人造金刚石的溶液生长机制

用光学和电子探针方法研究了晶种法生长金刚石的反应系统,发现在晶体与溶液之间存在着一个厚度约60μm的边界层,并测定了碳在溶液中的存在状态。将该实验结果与广义的BCF晶体生长理论进行了对照,认为在这种条件下,金刚石的生长是一种受体扩散控制的溶液生长过程。     

短波长可调谐激光晶体Ce∶YAlO_3~①

用引上法生长了光学质量良好的Ce:YAlO_3晶体.本文介绍了其生长工艺和其吸收光谱,激发光谱及发光光谱的测试结果,认为该晶体很有希望实现短波长可调谐激光输出.     

Ni~(2+)(Co~(2+)):MgF_2晶体的生长

采用自封式双层石墨坩埚在高纯氩气氛保护的石墨电阻炉中用垂直温梯法生长了Ni~(2+)(Co~(2+)):MgF_2晶体。掺质是用助熔剂法制备的无水NiF_2和CoF_2透明晶体。获得光学质量的Ni~(2+)(Co~(2+)):MgF_2 梨晶长3.0cm、直径3.0cm。测定了 Ni~(2+):MgF_2 晶体的吸收和荧光光谱,初步观察了晶体的光学均匀性、应力和蚀坑密度。     

化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶

采用化学气相沉积(CVD)法,在Zn-Se-Hz-Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体。测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱,用光学显微镜观察了样品的显微形貌;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响。研究结果表明：通过优化的生长工艺,生长温度在500～750℃,压力在100～1500Pa的范围内,可以制备出高质量ZnSe多晶体;在8～12μm波段范围内,其红外透过率达70％以上。     

Mg_SiO_4:Cr~(3+)晶体的生长习性

分别沿a、b、c轴三种取向,用提拉法生长了Mg_2SiO_4:Cr~(3+)晶体;用X射线和光学方法测定了各个显露面,确定其密勒指数。利用修改的Hartman理论,计算了几个重要显露面的吸附能。根据吸附能大小判断了显露面的顺序,理论结果与实验结果相符。     

新型压电材料——优质α-AIPO_4单晶的生长及其压电性能

本文介绍了用水热法生长优质α-AIPO_4单晶的条件。用一般光学方法观察了晶体的缺陷。测量了晶体的压电常数和某些弹性常数。     

钼酸铅晶体中包裹体的组态和散射

本文着重研究了钼酸铅晶体中包裹体的组态和散射特征。实验结果指出:在钼酸铅晶体中的包裹体主要由气泡和片状包裹体组成。通过光学显微术、X射线和电子探针等分析,定性地认为片状包裹体是由另一种晶相——Pb_2MoO_5组成。对一批正交试验法生长的钼酸铅晶体的光学测试以及对包裹体的分布密度和散射率的测量结果表明:包裹体是影响钼酸铅晶体光学质量和器件性能的主要因素,并指出了钼酸铅晶体的光学质量与生长工艺参数之间的密切关系。 最后,从钼酸铅晶体生长中的原料组分配比和工艺参数的分析中,初步探讨了包裹体的成因。     

铌酸锂晶体的研制

一、引言 自从Ballman等人用Czochralsky法从熔融盐中生长出大颗粒铌酸锂晶体以来,对该晶体进行了大量的研究,发现它的非线性系数比ADP、KDP晶体高出一个数量级,调制的半波电压低,不易潮解,具有许多优良的性能。它的压电、声光、电光性能在超声微波技术和激光调制、信频等领域里,有着十分广泛的应用。尤其是近几年来,Byer、Yong等依据Lerner测定的Nb_2O_5-Li_2O相图生长出高度光学质量的晶体,折射率变化达到2.5×10~(-6)/cm,使它在非线性光学上得到了成功的应用。因此,铌酸锂晶体已日益成为大家重视和采用的重要材料。     

Li_2Ti_3O_7晶体的生长、相变和物性

用提拉法生长了定向的、亚稳态Li_2Ti_3O_7晶体,单晶的尺寸可达φ20×20mm,研究了籽晶取向、生长气氛和掺杂剂对晶体生长的影响及晶体的相变过程,并测量了晶体的光学和声学特性。     

稀土五磷酸盐晶体的生长及其性质

本文系统地研究了稀土五磷酸盐晶体的生长及其性质。对比了不同炉管对 LnP_5O_(14)晶体生长的影响,在选择合适的工艺条件下已生长出一些尺寸大、光学质量好的 LnP_5O_(14)晶体。测定了 15个LnP_5O_(14)晶体的磁化率、分解温度、红外光谱、密度和部分晶体的结构,归纳出一些规律性的结果。认为稀土化合物的性质变化规律不仅与稀土离子的特性有关,而且与周围环境的改变有关。     

CsI：Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径

用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法制备了掺铊的碘化铯晶体，样品经过切割，研磨和抛光，观察了它们的缺限，测定其光学性质，结果表明，气泡，包裹体和局部开裂严重地影响晶体的光学质量和完整性，通过使用高纯试剂，惰性气氛生长，分段和均匀掺杂，窄的熔区和合适的温度梯度，能够明业改善晶体的性质和质量。     

