切割法生产硅芯电学性能的控制

本文对切割法生产硅芯的工艺进行了介绍，阐述了生产过程中如何控制硅芯的电学性能，以满足多晶硅生产对硅芯的质量要求，包括切割法生产硅芯的工艺流程、多晶硅生产对硅芯的质量标准、如何控制直拉硅棒电阻率、硅棒中的氧、硅棒加工前的退火处理，尤其是就如何控制直拉硅棒电学性能和硅棒中的氧施主进行详细分析。     

LF炉冶炼低硅品种钢生产实践探讨

低硅品种钢在LF炉控制回硅是一个难点，特别是有些炉次甚至由于回硅导致化废现象，给生产带来损失。影响硅控制因素很多，除与LF炉渣面脱氧有关外，还与LF炉钢水温度、包况等因素有关。本文从北营钢铁集团炼钢厂开发低硅品种钢生产实践中总结出回硅的因索，并且制订了相应的对策，就LF炉低硅品种钢的生产发表自己的看法，旨在与同行朋友共同探讨低硅钢种各种疑难问题。     

三洋开发出有助太阳能电池量产的新技术

日本三洋电机公司成功开发出了高速生产硅薄膜的技术，并用新技术生产出了双重构造的薄膜型太阳能电池，使以较低成本生产光电转换效率较高的实用太阳能电池成为可能。太阳能电池的硅薄膜一般用等离子化学气相沉积法生成。等离子化学气相沉积法的要点是将气态硅喷涂到基板上，但是如果需要面积大的薄膜，喷涂的气体压力就容易下降，     

β-FeSi2材料的生长、性质及其在光电子器件中的应用

过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料，禁带宽度约0．8eV，是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池，热电器件等最有发展前景的硅基材料之一。目前，已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试，取得了一定的成功。文中就近年来β-FeSi2薄膜材料的生长，性质以及在光电子器件中的应用进行了评述。     

SiH4的制造方法

SiH4历来用作制造半导体用多晶硅、外延膜生长、硅器件钝化膜和聚硅膜等的原料气。目前，以发现非晶硅(a-Si：H)为契机，有关SiH4的应用研究就活跃起来了。而且，非晶硅的一部分已作为非晶形太阳电池和静电复印机用的感光磁鼓出售，体现了对SiH4的一部分需要。     

硅基发光材料研究进展

硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展，已实现了硅基光电子集成。随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓，与此同时，在新的理论认识与技术条件下，硅材料改性，杂质发光，缺陷工程和硅然异质外延也呈现出新的发展趋势。     

T6热处理对喷射沉积Al—Si—Fe—Cu—Mg合金断裂机制的影响

研究了Ｔ６热处理前后喷射沉积Ａｌ－Ｓｉ－Ｆｅ－Ｃｕ－Ｍｇ合金的断裂行为。热处理消除了硅相尖角及硅相内应力，提高了硅相强度，使原来主要起源于硅相上的断裂裂纹，改变为起源于硅相上以及硅相与基体之间的结合处。热处理也使基体得到固溶强化，对裂纹的扩展起到了一定的抑制作用，提高了合金的强度。     

锂离子电池硅碳负极材料的制备及其结构设计研究进展

硅基材料理论容量高、电位低、自然资源丰富，是最理想的锂离子电池负极材料。但是硅基负极在锂化和脱锂过程中巨大的体积变化，导致了硅基负极的循环稳定性与导电性差，阻碍了其实际应用。硅碳复合材料可将碳材料的高导电性和机械性能与硅基材料的高容量和低电位的优势相结合。综述了硅碳负极材料的主要制备方法，总结了硅碳复合材料的结构设计，并对未来碳硅材料的研究工作进行了展望。     

紫外激光传输用光纤的研制

对PCVD法制备的纯硅芯、掺氟硅芯、掺锗硅芯以及氟锗共掺硅芯光纤预制棒的芯区进行了紫外吸收谱测试，并考察了248nm紫外激光辐照及热处理后紫外吸收谱的变化。结果表明，纯硅芯深紫外区的强吸收尾部延伸至紫外波段，掺氟后使深紫外段的吸收限向短波方向移动，从而降低了其对紫外波段的影响，辐照后纯硅芯的紫外吸收增加而掺氟硅芯的吸收出现下降。掺锗硅芯、氟锗共掺硅芯中均在240nm附近出现了氧不足锗缺陷（GODC）引起的吸收峰，但后者吸收峰强度明显低于前者，因为氟能与GODC发生反应从而降低了GODC浓度，且氟同时还能愈合GeE’，辐照后氟锗共掺硅芯的吸收改变程度也要低于掺锗硅芯，表明掺氟能降低掺锗硅芯的紫外吸收。     

