新型气敏材料研究I：ZnS的制备与气敏性能（英文）

新型气敏材料研究Ｉ：ＺｎＳ的制备与气敏性能（英文）徐甲强（郑州轻工业学院化学工程系）关键词硫化锌；化合物半导体；均相沉淀法；气体传感器；硫化氢中图分类号ＴＱ１７４．５；ＴＰ２１２．２金属氧化物半导体作为气敏材料的研究已有３０余年的历史，但对化合物半导...     

ZnO气敏陶瓷的制备与气敏性能研究

ＺｎＯ气敏陶瓷的制备与气敏性能研究徐甲强，朱文会，陈源（化学工程系）关键词氧化锌；陶瓷微结构；气敏材料中图分类号ＴＮ３０４．９９ＴＱ１７４．０５ＺｎＯ是一种ｎ型半导体材料，具有多种功能。例如：半导体性，压电性，萤光性和光电效应等。在压敏、光催化、光电...     

常温振荡式CO气敏元件的研制

常温振荡式ＣＯ气敏元件的研制孙良彦，刘正绣（吉林大学电子工程系长春１３００２３）关键词常温元件；振荡；一氧化碳；气敏元件中图分类号ＴＰ２１２．２目前已实用化的半导体气敏元件大多是加热式的，随着科学技术的发展，工业及日常生活等领域对可燃气体及毒性气体（...     

2种不同工艺制备的“气敏－光学”敏感膜

２种不同工艺制备的“气敏－光学”敏感膜姚纲照，翁文华，周佐平（华南理工大学应用物理系广州５１０６４１）关键词薄膜；氧化锡；气敏膜；光学膜中图分类号ＴＰ２１２．２近年来，发现了ＳｎＯ２半导体薄膜的“气敏－光学”特性，即薄膜的光透过率随其周围的气体种类及...     

SnO_2气敏元件热特性规律的研究

ＳｎＯ＿２气敏元件热特性规律的研究迟宗涛，孙林学（青岛大学物理系青岛２６６０７１）关键词元件阻值；加热电流；材料常数；工作系数中图分类号ＴＰ２１２．２通过测试国内某厂家生产的ＳｎＯ２系烧结型旁热式气敏元件阻值Ｒ随加热电流ＩＢ变化的规律，给出空气中元件...     

过渡金属氧化物掺杂r-Fe_2O_3气敏材料研究

采用化学方法合成了气体灵敏度和选择性良好的r-Fe_2O_3 微细粉末,并且利用化学共沉淀的方法合成了具有不同气敏性能的过渡金属氧化物(MnO,NiO,ZnO)掺杂的r-Fe_2O_3气敏材料,这些材料的颗粒≤0.1um.过渡金属氧化物掺杂可以改变r-Fe_2O_3气敏材料的陶瓷微结构,但不宜用来改善r-Fe_2O_3的相稳定性.通过掺杂可以改变r-Fe_2O_3气敏材料的选择性和灵敏度.r-Fe_2O_3是以体控制型为主的气敏机制.过渡金属氧化物掺杂的r-Fe_2O_3对C_2H_5OH,C_2H_2和LPG具有良好的选择性和较高的灵敏度.     

热分解法制备纳米NdFeO3气敏材料的研究

以分析纯的K3[Fe（CN）6]和NdCl3为原料，利用室温固相反应法制备纳米NdFeO3的前驱体Nd[Fe（CN）6]，通过热分解前驱体得到气敏材料NdFeO3，用TG-DSC，XRD，TEM对产物进行了表征，并对其气敏性能进行了初步研究．结果表明：热分解法与溶胶-凝胶法相比可降低复合氧化物的生成温度及煅烧时间，形成的钙钛矿型NdFeO3粉体呈现圆柱状晶形，直径约为30nm，长度为40nm～50nm．用热分解法制得的NdFeO3气敏元件呈现P型半导体特性，对H2S气体具有一定的灵敏度．     

贵金属催化剂对氧化镍气敏特性的影响

采用均匀沉淀法合成了氧化镍（ＮｉＯ）气敏微粉，利用浸渍法对氧化镍材料进行了掺杂，用Ｘ射线衍射、电子衍射和透射电镜对材料的陶瓷微结构进行了研究．实验结果表明：合成材料为颗粒状非晶体，颗粒尺寸＜１μｍ；该材料为Ｐ型半导体材料，对Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有较高灵敏度，Ａｇ的掺杂能提高ＮｉＯ的气体灵敏度，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ的掺杂不能有效地提高其气体灵敏度，但可改善ＮｉＯ的气敏选择性．     

ZrO_2氧敏元件特性研究

研究了一种氧化物半导体型氧敏元件的氧敏特性。该元件制作工艺简单，对Ｏ＿２具有较高的灵敏度和很好的选择性。     

掺吲哚CuPc薄膜对NO_2气敏的影响

吲哚是一种化学稳定剂，为探讨吲哚掺入ＣｕＰｃ薄膜对ＮＯ＿２气敏特性的影响，用共沉积的方法在ＣｕＰｃ薄膜中掺入吲哚，从制备的ＣｕＰｃ夹层光电池测试中，探讨了吲哚对ＣｕＰｃ薄膜的光电导的影响；由Ｘ－线衍射分析了吲哚对ＣｕＰｃ薄膜的结构的影响，测试了掺杂对ＮＯ＿２敏感特性的影响，结果表明，掺入吲哚可抑制ＣｕＰｃ的光电导，提高其气敏的稳定性；同时使得ＣｕＰｃ分子在基片上的排列趋向单一有序，对改善ＣｕＰｃ薄膜气敏的灵敏度和时间特性具有积极意义。     

