低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性

在80～300K的温区范围内测试了掺铬、掺碲的砷化镓单晶及中子辐照后高阻P型直拉硅及区熔硅的正电子湮没寿命谱。谱仪的FWHM为350ps,每个数据点的积分计数约10~6。实验结果如图1所示。     

铁中空位的正电子湮没特性

从第一性原理和二分量密度泛函理论出发．应用离散变办法和嵌入集团模型完全自洽地计算了不同相状态的铁单空位的正电子湮没特性．同时讨论了晶格膨胀和晶格弛豫对正电子湮没特性的影响。     

棒束通道中燃料棒壁面温度的子通道分析

燃料棒的壁面温度是反应堆设计和运行过程中需要关注的重要参数之一。本文利用子通道程序对燃料棒壁面温度进行模拟,通过与实验数据对比,分别分析了子通道程序中的单相和两相换热模型。单相换热模型中,采用适用于棒束的Weisman公式与常用的D-B公式对比计算并最终选用Weisman公式。两相换热模型中,选用RELAP4公式包进行计算并对其判断准则做了简要分析。最终通过对空泡份额模型的对比,选择了Modified Armand模型,获得了较为准确的计算结果。     

含卤素高聚物的正电子湮没特性

用正电子湮没辐射一维角关联实验装置和正电子湮没寿命谱仪观察了全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)系列试样和不同含氯量的聚乙烯系列试样的正电子湮没特性,并分别与聚四氟乙烯均聚物(PTFE)和聚乙烯(PE)进行了对照。结果表明:分子材料的介电性质对正电子湮没特性有明显的影响。极性基团的加入改变了分子链上的电荷密度分布,导致微观偶极电场的产生,使在自由体积内部或陷落在缺陷巾的0-Ps正电子波函数与分子链上轨道电子波函数的重迭几率增加,长寿命τ_3减小;同时,由于卤素原子的电负性较强,抑制了Ps的形成,增加了自由正电子的数目,使角关联曲线低动量成分减小。     

氧化物中正电子湮没特性的研究

我们测定了不同价态和化学性质差异较大的Fe_2O_3、CuO、Al_2O_3、ZnO、TiO_2、BaO、     

He离子注入不锈钢中的温度影响

用增强质子背散射、SEM、TEM和显微硬度测量等手段,研究了He离子注入316L型不锈钢中的行为,离子束能量和剂量区域分别为30—170keV和10~(14)-3×10~(17)He~ /cm~2,靶温和后退火的温度区域为77—673K。研究了温度对He捕获、He泡结构、He泡的生长和合并等特性的影响。测量了注氦层显微硬度的变化。     

共结晶对复合体系正温度系数特性的影响

将不同共结晶度的高密度聚乙烯（HDPE）/乙烯-丙烯酸乙酯共聚物（EEA）复合体系经^60Coγ射线辐射交联，考察该复合体系共结晶性对共正温度系统数（PTC）特性影响。结果表明，共结晶提高该复合体系的开关温度畸变性和热稳定性，但对开关温度重现性影响不显著。     

中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应

用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。     

金属与合金的高温正电子湮没特性测量

回顾了正电子湮没热平衡测量的主要研究工作，讨论了β＾＋－γ正电子寿命谱测量装置的原理和应用，并介绍了β＾＋－γ寿命谱仪的发展过程及今后的发展趋势。     

反应堆输入线性正反应性时考虑温度反馈的仿真计算

运用点堆中子动力学方程建立模型,计算了某小型反应堆在6种典型工况下,反应堆引入线性正反应性时各主要参数的变化,并将计算结果与该堆的三维实时仿真软件的计算结果进行了比较.结果表明,点堆模型可以模拟出反应堆受到线性正反应性扰动后各主要参数的峰值和扰动后的稳定值,但在响应时间和波动持续时间方面仍需改进.     

正电子湮没辐射一维角关联实验装置的研制及性能

本文介绍正电子湮没辐射一维角关联实验装置的设计原理、主要技术性能和特点、调试方法及实验结果。本装置的角分辨率为0.45mrad。     

正电子在不同结晶度Teflon中的湮没特性

本文通过寿命谱和多普勒增宽谱测量来了解正电子在不同结晶度Teflon中的湮没机制。同时为获得长寿命驻极体提供信息。用FWHM=440ps的寿命谱仪测量了由等温退火和淬火而获得不同结晶度的Teflon样品。用X衍射测得等温退火样品的结晶度为74％称TEF~((c)),而淬火样品几乎看不到结晶峰称TEF~((α))。用对~(106)Ru的分辨率为1.14keV的高纯锗测量两种不同结晶度的多普勒增宽谱,算得S参数见表。     

变形铝正电子湮没实验结果的一个简单理论解释

Arponen等曾计算了铝中刃位错的正电子湮没效应,在理论上解释了Hautojarvi的变形铝正电子湮没实验,我们采用他们的理论方法,但简化了他们的位错模型,用空心柱孔模型计算了变形铝的正电子湮没效应,得到了与Arponen等结果一致、与Hautojarvi实验符合的结果,角关联曲线亦有所改善。计算结果表明:1)在凝胶模型的意义下,若晶体中存在半径为0.93A的空心柱孔,就将给出与Hautojarvi实验符合的结果;2)Arponen等的模型中的位错弹性理论部分对角关联曲线的计算意义不大。我们看到,一方面位错中心对正电子的捕获可能是较强的,因而对总的湮没效应贡献很大;另一方面也存在着变形铝正电子湮没效应是由一系列微空位所贡献的可能性。     

用正电子湮没技术研究SrTiO_3的氧缺位

钛酸锶(SrTiO_3)单晶可作为红外光学材料和人工宝石,还可作为电极材料,在光的作用下分解水产生氢气,是开发太阳能源的研究途径之一。本工作测定了SrTiO_3单晶在具有不同氧缺位浓度下的正电子湮没寿命谱和多普勒增宽谱。     

高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响

从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。     

正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性

用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子（12MeV）辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性，发现在160kGy剂量内，正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长，中间成分的强度则减弱，但当剂量为320kGy时，各湮没寿命与没有辐照的样品类似。而长寿命成分的强度不随剂量增加而变化。在电子辐照的聚乙烯薄膜中，当剂量为80kGy时，正电子中间寿命强度I2增加，长寿命成分的强度I5则有所减少。之后，随着电子辐照剂量的增加，则不再变化。正电子湮没γ射线多普勒展宽S参数随电子辐照聚乙烯的剂量变化与I5相同。正电子湮没特性的差别表明高能电子辐照这两种聚合物所引起结构上的变化是不同的，并为其宏观特性（如力学性质变化）的改变提供了微观依据。     

环氧树脂/贝壳粉复合材料的自由体积特性的正电子湮没研究

采用气流磨粉碎的方法制备了平均粒径在微米尺寸的三角蚌贝壳粉,将此贝壳粉与环氧树脂进行熔融共混得到一系列不同配比的复合材料.贝壳粉的有机质有助于提高两相间的相互作用,适量微米级贝壳粉的引入,在环氧基体和粒子相之间形成了一定数量的界面层,两相间有较强的界面亲和力,体系的自由体积尺寸与强度略有下降,中间寿命分量强度升高,这种较好的界面效应使得复合材料在受到外力作用时,断裂能和应力能够很好地通过界面传递到贝壳粒子上,从而使复合材料的性能提高.