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分析了低噪声放大器的设计方法,介绍了一种用网络匹配法和Asoft公司的Designer软件包并通过晶体管模型来设计低噪声放大器的具体方法。该方法设计的低噪声放大器带宽为1.5GHz,增益为23.2dB且在带宽内性能十分稳定。 相似文献
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设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器(LNA),这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶体管的高线性度。应用优化的BiFET Cascode共源共栅结构能够明显地提高低噪声放大器的性能,并且能应用于两个不同频率。本文设计的低噪声放大器在低偏置电流(1.7mA)和低功耗(5.7mW)的情况下能取得1.69dB的噪声系数、15.96dB的电压增益、一8.5dBm的IIP3和-67dB的反向隔离。设计的BiFET低噪声放大器是采用了AMS0.8μm的BiCMOS混合信号工艺,经过优化可以用于工业、室内的远程无线控制系统包括无线门禁系统。 相似文献
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微波低噪声放大器的设计与仿真 总被引:2,自引:2,他引:0
低噪声放大器在接收系统中能降低系统的噪声和接收机灵敏度,是接收系统的关键部件。文中按照低噪声放大器电路的设计要求,完成了2GHz基站前端射频低噪声放大器的电路设计,并通过ADS仿真软件对电路进行仿真和优化。最终表明,采用本方案设计的LNA增益约为15dB,噪声系数约为1.2dB,性能稳定,完全达到了通信接收机中对LNA指标的要求。 相似文献
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针对单片雷达接收机中对低噪声放大器(LNA)的要求,采用CMOS0.18,um工艺设计了一个三级级联的镜像抑制低噪声放大器。通过在低噪声放大器中接入限波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。在ADS中对设计的放大器仿真,其结果为:最大供电电压为5V情况下,信号频段为3.0~3.2GHz,中频输出为225MHz,功率增益≥31dB,噪声系数(FN)≤O.5dB,1dB点的输入/输出功率分别为-19.5dBm和11.5dBm,对镜像信号的抑制度达22dB。 相似文献
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级联型低噪声放大器设计和优化的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法。文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤。在此基础上,通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响,进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽度优化的必要性。最后,文章以一个工作于2.4GHz,0.5gm工艺的低噪声放大器设计为例,证实了前面理论分析的正确性,并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级MOSFET的沟道宽度的优化方法。 相似文献
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本文给出了一个利用中芯国际0.18μm CMOS工艺设计的用于蓝牙应用的单片低噪声放大器。放大器采用片内集成的螺旋电感实现单片集成的低噪声放大。在1.8V伏电源下,工作电流为2mA,在频率2.4GHz下功率增益大于10dB,输入反射小于-20dB。 相似文献
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介绍了一种基于ADS的C波段低噪声放大器的设计,同时分析了射频微波低噪声放大器的整体框图、主要指标以及具体的电路设计方法。低噪声放大器是无线通信接收机中的主要组成部分,低噪声放大器指标的好坏直接影响整个接收机的工作状况。该放大器采用射频场效应管ATF-36077作为主要放大器件,同时利用微带线设计了外围匹配电路,利用ADS强大的射频仿真与优化功能,最终实现了一个性能优良的C波段低噪声放大器。最后设计的放大器在3.7GHz4.2GHz增益为11dB,噪声系数为0.6dB,输入输出驻波比小于1.5。 相似文献
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基于ADS的平衡式低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
平衡放大技术有着驻波特性好,增益高、易级联的优点。本文将平衡放大技术应用到低噪声放大器的设计中,在保证低噪声和功率增益的同时,用以提高低噪声放大器的驻波比和增益平坦度。ADS仿真结果表明,在5.3-6.3 GHz的频带范围内,低噪声放大器绝对稳定,噪声系数≤1.182 dB,功率增益达到10 dB,并且通过采用平衡放大技术,输入输出驻波比≤1.3∶1,带内波动≤1dB,提高了低噪声放大器的有效工作带宽。 相似文献
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本文给出了利用0.18umCMOS工艺设计的5.2GHz低噪声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益为15.8dB噪声系数为1.4dB. 相似文献
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采用两级宽带单片集成放大器(MMIC)级联,并用微带功率均衡器对放大器的平坦度进行修正。最终实现的Ka波段全频段低噪声放大器的性能——频率范围:26.5—40GHz,增益:30dB,增益平坦度:〈5dB,噪声:≤4.5dB,输入输出端1:2驻波:≤2.2,1dB压缩点功率〉7dBm。 相似文献
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11GHz低噪声放大器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了微波低噪声放大器的高原原理,并应用微波EESOF设计软件以10.7-11.7GHz频段上完成G≥21dB,NFF≤3.0dB的低噪声放大器的设计与制作。 相似文献
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采用场效应晶体管ATF541M4设计了一个工作于LTE第38频段(2570MHz-2620MHz)的低噪声放大器。首先介绍设计低噪声放大器的理论基础,其次在ADS中进行仿真,最后将仿真结果与实测结果进行对比,得出结论。实测结果表明,该低噪声放大器在指定频率范围内噪声系数小于ldB,增益大于13dB,带内波动小于±0.25dB。 相似文献
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低噪声放大器(LNA,Low Noise Amplifier)能有效放大射频小信号,降低系统的总体噪声,提高接收机的灵敏度。该文介绍了低噪声放大器的主要性能指标和设计方法,该电路选用ATF-54143晶体管,采用两级放大,利用Agilent ADS软件完成一个S波段低噪声放大器的偏置电路以及输入、级间和输m匹配的设计和仿真。本设计中,在源极加入短路微带线形成反馈作用,从而提高稳定性。最后对仿真完的电路进行了加丁测试。经测试,在2.15-2.65GHz的频带内,获得了27-2-28.1dB的增益,增益平坦度小于±0.9dB,噪声系数小于ldB,输入电压驻波比为l.048-1.640,输出电压驻波比为1.120-1.840,在中心频率点2.4GHz上.输出功率ldB压缩点为162dBm。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1998,(1)
南京电子器件研究所最近利用76mmGaAsMMIC工艺线研制出数种单片电路。封面照片为S波段低噪声放大器与混频器单胞及大圆片照片,初步微波性能如下:放大器:增益>22dB;噪声系数<1.5dB;输入输出驻波<1.5混频器:变频增益>4dB;各端口驻波<1.5;各端口隔离度>24dB电源:±5VS波段单片低噪声放大器与混频器 相似文献