多孔硅基体系发光特性研究进展

综述了多孔硅基复合体系发光特性的研究进展，阐述了多孔硅基体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅基体系发光特性的因素和制备多孔硅基体系的方法，并讨论了多孔硅基体系的发光机理。最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯复合光致发光特性研究

多孔硅与有机材料复合可以改善多孔硅的光致发光特性。用化学腐蚀的方法制备了多孔硅，通过不同方法实现了多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的复合。实验结果表明，用旋涂法实现的PMMA固化后再与多孔硅复合而制得的样品的结果最好，它与原始的多孔硅样品相比，发光峰发生了蓝移而且发光强度下降很小。PMMA层有限的厚度和PMMA对多孔硅表面的保护使复合后发光强度下降很小。制备的多孔／PMMA复合体系的发光强度几乎不随时间而下降，这可能是由于PMMA有效地隔绝多孔硅与空气的接触，保护了多孔硅的表面，不会产生更多的悬挂键。     

硅粉在带振动阴极反应室中的刻蚀

文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久，这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高能粒子的刻蚀效果不可忽视。理论分析与实验数据大致吻合，这证明新的反应室用于粉粒表面刻蚀和纯化都大大优于立式反应室。     

球硅增强锌铝合金的组织和性能研究

研究了锌铝硅合金ＺＡ２７Ｘ的组织性能及钠变质作用通过理论分析和试验，发现和铝硅合金一样，锌铝硅合金中的初生硅经钠处理后可由块状变成球状，而共晶硅则以杆状在硅让形成及生长。试验表明，这种球硅增强的锌铝硅合金不仅具有好的耐磨性，而且还具有较高的耐温性。     

电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究

应用超高真空电子束蒸发方法，以铁作为催化剂，在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征，测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10—35nm的锥状纳米结构，并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能，发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。     

镍铬-镍硅热电偶老化失效机理初探

就镍铬-镍硅热电偶在大气中1200℃、605h老化失效试验后的氧化情况进行了分析,对氧化过程进行了探讨,结果表明镍硅合金中的硅和镍的优先氧化是引起镍铬-镍硅热电偶热电动势超差的主要原因。     

多孔硅和有机半导体复合的发光特性研究进展

综述了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的研究进展，阐述了多孔硅和有机半导体复合的体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅和有机半导体复合的发光特性的因素和制备多孔硅和有机半导体复合体系的方法，并讨论了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的发光机理，最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

河南铝土矿预脱硅率及二次矿浆铝硅比的经验公式

由于石灰前加，实际上矿浆脱硅从矿浆制备就已开始。本文推导：中低品位河南铝土矿的预脱硅率及二次矿浆铝硅比的经验公式，仅用于直观评判配矿、磨矿、预脱硅等工艺操作水平。实践上，矿浆预脱硅率就是存在于高岭石中的SiO2占入磨矿石总SiO2的百分比。实践上，二次矿浆铝硅比，为入磨矿石铝硅比减去预脱硅率。     

多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合，研究了多孔硅／PVK复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现，复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰。此外，在485nm的位置出现了一个新峰，讨论了这个峰的来源。I-V特性测试表明，多孔硅/PVK异质结与多孔硅相比。I-V曲线呈现更好的整流特性，讨论了其原因。     

硅气凝胶纳米材料的力学性能与增韧

本文综述了低温超临界干燥制备的块状硅气凝胶纳米材料的力学性能特征，论述了材料密度与硅气凝胶的力学性能的关系。从材料的制备过程出发，指出了控制裂纹和提高硅气凝胶韧性的一些方法。简介了硅气凝胶纳米材料的制备与应用，讨论了热处理过程以及材料的微观结构对硅气凝胶材料强度和韧性的影响，给出了初步的结论     

硅纳米线太阳能电池研究进展

硅纳米线基太阳电池相对于平面硅基太阳电池具有来源丰富低成本的特点,在未来光伏市场应用中具有一定的潜力及价值。就硅纳米线太阳能电池的工作原理,即势垒电场的形成和光生电场的产生进行了简要介绍。详细阐述了径向型和轴向型两种结构的硅纳米线太阳能电池及硅纳米线长度和微观形貌对其光电转换效率的影响。最后,对硅纳米线太阳能电池的发展进行了展望。