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对热等静压方法制备的(Nb,Ti)C-35Ni金属陶瓷的高温抗弯强度进行了研究。采用XRD,SEM及TEM等方法对该金属陶瓷的显微结构的作了分析,结果表明,在氧化气氛中,温度为700℃时该金属瓷的抗弯强度就明显下降,温度为1000℃时其抗弯强度约只有室温时的20%。 相似文献
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用热等静压方法制备了(Nb,TiC)C-Ni金属陶瓷并作了850℃,900℃,1000℃及1100℃下的等温氧化和室温 ̄1100℃的不等温氧化试验。在高温下,该金属陶瓷的表面被氧化成TiO2,NiO,NiTiO3。认为O2通过氧化层向反应界面的扩散是控制氧化速率的主要步骤。氧化增重遵循抛物线规律,其激活能约为234kJ/mol。 相似文献
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利用SEM,EPMA,TEM/EDAX等测手段对(Nb,Ti)C-Ni金属陶瓷中的包裹结构形成机理作了研究。结果表明:它是由于该金属陶瓷在烧结时,细小的(Nb,Ti)C颗粒溶解在熔融态的Ni中,当Ti,Nb及C的浓度达到大颗粒的饱和浓度时,在大颗粒表面沉淀,继面Ni同其扩散而形成的,用离散变分-Xa方法计算表明:包裹层的金属键程度要比包裹结构中心的高。 相似文献
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陶瓷相(Ti,W)C的价电子结构与力学性能的关系 总被引:8,自引:1,他引:8
计算了陶瓷相(Ti,W)C的价电子结构,比较了陶瓷相(Ti,W)C,TiC,TiN,TiO之间的价电子结构与力学性能之间的关系,指出陶瓷相价电子结构中的最强键nA的大小在晶体结构相同时可作为硬度高低的比较标准,陶瓷相的强度可由η=nc/nT来衡量。 相似文献
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Cr3C2和VC对Ti(C,N)基金属陶瓷中环形相的价电子结构和性能的影响 总被引:11,自引:0,他引:11
根据固体与分子经验电子理论,计算了Ti(C,N)基金属陶瓷中界面环形相的价电子结构,讨论了其价电子结构与塑性间的关系。当材料晶体结构相同时,Σna可用来比较其塑性的相对高低。Cr在环形相(Ti,Mo)(C,N)中的固溶,可使其塑性增强,V在环形相中的固溶将使其塑性变差。在计算的基础上进行实验,实验结果表明:Cr3C2的适量加入确实有利于提高金属陶瓷的强度,最终所制备出金属陶瓷的强度比典型成分体系材料的提高了1倍以上;尽管VC的加入能使材料的晶粒得到有效地细化,但它使环形相塑性降低,使金属陶瓷的抗弯强度略有增加。 相似文献
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Ti(C,N)基金属陶瓷的力学性能与显微结构的研究 总被引:6,自引:1,他引:6
烧压烧结制备了不同Mo2C和Cr3C2含量的Ti(C0.7N0.3)-(Ni—Co)-Mo2C—Cr3C2金属陶瓷,对其性能测试表明,低Mo2C,Cr3C2含量材料具有良好力学性能。利用透射电镜、能谱分析和扫描电镜对低Mo2C,Cr3C2含量金属陶瓷显微组织进行了分析。研究表明,材料显微组织中没有发现明显可见的环形相,Mo元素富集在硬质相颗粒边缘附近,Cr元素富集在粘结相中。未完全溶解的Cr3C2分布在粘结相内和相界上抑制了裂纹的扩展,断口上沿晶断裂面弯曲不规整以及穿晶解理条纹较多,这是材料具有较高的断裂韧性的原因。 相似文献
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粉末分散对Ti(C,N)基金属陶瓷力学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
由平均粒径为0.2μm的TiC,TiN细粉,经1430℃,1h真空烧结制备了Ti(C,N)基金属陶瓷。由扫描电镜和强度、硬度测量研究了金属陶瓷的微观结构和性能。原料粉末以聚氧乙烯十二烷基醚为分散剂.蒸馏水为液体介质,溶液pH值保持在6~7之间,并使用超声波分散,悬浮液过筛后烘干。扫描电镜分析表明:经分散后的粉末颗粒团聚较少、分散良好。分散后细粉以相同工艺制备得Ti(C,N)基金属陶瓷。与未分散细粉烧结体对比表明:由分散细粉获得的金属陶瓷的硬度、抗弯强度均优于未分散细粉制备的烧结体,前者的硬度HRh为90.2,抗弯强度为2108MPa;后者分别为89和1983MPa,其微观结构特征为存在较多的细小均匀的黑芯白壳包覆层结构。细粉分散后,颗粒大小的分布较均匀而影响了液相烧结中的溶解-析出过程,这是金属陶瓷微观结构和性能得到改善的重要原因。 相似文献
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研制了以熔融合金惰性气体雾化法制备的含有大量硅化物的镍铁合金粉末为烧结粘结相的硅化物-镍铁合金/碳化钛金属陶瓷。用SEM,EDS,XRD和热重天平等测试分析了金属陶瓷的组织结构与性能。结果表明:这种硅化物-镍铁合金/碳化钛金属陶瓷具有核/环形边缘结构,硅化物-镍铁合金对碳化钛粒子有较好的润湿烧结作用。研制的金属陶瓷的抗弯强度在1000~1200MPa,硬度HRA为80~90。由于合金中含有较高的对氧有较强亲和力的元素硅,在氧化过程中形成SiO2以及一系列复合氧化物构成的致密氧化膜,使合金具有高的抗高温氧化性能。 相似文献
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研究了在1500℃空气中的高温氧化对再结晶碳化硅(recrystallized silicon carbide,RSiC)陶瓷断裂强度的影响。用X射线衍射仪、扫描电镜分析了RSiC样品氧化后表面的物相组成及显微结构。结果表明:在1500℃下RSiC陶瓷的氧化质量增加遵循抛物线规律,氧化速率常数为3.77×10-5g2/(cm4·h1),其线性相关系数r2为0.998。RSiC陶瓷的室温抗弯强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化21h时,材料的室温抗弯强度最高,达到87MPa。氧化初期由于样品表面生成致密的非晶态SiO2,对样品表面的缺陷起到了钝化作用,导致材料室温断裂强度升高;氧化后期由于非晶态SiO2膜的析晶而产生裂纹以及循环氧化导致裂纹扩展,从而使材料的断裂强度降低。 相似文献
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