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日本Air Warer公司和大阪府立大学共同开发了8英寸大直径SiC单晶的制造技术，这在世界尚属首次。该技术是用化学气相沉积法(CVD)在SOI基板上生长SiC晶体层。制造工艺如下：①在Si基板中嵌入SiO2氧化层(形成SOI基板)；②使表面Si层减至极薄；③生成SiC种层；④进行SiC单晶层的外延生长。生长SiC单晶层使用的是该公司自制的高真空外延生长装置“VCE”。 相似文献