石墨烯光电探测器

意义：石墨烯是一种新型的二维材料，可以认为它是以六角点阵排列的单层碳原子。研究人员已经发现在石墨烯顶部放置了两个彼此非常靠近的金属线，并在这一结构上施加光照，可以产生电能。这一简单装置已用于太阳能电池。但这类前景广阔的设备进入实际应用还有一个主要障碍：效率低。由于石墨烯是世界上最薄的材料，几乎不吸收光（约3％），     

论多层分布式计算机体系结构

传统的客户/服务器（二层）的应用正朝着三层或N-Tier结构发展,文章在分析了客户机/服务器两层结构（2-Tier）在架构上的缺陷的基础上,重点介绍了多层分布式结构技术的特点及存在的问题.     

MRAM:内存的新潮流(下)

Freescale所提供的MRAM替代性方案 在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体（synthetic antiferromagnet，SAF）三明治结构，由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF，就可以让每层板变成“磁矩平衡”-净外磁场为零。     

垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析

采用等效法布里-珀罗（F-P）腔方法对垂直腔面发射激光器（VCSEL）的上、下两层分布布喇格反射（DBR）结构的特性进行了研究，计算并讨论了上、下两层DBR结构在不同对称模型、不同周期数时对微腔结构的反射率的影响。得出反射面DBR结构的周期数为30左右，出光面DBR结构的周期数20左右，易实现激光输出，与实际设计基本一致。     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

有机／聚合物超晶格结构制备及其电致发光器件

报道了选用有机小分子材料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）和聚合物材料聚乙烯基卡唑（ＰＶＫ）分别作为阱层材料和垒层材料，利用多源型高真空有机分子沉积系统进行有机／聚合物超晶格结构材料和制备，在结构特性和光学特性分析基础上。制备了这种超晶格结构的电致发光器件。     

采用离子注入法制作新型晶体管

采用离子注入法制作新型晶体管日本ＮＴＴ公司采用像写字那样在衬底上注入离子的方法制成新的器件。所开发的新器件是一种沟道层和栅层由相同材料组成，并具有内平面（ｆ＞７卜＞）栅结构的晶体管。由于衬底靠近绝缘体，电子在成为直线的沟道层中能够自由来往，而处在两侧...     

Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．     

宽带结构吸波材料特性研究

随着科技的发展以及隐身技术在军事上的重要应用,吸波材料在民用和军用领域受到全世界的关注,而结构 型吸波材料以自身的优点成为其中的研究热点。设计了一种两层阻抗性、低电导率的相互正交的Hilbert curve 宽带 结构型吸波材料,采用有限元算法分析其吸波特性。这种结构易于实现,且能在较宽的频带范围内（3GHz-18GHz）提 供良好的吸波性能。     

直面未来的PCB增层法

增层法（Rulldupprooes)又称叠层法，是一种用来制作高密度、小孔径印制电路板（PCB）的一项特殊技术。伶统制作多层PCB的方式是将内外各层分别作好，然后合压而成多层极。增层法则大为不同。。以制作’＼层极为例，通常是完成四层极之后，再在上、下两层各覆盖两层而成。＼层板。多层PCB为了让层与居之间的线路相通，必须钻孔。最简单的方式是通孔，在9层板压合后，直接贯穿整个板子钻孔。但若在任两层间钻孔，就需要盲孔（开口于某一表面，止于内层）和理孔（完全理在内层间）的技术。这主要应用在体积轻、薄、小、短的电子产品中，如…     

不同方法生长的InSbMIS结构的退火效应研究

不同方法生长的ＩｎＳｂＭＩＳ结构的退火效应研究张钢（电子工业部第十一研究所北京１０００１５）本文介绍了采用等离子体ＣＶＤ和光致ＣＶＤ两种方法进行介质膜生长。在预处理好的新鲜Ｎ型ＩｎＳｂ材料上生长一层厚度约为０．１２μｍ的氮氧化硅层，生长温度为１８０℃...     