导向温梯法生长优质兰宝石单晶

评述了各种生长兰宝石晶体的工艺技术,着重指出采用Czochralski技术生长兰宝石晶体过程中存在的坩埚中熔体对流效应对晶体质量的严重影响,提出了生长兰宝石晶体的导向温梯法。 采用导向温梯法生长兰宝石晶体所得结果表明,其位错密度、光学均匀性、应力和散射中心等品质均优于Verneuil和Czochralski技术生长的晶体。还讨论了选用该法生长大尺寸、高质量兰宝石单晶的优缺点。     

KDP和ADP晶体的生长以及紫外透过性能研究

作为非线性光学晶体材料,由于晶胞参数的不同,KDP、ADP在生长方面以及性质上都存在着差异。本文采用"点籽晶"快速生长法对KDP和ADP晶体的生长进行了研究。同时测量了快速生长法生长的KDP和ADP晶体在紫外波段的透射光谱性能,实验证明ADP晶体的紫外透过率要优于KDP晶体。     

Bi12SiO20晶体核芯的形成和消除

对于沿＜００１＞、＜１１０＞、＜１１１＞和＜１１２＞４种取向提拉法生长的直径为３５ｍｍ的ＢＳＯ晶体进行了剖析。用阴影法和光学显微镜观察等方法揭示了ＢＳＯ晶体中深色核芯与生长取向、界面形状及小面生长之间的关系。讨论了核芯形成机制和消除方法。指出通过选择适当的转速，使晶体以平的或凹的界面生长，可消除＜００１＞和＜１１０＞取向生长的ＢＳＯ晶体中的核芯；选择＜１１１＞和＜１１２＞取向生长则能有效地避免深色     

重结晶降低RDX感度研究

采用N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜作溶剂,对普通RDX进行重结晶.研究了不同溶剂对RDX晶体形貌、晶体内空穴、位错、残存溶剂的影响,通过扫描电镜和光学显微镜,分析了重结晶RDX晶体的结晶形貌和内部质量,用密度瓶法测试了晶体密度,用10kg落锤测定了撞击感度.结果表明,用二甲基亚砜重结晶制备的RDX有较好的晶体质量,撞击感度最低(54%),晶体密度达1.823g/cm3.     

锗酸铋晶体缺陷和小面生长

对坩埚下降法生长锗酸铋闪烁晶体的缺陷进行了研究，除使用通常研究透明晶体的光学方法，由于ＢＧＯ晶体在受到光辐照损伤对短波长光具有高的吸收系数，因此还采用近紫外光吸收形貌法研究晶体缺陷，以及缺陷与晶体小面之间的关系，并根据ＢＧＯ晶体的结晶习性和小面形成机理提出了减少和消除晶小面生长及缺陷的方法。     

细直径管状、杆状白宝石的导模法生长及其应用

用导模法生长了细直径的管状、杆状白宝石单晶。研究了生长工艺对晶体完整性的影响,使导模法生长的细直径白宝石晶体质量达到与焰熔法晶体相当的水平。管状晶体已用于特种光源的研制;杆状晶体生长工艺已推广至工厂,用于仪表宝石轴承的批量生产。由于导模法生长能简化晶体的后加工工艺,加之实现了多头导模生长,使产品成本降低,取得了较好的经济效益。     

制备CdSiP_2单晶体的研究进展

磷硅镉(CdSiP_2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学晶体材料。自上世纪60年代末期,人们尝试采用卤素辅助气相输运和锡熔液生长法生长CdSiP_2晶体,但得到的晶体尺寸小、质量差,不能满足器件制备的要求。水平梯度冷凝法虽然可以生长较大尺寸晶体,对生长技术和设备条件的要求较高,生长环境不稳定,无法解决化学计量偏离和孪晶缺陷等的问题。近年来,采用布里奇曼法获得了尺寸较大、质量较好的CdSiP_2单晶体,为激光频率转换器件的制备奠定了基础,但晶体性质参数的缺乏、生长工艺的不成熟与难以避免的宏观缺陷严重制约了器件的应用,也是亟待解决的问题。     

籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响

将块体SiC单晶中切割下的晶片经研磨、抛光和腐蚀不同工艺处理后作为籽晶,用物理气相传输法生长SiC晶体,生长时间为10min。用光学显微镜观察晶片生长前后的形貌,讨论了不同处理工艺籽晶对晶体生长的影响。结果表明,研磨和抛光可以去除晶体切割时产生的凹坑和划痕,但残留的研磨变质层和抛光导致的机械损伤层可诱导晶片在高温晶体生长时产生多晶成核,腐蚀可以去除研磨和抛光时产生的机械损伤层,用腐蚀后的晶片作为籽晶,生长的晶体表面光滑,并且能够很好地复制籽晶的结构。     

导模法和温度梯度法生长r面蓝宝石

r面(0112)蓝宝石晶体可用作制备非极性GaN薄膜的衬底.采用温度梯度法(temperature gradient technique,TGT)和导模法(edge-defined film-fedcrystal growth,EFG)生长了质量良好的r面蓝宝石晶体.利用双晶衍射、光学显微镜、光谱仪观察和分析了晶体的结构和缺陷.结果表明:TGT法生长的r蓝宝石晶体的双晶摇摆曲线对称性好,半高宽值仅为18rad·s.位错密度为4×103cm-2,透过率达83%,晶体质量好.与TGT法相比,EFG法生长的r面蓝宝石晶体的结构完整性较差.位错密度为5×105cm-2,透过率仅为75%.但是EFG法具有晶体生长速度快,后期加工成本低的优点.