利用动态图象高速微机采集系统对真空电弧电子密度分布的测试

根据对真空电弧等离子体辐射光谱的分析，并结合动态图象高速微机采集系统感光单元光谱的选择特性，得出该系统对真空电弧光谱辐射测量值反映是电子密度，而不是电子温度分布，并给出了测试结果。     

中频真空电弧的等离子体特性

目前应用于未来多电和全电飞机（电流频率360～800Hz）的中频真空开关正成为研究热点,中频真空电弧理论的研究正不断深入。分析了电弧等离子体连续光谱的辐射理论,在假定中频真空电弧处于部分局部热力学平衡态（partial local thermodynamic equilibrium,PLTE）的基础上,结合实际光学通路的简化模型,得到通过双波段窄带连续光谱测量电子温度和电子密度的方法,然后设计了中频真空电弧的参数测量系统实现上述过程。该系统由添加了双波段窄带滤光片的彩色数字电荷耦合器（change．coupleddevice,CCD）摄像机和电弧图像数据分析程序组成,能够同时拍摄电弧图像并获取所需数据。在对光学通路模型进行标定后,利用该系统观测了中频（400、650和800H而电弧形态的演变,并测量了真空电弧的电子温度和电子密度,结果表明理论分析和实验过程有效。中频情况下,电弧主要呈现过渡态电弧和扩散态电弧2种形态。过渡态电弧演变迅速,并在电流峰值时刻转变为扩散态电弧。有效值约为8kA的中频电流在峰值时刻电子温度处于0．5～3eV之间,而电子密度量级为10^20-10^21 m^-3,这些与其他学者得到的电弧等离子体参数相符。     

利用双探针阵列对真空电弧电子扩散过程的试验研究

以多探针阵列为测量手段，应用微机测试系统对数据进行处理分析，导出了电子密度及电子温度分布，对比研究了横向和纵向磁场触头真空电弧等离子体扩散过程，并对大开距下电子密度的特性进行了研究。     

交流电弧微观动态形成机理及影响因素

为揭示真空电弧的微观动态形成机理及其影响因素,利用气体动力学模型研究真空断路器触头间的电弧形成过程。采用的数学模型包括电子和正负离子漂移扩散方程、微观粒子的碰撞方程及电场的泊松方程。建立触头间距为10 mm,触头间电压分别为工频交流12 k V和400 V的真空断路器简化模型,通过仿真得到工频真空电弧形成过程和鞘层形成过程的电子密度、平均电子能量及碰撞能量损失分布等各项微观参数的时变规律,并计算电子迁移率、金属蒸气压力和初始电子密度对真空电弧形成过程的影响。仿真结果表明:粒子运动速度差异形成的鞘层是电弧形成的基础;高电压、强电场作用促使电子能量产生轴向集中;电子迁移率及金属蒸气压力影响电弧形成过程;而初始电子密度对真空电弧弧前导电通道形成过程的影响可忽略。     

真空电弧离子扩散过程的试验研究

本文简述了以多探针阵列为测量手段，应用微机测试系统对数据进行处理分析，导出了电子密度及电子温度分布，对比研究了横向和纵向磁场触头真空电弧等离子体扩散过程，并对大开距下电子密度的特性进行了研究。     

SF_6放电等离子体分解特性的研究

SF_6放电分解涉及复杂的物理化学过程,电弧能量是其重要的影响因素之一。文中考虑电弧能量对等离子体温度的作用,对Saha(电离)方程和Guldberg-Wagge(解离)方程进行修正,建立SF_6放电分解数学模型,对SF_6气体分解物组分及含量进行计算,得到各粒子组分及含量随温度变化的动态过程;计算了0.6 MPa下等离子体内部各组分粒子数密度;计算了压强0.1~0.6 MPa、温度300~41 300 K条件下等离子体内部电子数密度;搭建了光谱实验平台,实验获得了压强为0.1~0.4 MPa下电子密度等微观参量,对理论计算结果验证。研究结果表明:SF_6气体在电子温度小于1 000 K时开始逐渐分解,不同温度下所发生的化学反应不尽相同;电子数密度理论计算结果与实验测量结果相吻合,验证了该计算方法的可行性与准确性。     

石墨添加剂对AgNi触头特性的影响

本文评价了石墨含量为０．５和１．０（ｗｔ％）的ＡｇＮｉ１０触头的电气特性。对粉末冶金法制备的触头样品进行了静态燃弧、２００Ａ电流熔焊的试验，还在一个商用继电器中进行了交流、１００Ａ寿命试验。当电弧能量给定时，ＡｇＮｉ１０触头的最大熔焊强度会随着其中石墨添加量的增加而递减。电弧侵蚀将引起材料损失，含０．５％石墨材料的损失要少于含１％石墨的材料。这似乎是石墨含量增加后使燃弧强度提高而产生的结果。燃弧使     

恒定磁场下水中交流电弧放电的特性

为了测量磁偏弧的电压、电流、电子密度及电子温度等参数的特性,搭建了电压电流测量系统,采用不锈钢棒状电极,在其间隙处加以磁感应强度为0、45和100mT的横向磁场,将电压升至约1500V,使电极间形成磁偏弧,测量不同条件下磁偏弧的电压和电流,同时采用光谱法对磁偏弧的光信号进行测量。结果表明：随着横向磁场的增大,电弧电压和...     

直流负偏压对射频溅射GdCo非晶薄膜特性的影响

本文研究了基片直流负偏压对射频溅射非晶GdCo薄膜性能的影响,用x射线萤光分析仪测量薄膜的成分和厚度、用Kerr回线自动测试仪测试样品的Kerr回线,用x射线衍射仪测出了样品的非晶态衍射图形的变化。通过实验、发现直流负偏压对薄膜的组成几乎无影响,而随着直流负偏压的增加,溅射速率线性增大,Kerr回线的矩形度增加,Gd_2O_3的漫散射峰升高。通过分析,认为基片直流负偏压对GdCo薄膜的主要作用在于影响溅射过程中圆吸附而混入薄膜中的氧含量。     

确定抑制继电器电弧所需的阻容值图表

电厂中在继电器接点断开时所产生的电弧会释放出能量,使运行中的其他电子控制系统误动作。电弧的强度一般与其电路的电压、电流、负荷的种类及继电器接点打开的速度有关。为此,应使电弧的放射能量减至最小,而最简易的方法是将串联的电阻与电容跨接于接点的两端。选择最适当的电阻、电容值的公式为: