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基于上海微系统与信息技术研究所0.13 μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究.测试芯片主要用于测试标准单元的功能和性能,同时为了满足总剂量辐射测试的试验要求,开发了现场可编程门阵列(FPGA)自动测试平台,用于芯片测试和数据采集工作.试验在模拟空间辐射环境下进行,通过了总剂量150 krad(Si)的辐射测试.测试经过辐射后的芯片,单元功能保持正确,性能变化在10%以内,经过退火处理后,内核(core)电流恢复辐射前的水平. 相似文献
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当半导体工业进入到超深亚微米时代后,标准单元的设计面临着新的挑战.由于亚波长光刻的使用,图形转移质量将严重下降.在这种情况下,以集成电路的可制造性作为目标的"可制造性设计"方法在标准单元设计中变得至关重要.本文分析了超深亚微米与纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案,完成了实际90nm工艺下标准单元的可制造性设计工作.同时,文中提出了包括光刻模拟、测试电路组等技术在内的单元可制造性设计和验证的流程. 相似文献
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《电子技术与软件工程》2017,(15)
本文设计了一款低功耗放大器,整个放大器分为差分输入级、中间增益级、缓冲输出级以及偏置电路四部分。采用SOI工艺制作,提高了放大器的抗辐照能力。经流片测试,静态电源电流为0.8mA,输入失调电压为-0.9mV,输入失调电流为0.9nA。 相似文献
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本文设计了一款测试芯片用于验证标准单元库功能以及延迟测量,其中验证标准单元库功能部分电路采用的是数字集成电路的自动化设计流程,实现了对0.18um标准单元库功能准确性的物理验证,缩短了单元库的验证周期;另一方面利用标准单元库搭建的环形振荡器,来帮助测量验证标准单元库门电路延迟时间的准确性。最后利用Synopsys公司Astro工具对两部分电路进行布局布线,并流片测试验证。 相似文献
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介绍了 Ga As ASIC标准单元库构成、分类和特点。说明了标准单元库的噪声容限、瞬态特性和单元扇出能力的描述方法。介绍了该库的设计流程和用户接口 相似文献
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针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准.实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力.基于改进后的0.18 μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景. 相似文献
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本文提出在ASIC综合技术中基于标准单元库的多级逻辑函数分解技术。分解过程利用单元库函数真值矩阵及各分解部分用标准单元实现的难易程度、逻辑级数来评价、引导分解得到的多级逻辑易于用标准单元组合实现。使用的标准单元类型具有较大程度的相似性,有利于基于标准单元布局布线软件进一步减少芯片面积。 相似文献