采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb

采用界面失配阵列（Interfacial Misfit arrays, IMF）技术深入研究了在GaAs衬底上外延生长GaSb,研究了生长温度、Sb：Ga等效原子通量比、AlSb过渡层厚度和GaSb外延层厚度对材料结构质量的影响。其中,生长温度、AlSb过渡层厚度是影响GaSb材料结构质量的重要因素,通过高分辨率X射线衍射（HRXRD）研究,HRXRD测量材料的衍射峰半高全宽（FWHM）值对这两个参数的变化非常敏感,而Sb：Ga等效原子通量比（Effective atomic flux ratio）,在富Sb条件下,材料结构质量受其变化影响有限,GaSb衍射峰FWHM值随其变化轻微,但是GaSb材料层结构质量随其厚度增加而提高。优化的条件为GaSb材料生长温度约为515 ℃, AlSb过渡层厚度为5 nm。制备10 nm厚的GaSb外延层,经HRXRD测试,其衍射峰FWHM值仅为约15 arcsec, 与商用GaSb衬底的衍射峰FWHM值相当。生长于其上的量子霍尔器件,在1.8 K及无电场偏压测量条件下,电子迁移率高达1.5×10⁵ cm²/Vs,达到了GaSb衬底上器件性能水平。     

多层双隔离式端子排

泰科电子（Tyco Electronics）为PCB安装应用推出了一种多层双隔离式端子排。这种Buchanan牌的隔离式端子排按0．325英寸中心距模铸而成，有一个特点是多层结构，允许在拥挤的印制板上节省双面导线入口的空间。这类端子排在准备导线的位置具有外加螺丝，并且除了可利用2～16个接线位以外，还可以配各种附件如：快速连接接头和跨接片。     

Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的LACBED研究

Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格的ＬＡＣＢＥＤ研究段晓峰（中国科学院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数，来调整应变层超晶格的能...     

问与答

问与答问：全塑市话电缆的屏蔽层有什么作用。答：全塑市话电缆的屏蔽层可分为两种。一种是采用铅泊（带）或铜泊（带）为导体材料做成的屏蔽，称为电屏幕，用于防止静电感应引起的干扰与杂音。另一种是采用钢带为导体材料做成的屏蔽，称为磁屏蔽，用于防止磁感应而引起的...     

利用BCP空穴阻挡层改善白光OLED色度的研究

分别将具有空穴传输特性的蓝光材料pNPB和具有电子传输特性的蓝绿光材料Zn（BTZ）2作为2层发光层，将荧光染料rubrene掺入β-NPB中，在发光层间引入5nm具有空穴阻挡作用的BCP层，制备了一种ITO／PVK：β-NPB：rubrene／BCP／Zn（BTZ）。／Mg：Ag/Ag结构白色有机电致发光器件（OLED）。该器件在5V电压下起亮；18V电压下亮度和色坐标分别为1600cd／m^2和（0．31，0．33），最大外量子效率为0．21％。其色度比不含或含较厚BCP层（〉5nm）的器件均有了很大的改善，并从能带结构和空穴阻挡层厚度2方面探讨了色度改善的原因。     

结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究

制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly（vinylidene fluoride）（PVDF）热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260 nm处,响应电压高达129.6 mV（此时辐射功率为39.8 nW）。器件响应机理为:紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过AlGaN材料传导给PVDF结构的电极,温度升高,PVDF对温度变化产生响应。为了进一步验证,制作了对比器件,即在AlGaN结构和PVDF结构之间加了一层多孔SiO2隔热层,测得的响应光谱中有两个峰值,一个在260 nm,另外一个在300 nm。与参考器件相比,在260 nm处的响应电压大大减小,说明了利用热效应探测的可行性。另外,测量了不同频率下的器件响应并对其进行理论拟合,深入研究300 nm处的响应机理。     

小巧玲珑的胆石放大器

小巧玲珑，简洁至上 这正是广大发烧友及爱乐者所追求的，该机安装在一个160mm（宽）×200mm（深）×60mm（高）都的铝质底盘上，和一只饭盒差不多，如题图所示。     

用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性

利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延（ＰＥ－ＭＢＥ）生长的ＧａＮ，Ａｌｎ和ＩｎＮ薄膜的微结构特性。闪匀矿和纤锌矿多晶相分别在（００１）ＧａＡｓ和０００１）６Ｈ－ＳｉＣ衬底上优先成核。沿（１１１）平面的层微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷，而在纤锌矿结构薄膜中，以沿（０００２）平面的层错和始于衬底表达的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高.     

艺术气质 羽商“艺术家”新品 No．16．6合并式电子管放大器

Classic（艺术家）No．16．4-No．16．6是北京羽商电声技术有限公司最新推出的三款合并式电子管H1F1放大器，分别使用了以下电子管为末级推挽放大：6L6／KT66（No．16．4）、6550A／KT88（No．16．6）、2A3（No．16．8）。这三款放大器采用同一底盘式设计，外观及内部电路结构基本相同，只在电子管、输出变压器及电路参数等方面有些许差异。