一种标准单元库的自动仿真验证方法

提出了一种针对标准单元库中单元逻辑功能进行自动仿真验证的方法,验证了55 nm标准单元库中单元逻辑功能的正确性。该方法能自动提取设计文档中的单元逻辑,根据提取结果中输入端的数量自动生成测试向量,并以此测试向量生成参考逻辑值,整个过程只需0.708 μs。采用仿真工具对标准单元库文件进行仿真,将得到的仿真值自动与参考值对比,验证了库单元逻辑的正确性,提高了标准单元库功能验证的效率。     

0.13μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证

基于上海微系统与信息技术研究所0.13 μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究.测试芯片主要用于测试标准单元的功能和性能,同时为了满足总剂量辐射测试的试验要求,开发了现场可编程门阵列(FPGA)自动测试平台,用于芯片测试和数据采集工作.试验在模拟空间辐射环境下进行,通过了总剂量150 krad(Si)的辐射测试.测试经过辐射后的芯片,单元功能保持正确,性能变化在10％以内,经过退火处理后,内核(core)电流恢复辐射前的水平.     

一种新型抗辐照SOI隔离结构

制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构.     

一种新型抗辐照SOI隔离结构

制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构，它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜．利用这种结构制备的SOI器件在经受3×１０~5rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化，漏电流也无增加，说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构．     

超深亚微米与纳米级标准单元的可制造性设计与验证技术

当半导体工业进入到超深亚微米时代后,标准单元的设计面临着新的挑战.由于亚波长光刻的使用,图形转移质量将严重下降.在这种情况下,以集成电路的可制造性作为目标的"可制造性设计"方法在标准单元设计中变得至关重要.本文分析了超深亚微米与纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案,完成了实际90nm工艺下标准单元的可制造性设计工作.同时,文中提出了包括光刻模拟、测试电路组等技术在内的单元可制造性设计和验证的流程.     

一种低功耗运算放大器电路的抗辐照设计

本文设计了一款低功耗放大器,整个放大器分为差分输入级、中间增益级、缓冲输出级以及偏置电路四部分。采用SOI工艺制作,提高了放大器的抗辐照能力。经流片测试,静态电源电流为0.8mA,输入失调电压为-0.9mV,输入失调电流为0.9nA。     

一款验证标准单元库功能与延迟测量的芯片

本文设计了一款测试芯片用于验证标准单元库功能以及延迟测量,其中验证标准单元库功能部分电路采用的是数字集成电路的自动化设计流程,实现了对0.18um标准单元库功能准确性的物理验证,缩短了单元库的验证周期;另一方面利用标准单元库搭建的环形振荡器,来帮助测量验证标准单元库门电路延迟时间的准确性。最后利用Synopsys公司Astro工具对两部分电路进行布局布线,并流片测试验证。     

一种CMOS标准单元库的评估电路设计

介绍了一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ标准单元库评估电路的设计思想, 分别就单元延迟参数、扇出延迟特性、线负载延迟特性、触发器延迟特性、最高振荡频率等参数设计了相应的测试链, 给出了评估电路总的结构形式和版图。     

25MHz高速抗辐照存储器的验证方法设计

文章介绍了一种高速抗辐照存储器。经过基准电流电路及电流比较器电路设计,使PROM（可编程只读存储器）能够达到25 MHz的工作频率。文章所采用的电流比较器读取时连续求值,不会产生 SEU（单粒子翻转）,实现了PROM高可靠要求。通过三模冗余及系统校验的方法实现抗辐照SET（单粒子瞬态翻转）加固,并在PROM存储器中实现。PROM存储器经过读取时间测试及抗辐照试验,结果表明,高速抗辐照电流比较器的设计符合指标要求。     

GaAs ASIC标准单元库建库技术研究

介绍了 Ga As ASIC标准单元库构成、分类和特点。说明了标准单元库的噪声容限、瞬态特性和单元扇出能力的描述方法。介绍了该库的设计流程和用户接口     

近阈值标准单元库和其在传感网芯片中的应用

将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础.通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解最大包问题等的相关算法,对现有的商用数字CMOS标准单元库进行有效筛选,得到适用于低电压工作的近阈值数字CMOS标准单元库.通过一个应用于传感网中的双电压域、双核微控制器流片测试,对此标准单元库进行了验证,结果显示其中工作在0.5V下的高能效核的能量效率相较传统工作电压下提高到2.76倍.     

基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

一种适用于标准单元库的低电源噪声输出驱动器

从电路设计技术的角度探讨了大驱动能力输出驱动器设计中降低电源线上同步开关噪声的方法,讨论了输出驱动器电源与输入驱动器电源以及内部逻辑电路电源之间的噪声隔离,并给出了０．６μｍ ＣＭＯＳ工艺标准单元库设计中一个低噪声输出驱动器的设计实例。     

深亚微米标准单元库的可制造性设计

针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准.实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力.基于改进后的0.18 μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景.     

基于标准单元库的多级函数分解

本文提出在ASIC综合技术中基于标准单元库的多级逻辑函数分解技术。分解过程利用单元库函数真值矩阵及各分解部分用标准单元实现的难易程度、逻辑级数来评价、引导分解得到的多级逻辑易于用标准单元组合实现。使用的标准单元类型具有较大程度的相似性,有利于基于标准单元布局布线软件进一步减少芯片面积。