添加剂对SnO_2气敏材料敏感特性的影响

SnO_2材料是研究最早,应用最广的气敏材料之一。在实用过程中,需添加少量的贵金属以控制SnO_2的灵敏度和选择性。采用浸渍法和化学共沉淀法制备了15种金属或金属氧化物掺杂的SnO_2气敏材料。通过比较它们之间的气敏性能,发现Ag,CuO,ZnO可作为SnO_2普敏元件的廉价添加剂。ZnO和RE_2O_3的掺杂可明显提高SnO_2对酒精的气敏选择性。此外,添加剂Ag和CeO_2与基体材料SnO_2之间的电子相互作用也被发现。添加剂对SnO_2气敏性能的影响:     

金属氧化物气敏薄膜的厚度效应(Ⅰ)--气敏薄膜厚度效应的实验规律

介绍了Ｎ型金属氧化物气敏薄膜厚度效应的实验规律,给出了响应时间和恢复时间随膜厚及气体浓度变化的规律,指出了气敏薄膜存在最佳灵敏度的膜厚和最佳晶粒尺寸的事实;给出了低真空退火后气敏薄膜的电导激活能随膜厚变化的实验曲线。     

掺杂镍酸镧材料的气敏特性研究

研究了ＴｉＯ＿２掺杂ＬａＮｉＯ＿３的气敏特性，实验表明，在中等掺杂时，材料的电导适中，气敏性能最好；ＸＲＤ证实，掺杂后ＬａＮｉＯ＿３仍属于ＡＢＯ＿３钙钛矿结构，且有新相生成。还对掺杂ＳｎＯ＿２，Ｓｂ＿２Ｏ＿３及Ｖ＿２Ｏ＿５进行了研究，指出ＳｎＯ＿２中等掺杂及Ｓｂ＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５低掺杂时，同样能使ＬａＮｉＯ＿３的气敏性质有所改善。     

三元气敏阵列和有机溶剂识别

三元气敏阵列和有机溶剂识别林海安，吴冲若，马骏（东南大学电子工程系南京２１００１８）关键词气敏阵列；溶剂识别；氧化锡；选择性中图分类号ＴＰ２１２．２用３种ＳｎＯ２气敏元件构造了三元气敏阵列，用自制的测试系统进行静态测试获得必须的数据。定量进样由微进样...     

超微粒a－Fe_2O_3气敏机理初探

超微粒ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３气敏机理初探徐甲强，沈瑜生（化学工程系）（中国科技大学）关键词气敏机理；超微粒氧化铁；表面吸附；气敏效应；电子能谱中图分类号ＴＱ１７４．０５Ｏ６４９．４氧化物气敏材料的敏感机理主要有两种类型：一种是表面控制型（借助气体的表面吸...     

气敏元件的表面修饰技术的研究与应用

表面修饰技术是一种利用物理和化学的方法对气敏元件的表面进行改性的方法，具体地说，它又可分为以下３种方法：１）表面掺杂法，即把贵金属及金属氧化物掺在氧化物气敏半导体表面上的方法（共混，共沉淀，浸渍，喷涂分解和物理吸附等）；２）表面处理法，即将已完成的气敏元件，放入各种气氛中进行处理的方法；３）表面催化层法，即在元件表面上，涂上一种催化层，以除去干扰气体并把非活性气体进行分解的方法，近几年我们通过表面掺杂法，对ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ３等敏感材料进行掺杂，获得了Ｈ２，Ｈ２Ｓ，Ｏ２，ＮＯ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＨ４等高灵敏度、高选择性气体传感器．通过制作掺Ｐｄ，Ｇａ２Ｏ３等催化活性层、防止了Ｃ２Ｈ５ＯＨ等气体的干扰，研制出高选择性ＣＨ４元件并使其实用化．利用表面处理法在开发Ｈ２Ｓ元件，Ｃ２Ｈ５ＯＨ元件方面也取得了良好效果．     

气湿敏传感器与家用电器控制

讨论了气湿敏传感器与家用电器之间的关系；介绍了气敏湿敏器件在家用电器中的应用；提出了家用电器工业的发展对气湿敏器件的要求和期望．     

SnO_2－SiO_2双层薄膜氢敏元件的特性研究

采用溶液－凝胶浸渍涂布工艺在Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷管上制备了掺杂ＳｎＯ＿２气敏薄膜；利用高温热解法在ＳｎＯ＿２薄膜表面覆盖ＳｉＯ＿２气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性，结果表明：单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短；而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性，其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长，结合实验结果，从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。     

集成气体传感器概述

—气体传感器在人类生产生活中扮演着重要的角色，尤其是在安全领域它现在已经是必不可少的。根据工作特性的不同，气体传感器可以分为半导体型，电化学型，光化学型，天然与仿生型，以及其他类型。本文简述了集成气体传感器的特性和种类，并挑选了其中比较有代表性的金属氧化物半导体气体传感器、钯栅场效应晶体管气体传感器和半导体二极管气体传感器做以详细叙述。     

温度和气氛对M（Ⅱ）－α－Fe_2O_3电导和气体灵敏度的影响

采用α－ＦｅＯＯＨ脱水法合成了Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ等二价金属离子掺杂的α－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料，用Ｘ射线衍射仪测定了材料的结构和组成；用动态气敏测试法测试了气氛、温度对α－Ｆｅ２Ｏ３电导和气敏性能的影响；用空间电荷层模型讨论了这些材料的气敏机理。