封装结构,以利于稳定性和片式化。最终研制出频率精度高、温度特性好的片式压电陶瓷谐振器。     

片式多层三端陶瓷EMI滤波器的研究

利用电容器的阻抗特性,在传统的片式多层陶瓷电容器内部结构基础上进行重新设计,制成了滤波性能更优异的片式多层陶瓷三端EMI滤波器;这种EMI滤波器具有低的等效串联电阻和低的直流电阻。研究表明,等效串联电阻随着有效介质层厚度的降低而降低,直流电阻随着有效介质层数的增加而降低。     

TV用压电陶瓷滤波器的片式化

以一种TV用压电陶瓷滤波器的片式化过程为重点,介绍了压电元件片式化的思路及工艺。利用压电陶瓷的厚度能陷切变振动原理,采用新的结构与工艺,对原TV用压电陶瓷滤波器进行片式化。制作出的片式压电陶瓷滤波器达到国外同类产品水平,可批量生产。片式压电陶瓷滤波器满足了TV生产厂家对该类产品的需求。生产中,压电振子切割开槽、点导电胶组装、涂覆弹性胶和环氧密封是工艺控制的重点。     

压电陶瓷谐振器

随着我国电子陶瓷技术的不断发展,作为电子陶瓷的一个分支压电陶瓷器件无论是在产品的电性能方面或是在质量和品种上均以较快的速度更新换代。压电陶瓷谐振器是近几年来发展较快,引人瞩目的一种压电器件。 近几年材料通过专业技术人员的研究,出现了很多性能优良的压电陶瓷材料,这些材料分别在介电常数、机电耦合系数、机械品质因数方面均趋于系列化,更重要     

片式高频压电陶瓷谐振器及其应用

简要介绍高频压电陶瓷谐振器的发展和应用，着重介绍2MHz-12MHz片式高频压电陶瓷谐振器制造技术。     

片式高频压电陶瓷谐振器及其应用

简要介绍高频压电陶瓷谐振器的发展和应用,着重介绍2MHz～12MHz片式高频压电陶瓷谐振器制造技术.     

低烧ZnO-TiO2微波陶瓷介电特性及片式多层带通滤波器研究

采用材料特性、器件设计及制备工艺相结合的三位一体研究模式,研究了低烧ZnO-TiO2微波陶瓷介电特性,利用高频结构仿真软件HFSS对低烧陶瓷带通滤波器微波特性进行建模,重点介绍材料介电特性对片式带通滤波器性能影响的优化仿真,采用LTCC制造工艺技术制备片式多层带通陶瓷滤波器。研究结果表明:ZnO-TiO2微波陶瓷在895~910℃烧结,陶瓷相ZnTiO3、TiO2稳定存在,具有较佳的微波介质特性,在900℃烧结3h,其介电性能:εr=27.05、Qf=19822GHz、τf=2ppm/℃,该材料与Ag电极能较好匹配。模拟仿真表明:低烧材料的相对介电常数偏差是器件设计制备中的关键要素,仿真优化结果与LTCC试验样品的测试结果吻合较好。制备出的片式多层带通滤波器适用于表面贴装技术。     

片式多层陶瓷电容器

本文介绍片式多层陶瓷电容器的发展现状,论及片式多层陶瓷电容器用陶瓷材料和电极材料的进展,并对未来的发展趋势提出见解。     

BME0402微型片式多层陶瓷电容器通过鉴定

由深圳市宇阳科技发展有限公司推出的贱金属电极材料体系（BME）0402规格微型片式多层陶瓷电容器（MLCC），于10月13日通过技术鉴定，实现了IT与通信终端产品在高品质MLCC元器件上的国内配套。当前MLCC技术的发展趋势突出表现在微型化、低成本贱金属化、高比体积电容量和高可靠性等方面。深圳市宇阳科技发展有限公司采用抗还原陶瓷介质与Ni、Cu电极组成的贱金属电极（BME）材料体系技术最新研制成功的微型MLCC（包括0402、0603等尺寸规格）达到国际先进标准水平，主要技术指标符合美国国家标准及电子工业协会标准ANSI/EIA-198…     

片式多层陶瓷电容器陶瓷晶粒酸腐蚀应用研究

以混合酸作为腐蚀液,腐蚀陶瓷介质层晶粒晶界,再使用扫描电子显微镜进行微观结构观察。试验结果表明,腐蚀液的种类、浓度、腐蚀时间及温度均对腐蚀效果影响较大。最终确定适宜的腐蚀条件为：氢氟酸-硝酸体系,氢氟酸2 mL,硝酸5 mL,配置成100 mL溶液,Class 2(BaTiO₃)陶瓷室温下腐蚀时间50 s, Class 1((Sr, Ca)(Zr, Ti)O₃陶瓷腐蚀15 s。     

带有耦合电容的多层陶瓷带通滤波器

提出一种抽头式阶梯阻抗带通滤波器。通过在谐振器开路端引入耦合电容，增强了两个揩振器之间的耦合，从而使通带变宽，通带内衰减也变小了。因此，在不改变体积的情况下，性能比以前更好。文中采用时域有限差分方法分析这种滤波器。     

多层片式陶瓷电容器的DPA技术

从提高多层片式陶瓷电容器(简称MLC)的可靠性出发详尽地研究了工艺参数、环境因素、材料性能、人员状况与MLC的内部缺陷的关系,提出生产高质量、高可靠的MLC须采用破坏性的物理分析(简称DPA)技术进行质量监控和工艺调整,以达到动态质量控制的目的。     

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力.     

多层片式LC滤波器中间层复合材料的研究

为了解决多层片式LC滤波器制造中的介电体与铁氧体的共烧问题,采取了在两种材料之间加入中间层复合材料的方法来实现异种材料之间的共烧。制备了由Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3基介电体和NiZnCu铁氧体构成的中间层复合材料,研究了其显微组织、成分分布以及其与介电体和铁氧体的共烧界面等,结果表明中间层复合材料中介电体与铁氧体各自保持独立的相结构,没有新相生成;介电体晶粒与铁氧体晶粒相间分布于中间层中,且它们之间存在着离子的相互扩散;中间层能够有效地减小异种材料共烧界面上的应力。