钒酸钇晶体楔型光隔离器

介绍了用钒酸钇晶体的与偏振无关的Ｗｅｄｇｅ型光隔离器的基本原理，用琼斯矢量法得到了插入损耗和隔离度的数学表达式，并介绍了隔离器的结构设计．制作的隔离器光纤到光纤的插入损耗为１．０４ｄＢ，隔离度为４２ｄＢ，回程损耗为４４．３ｄＢ，偏振灵敏度≤０．２ｄＢ，带宽大于４０ｎｍ，体积为１０×１０×４０ｍｍ３．     

保偏光纤偏振器的介质—金属复合光学膜系

本文介绍了一种保偏光纤偏振器的复合光学膜系，该膜系由一层ＭｇＦ介质缓冲膜层和金属Ａｌ膜构成，理论分析和实验研究表明，该光学膜系能去保偏光纤中的ＴＭ模，完成起偏振作用。利用此光学膜系已制成发给优良，实用的保偏光纤偏振器，消光比〉４０ｄＢ，损耗〈０．５ｄＢ。     

高隔离度偏振无关光环行器

本文报道了一种高隔离度偏振无关的三端口光环行器。该环行器在１．５５μｍ中心波长±２０ｎｍ范围内，插入损耗低于１ｄＢ，隔离度大于４５ｄＢ，偏振相关损耗低于０．２ｄＢ，串音大于５０ｄＢ，回波损耗大于５０ｄＢ。     

偏振有关光隔离器性能的理论分析

本文系统地分析了偏振有关光隔离器的性能，讨论了光隔离器中各元件的加工精度、表面反射率以及光纤耦合等因素对光隔离器特性的影响。理论分析表明，当各元件表面的光强反射率＜０．２５％，４５°法拉第旋转器的法拉第旋转误差＜４．３°，偏振器Ｐ１和Ｐ２透光轴之间的夹角误差＜０．５７°时，可以得到隔离度＞４０ｄＢ、正向损耗＜０．９ｄＢ的光隔离器。在实验中，我们已成功地研制了１．５５μｍ和１．３μｍ带尾纤的光隔离器，隔离度＞４０ｄＢ、正向损耗＜ｌ．５ｄＢ。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

应用BISPEC光纤拉制保偏耦合器的研究

设计新颖的ＢＩＳＰＥＣ光纤可避免偏振轴对准技术难点，研制成功高性能保偏光纤耦合器，偏振串扰小于－２５ｄＢ。     

低损耗红外传输Ge30As10Se30Te30玻璃光纤的制造

利用改进的纯化技术和工艺技术制造Ｇｅ３０Ａｓ１０Ｓｅ３０Ｔｅ３０玻璃光纤，所制得的光纤在６．６μｍ波长的最低损耗达０．１１ｄＢ／ｍ。这是所报道的红外区任何碲（Ｔｅ）玻璃光纤的最低损耗。此外，这种光纤在５．２５￣９．５μｍ的损耗小于１ｄＢ／ｍ。     

超荧光光纤光源的工作特性

研制了一种激光二极管泵浦的掺钕超荧光光纤光源,在波长１．０８μｍ处获得了１．０ｍＷ的光功率输出,谱线宽度为２１．２ｎｍ,实验中使用的是掺钕单模光纤,芯径５μｍ,截止波长１．０μｍ,其损耗在泵浦波长０．８μｍ处为１５００ｄＢ／ｋｍ,而在输出波长１．０８μｍ处为１０ｄＢ／ｋｍ。     

掺饵光纤放大器用1480／1550nm波分复用器的优化设计

以组合波导理论为基础，分析了１４８０／１５５０ｎｍ波分复用器的耦合区横截面形状和尺寸与偏振灵敏度的关系。着重比较了矩形截面和椭圆形截面二种波分复用器的偏振性能，并发现当椭圆截面的短轴与长轴之比为１：１．８８时，器件性能几乎与偏振无关。研制成功的１４８０／１５５０ｎｍ波分复用器的波长隔离度大于２０ｄＢ．偏振灵敏度小于０．１ｄＢ．附加损耗小于０．５ｄＢ。     

1.3μm波长金属膜波导偏振器的研制

文章针对Ｔｉ扩散ＬｉＮｂＯ３波导１．３μｍ波长偏振器的制作，论述了单模ＴＥ波传输的波导偏振器的器件结构设计，理论分析及制作方法。采用的优化结构ＭｇＯ／Ａｌ覆盖波导偏振器其ＴＭ波的消光比达４０ｄＢ以上，ＴＥ波附加损耗〈１ｄＢ，器件综合消光比〉３５ｄＢ，结果与理论计算相近。     

先进的光纤光缆技术：光缆网络的革新动向

一种采用１６纤带的高密度光缆目前已经被研制出来，光纤带由涂覆很薄的２００μｍ外径的光纤组成。对于１６芯和８０芯单模光纤连接器而言，平均光损耗分别达到０．２和０．３５ｄＢ。光缆接续时间已减少到目前需要的１／５。通过对纤芯和包层材料的粘度匹配，减少了光纤的结构不完整性损耗。经过改变沿长缆长度方向的布里渊频移，光缆的有效输入功率提高了７ｄＢ。     

FMS—1光纤固定连接器在单模光缆线路上的应用

本文介绍ＦＭＳ—１型光纤固定连接器在四条单模光缆线路中现场接续情况。四条光缆线路共用１５４只接头，平均接续损耗０．１２５ｄＢ，每根光纤的平均接头损耗≤０．１５ｄＢ。最长接续巨离３３ｋｍ。文中还对青阳至九华山段测量了全部接头的回波损耗，测量结果表明回波损耗大于３８ｄＢ。     

大长度,低损耗,红外传输As40S（60—x）Sex玻璃纤维的制备

业已制作出长５０ｍ，在１－６μｍ波长区传输的聚四氟乙烯包层和Ａｓ４０Ｓ６０玻璃包层Ａｓ４０Ｓ５５Ｓｅ５光纤，其最损耗分别为０．０９８和０．６５ｄＢ／ｍ。     

C6M—C38 COMMANDER 6 调制器（3）

（上接第１０期）附录Ａ技术指标Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ６调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围０．５～２．０ＶＰ－Ｐ,用于８７．５％调制度编码视频输入电平１．０ＶＰ－Ｐ,额定８７．５％调制度视频输入阻抗７５Ω标称视频输入回传损耗３０ｄＢ最小Ｒ系数２Ｔ脉冲　３％最大Ｓ／Ｎ比率６０ｄＢ最小频率响应±０．７５ｄＢ最大→５．０ＭＨｚ微分增益±０．３５ｄＢ在８７．５％调制度微分相位３％Ｐ－Ｐ最大斜率／线路时间失真１．０％最大　　音频标准输入电平范围－１０～＋１０ｄＢｍ输入阻抗６００Ω平衡频率响应±１．０ｄＢ…     

低反射率光纤镜的制造

低反射率光纤镜是采用机械连接的方式在光纤的粘结端用一层ＴｉＯ２介质膜涂覆而成。当光纤镜的反射率为０．１％时，插入损耗为０．０５５ｄＢ－０．３ｄＢ，平均０．１５ｄＢ。     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ。频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６￣２０ＧＨｚ微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标：工作频率６￣２０ＧＨｚ,１ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ,增益≥２８ｄＢ,输入输出驻波比≤２．０：１,噪声系数≤４．０ｄＢ,增益平坦度≤±２．０ｄＢ。     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ，频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。