新型半导体材料

在最近的将来,硅仍是生产集成电路的主要半导体材料。但是,硅集成电路已接近物理极限,其速度和集成密度很难进一步大幅度提高。此外,硅的发光特性差,不适合于光电子应用。其它一些半导体,主要是Ⅲ-V簇化合物如砷化镓(GaAs),虽然会发光,也可用来制造速度快得多的集成电路,但是它们的机械强度和散热等特性远不如硅,而且昂贵得多。工业和科学的发展,需要兼有硅和GaAs两者的优良特性的新半导体材料。在过去十年中,研究者把薄膜工艺和表     

半导体工业对特种气体的要求

特种气体在国防、化工、电子、冶金、能源等现代科研部门和国民经济的一些领域中有着广泛的用途。尤其是对于电子部门中的半导体领域，这类气体更显得重要。从半导体材料、半导体器件、集成电路的制造到半导体材料、器件的理论物理的研究都离不开各类特种气体。也就是说，如果没有合格的高纯、超纯气体和各种组成的混合气体就制造不出成品率高的集成电路，也就没有电子计算机。     

半导体制冷在空调中应用的研究

本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析，提出了改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能，目前，可通过改善传热条件，提高半导体制冷的性能。     

沸石分子筛半导体化合物簇复合材料

在沸石分子筛的微孔中应用化学反应生成具有纳米级粒子特征的半导体化合物簇,制得以无机微孔晶体为基质的化合物半导体复合材料。这类材料具有较其它超微粒子半导体材料优越的光学、光电子学和光化学特征。在同一种沸石中,生成的化合物簇具有尺寸单一、分布均匀的优点,控制反应条件可得到单簇或超簇,从而使材料性能可调控。由诸多种类的沸石可制得尺寸和结构各异的半导体簇。这类材料在光学信息存储和光传感元件等方面有较大应用前景,因此在近10年的发展过程中引起了国际科学界的很大兴趣,正在成为新功能材料领域的前沿课题之一。本文综述其合成原理、制备方法、结构表征、性能及应用前景,并试论其近期发展趋势。     

稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术

ＣｄＭｎＴｅ是近年来出现的一种新型半导体材料，由于材料中含有磁性Ｍｎ＾２＋离子，所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学，光学，电学性质，同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料，但是，受材料本身特性的限制，采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。     

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展

半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。     

半导体制冷在空调中应用的研究

本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析,提出改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能。目前,可通过改善传热条件,提高半导体制冷的性能。     

宽禁带稀磁半导体材料研究进展

为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势，研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始，研究者尝试将少量的磁性原子掺人非磁性宽禁带半导体材料中，以获得磁性半导体材料，制备出集磁、光、电子一体的低功耗新型半导体电子器件。     

半导体／金属薄膜的研究进展

半导体／金属薄膜是膜材料中传统而有生命力的材料，在电子及微电子工业、能源、信息科学等领域中的应用越来越广泛［１］。近年来，随着科技的发展，半导体／金属薄膜的应用领域已从传统电子工业中的晶体管、整流器、欧姆接触，扩展到微电子、太阳能利用、半导体多相催化...     

用于泵浦固体激光器的大功率半导体激光材料及器件实用化研究

本课题采用分子束外延技术,生长高质量的大功率半导体激光器材料,并制备高性能的大功率半导体激光器器件,提供给八六三项目的其它课题,制做大功率半导体激光光纤耦合模块,为全固态绿、蓝光激光器系统提供高性能的泵浦源。 经过近5年的研究,在大功率半导体激光器材料生长和器件制备方面取得了很大进展。(1)研制出的808nm,大功率量子阱激光器材料阈值电流密度低(300～400A/cm~2),发光波长准确(808.7±3.0nm)均匀性比较高。(2)用它制备的808nm大功率量     

纳米线人造皮肤

美国加州大学伯克利分校的工程师们研发了一种用半导体纳米线制造的对压力敏感的电子材料，这是第一例用无机单晶半导体制造的人造皮肤，称之为“e-skin”。把圆柱形鼓滚放在有粘性的底板上，如聚酰亚胺薄膜、其它塑料、纸或玻璃等，     

半导体制造与工业发展

从半导体工艺的发展历程出发,综合说明各种半导体材料的演变。详细介绍制造流程中的各个工艺,并分析半导体工业的社会效应和发展趋势。     

半导体多相光催化应用技术

近年来半导体光催化氧化已成为光化学和环保领域研究热点之一。半导体光催化材料能有效地降解对环境有害的污染物，使有害物质矿化为CO2、H2O及其它无机小分子物质，可用于废水处理、空气净化、杀菌除臭等。综述了半导体多相光催化原理、研究现状、产业化进程和在环境保护等方面的应用等。提出了光催化技术存在的问题及发展方向。     

硅单晶市场分析

随着二十一世纪的到来,全球经济在信息产业的蓬勃发展中快速前进,这其中要得益于电子信息材料技术的提高及新材料的应用。由半导体材料及辅料、光电子材料和新型元器件用材料组成的三大系列,涵盖了现代信息新材料领域的主要方面。信息新材料作为现代信息产业的基石,支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术的发展。 在当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中,95％以上的半导体器件是用硅材料制作的,集成电路的99％以上是用硅制作的。相对于其它半导体材料,硅具有廉价丰富、易于生长大尺寸高纯度晶体及热性能与机械性能优良等优点。各国对硅单晶材料的消耗量反映了各国集成电路制造业     

半导体硅材料与信息化社会的高速发展

材料、交通、能源和信息是当今社会发展的四大支柱产业。跨入21世纪，半导体、电子信息产业迅猛发展，跃居所有产业的首位。电子信息产业的高速发展，在很大程度上是通过开发半导体硅材料来实现的。当今，95％以上的半导体元器件和集成电路（IC）是用半导体硅制造的，半导体硅材料业已成为半导体材料的主体。     

偏振差分反射谱(RDS)测试系统

利用ＲＤＳ测试系统,可以在近垂直入射条件下,测量出样品的反射系数在样品平面内两个互相垂直的方向上的细微差异,即所谓平面内光学各向异性,它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向异性、半导体表面重构和对外延生长过程中的实时监控都具有重要作用,本系统已为研究工作提供了大量数据。     

空间半导体材料进展

介绍了在太空制备半导体的材料的优点，以及美国，前苏联，日本和我国在空间制备半导体材料的简况。     

第三代半导体或将引发又一次照明革命

事件：继硅（si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。     

2004年“化合物半导体制造工艺”会议概况

化合物半导体制造工艺(CS Man Tech)会议，即以前的GaAs Man Tech会议，今年(2004)在迈阿密举行，会议内容扩展到GaN和其它化合物材料。     

浅析几种半导体材料的应用与发展

20世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命,随着科技的发展,半导体材料越来越多,就半导体材料作了简单介绍.