光刻掩模版的低温气溶胶清洗探究

介绍了CO₂低温气溶胶干洗技术的机理和清洗效果。描述了基于动量传递的颗粒去除理论模型,验证了亚微米颗粒的去除效率高于较大颗粒。用Si₃N₄颗粒在硅片上的实验结果表明,亚微米颗粒的去除率比30μm以下的较大颗粒高10%。介绍了该技术在光刻掩模版清洗中去除各种污染颗粒的实验结果。光刻掩模版的机械修复后清洁结果表明,石英颗粒被有效去除,而不会损坏相邻图形的线条。无机污染物,如硫酸铵,通过低温气溶胶清洗去除,效率达到99%,如使用光学检测工具所见。通过多次清洗测量清洗对掩模相位和透射的影响。结果表明,在16次清洗循环中,传动比变化为0.04%,相位变化为0.37°。因此,可以使用CO₂低温气溶胶可以对来自掩模版的亚微米颗粒进行非侵入性清洁。     

掩模版制作工艺中典型问题探析

针对制版工艺中典型质量问题事例,分析了影响光刻掩模版的质量因素,提出了有效的解决方案,对保证掩模版质量、提高掩模版的制作水平具有指导意义。     

掩模版雾状缺陷的解决方案

在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因.目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对这两种方案的对比表明,对掩模版的存储环境进行改善,可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率,提高掩模版的使用寿命,并且整体费用较低,是目前比较可行的方案,掩模版的无S化工艺也是未来发展方向.     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

无掩模光刻技术的前景

介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。     

OLED掩模版Mura缺陷分析与改善

Mura缺陷管控作为关键技术指标直接决定着OLED器件的显示画质与良品率。针对OLED掩模版生产过程中发生的Mura缺陷,通过Mura不良分析发现这种缺陷与阵列像素单元邻近辅助图形有关,并在显影工艺后表现出阵列像素单元关键尺寸（CD）不均匀与宏观色差。依据显影工艺分析,基于旋喷式显影模式提出了一种分步显影方案,实验测试分析了显影液流速、旋转速度、纯水流速以及纯水/显影液过渡时间等工艺参数对Mura缺陷的影响。通过优化显影工艺,实现阵列像素单元CD不均匀性优于120 nm,阵列像素单元边缘Mura不良区域由大于3%降低至无视觉可见Mura,结果表明该工艺方案可以显著改善Mura缺陷。     

无掩模光刻技术研究

介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析.研究表明,扫描电子束光刻具有极高的分辨率,但是生产效率较低;波带片阵列光刻技术已经在理论和实验上取得了广泛的成果,在保持无掩模光刻技术高分辨力的同时,对电子束的低效率将是一种补充,是一种很有潜力的用于制作掩模版的光刻技术.     

相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

普通玻璃光刻版对产品成品率影响的研究

介绍了半导体工艺中光刻版的重要作用,特别针对在实际工艺中使用普通玻璃材质光刻版对产品造成的成品率波动问题。通过对大量实验中失效现象的分析总结,找出波动产生的原因,并且根据实际采集数据进一步验证。最后得出结论:由于使用普通玻璃光刻版,使该产品的对位一直处于临界状态;当在单台设备上作业时,由于不存在设备之间的匹配问题,因而没有发生大规模的良率波动问题;但是,当使用多台设备交叉作业时,就不可避免地发生了良率的波动。     

一种掩模版制版用夹具装置的研制

介绍了一种掩模版制版用夹具装置,该装置具有准确的定位功能,能够自动补偿片厚误差,可进行真空复印使母掩模版与子掩模版紧密贴附,操作方便等特点。     

涂胶设备背面冲洗功能的开发与研制

本文根据涂胶设备在加工制品过程中所遇到的制品背面沾污问题，提出改进措施，并根据设备的具体情况，增加了涂胶设备的背面冲洗功能。使制品在涂胶过程中，及时地对制品背面进行冲洗，从而保证了制品背面的洁净度，对提高产品质量和提高产品的成品率有非常重要的意义，同时对开发一些技术要求较高的新品也有深远的影响。     

STEPPER通用测试掩模的设计及使用

介绍了一种ＳＴＥＰＰＥＲ通用测试掩模（ＵＴＭ）的设计构成及各测试元素图形的作用。在此基础上，分析了电子束制作ＵＴＭ的误差，并阐述了ＵＴＭ的测试方法、数据处理及其对ＳＴＥＰＰＥＲ性能的影响。     

用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模

提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法,介绍这种方法的原理和制作工艺,并给出这种方法制作的衰减相称掩模用于准分子激光光刻实验,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。     

掩模ROM码点的反向提取

本文介绍了基于掩模ROM的计算机图象，通过测量定位、计算机辅助判定、多幅比较及ROM代码提取的过程，实现掩模ROM码点的反向提取，并涉及应用编辑中的具体实现方法。     

VLSI版图验证算法的固化研究

ＶＬＳＩ电路芯片集成度的不断增加，使得设计趋于复杂化，这就对版图验证工具的处理能力与性能提出了进一步的要求，运用特殊的硬件将版图验证的某些算法固化，利用其中内在的并行性来获得处理速度的提高是一类非常有效的方法，本文提出了一种用于在版图验证算法中得到广泛运用的线扫描算法中边排序操作的硬件实现。并且在ＦＰＧＡ上进行了验证，整个系统实现于一块ＰＣ机的扩展卡上，测试的结果表明，对于排序的操作，硬件实现的速     

相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究

相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对于相移掩模来说,SPM清洗方式容易造成硫酸根残留,进而造成产品Haze问题,影响产品使用。通过采用不同的清洗方法进行对比和优化实验,找出了最佳的非SPM方式去除保护膜残留胶的方法。     

孤立接触孔掩模显影工艺优化

掩模(Mask)生产过程中,孤立接触孔经过显影之后的量测值(ADI)会比设计值偏大,往往会超出线条容差值(CD Tolerance)的范围,影响掩模生产质量;主要总结了工艺生产线影响显影结果的因素,然后通过几组对比试验讨论各个参数对显影结果的影响;最后通过实验验证了通过优化各个参数值,使孤立接触孔显影之后的量测值(ADI)能够满足实际生产质量要求,可以将线条偏差值控制在CD Tolerance范围以内。