60 mm尺度CMOS图像传感器装片工艺技术研究

为了在使用过程中得到高质量的图像,对CMOS图像传感器芯片的贴装精度、芯片倾斜度及装片胶的稳定性要严格控制.对一款60 mm尺度CMOS图像传感器芯片封装结构进行优化研究,进一步优化装片材料和装片工艺参数,解决了芯片倾斜和翘曲问题.芯片翘曲度在10 μm以内,满足图像传感器对封装的技术要求以及可靠性要求.     

毫米波多芯片组装工艺优化研究

随着毫米波系统对模块小型化集成化的需求日益增长，多芯片组装工艺技术成为毫米波模块互连的关键手段。分析了芯片组装工艺的特点，同时基于毫米波M M IC芯片组装工艺要求，通过射频互连芯片组装间隙工艺设计保证、共晶焊接钼铜载体结构优化设计以及自动点胶粘片参数优化研究，给出了相应的优化设计措施，从而达到M M IC芯片组装工艺优化的目的。     

ISD语音芯片的开发与应用

介绍了美国信息存储器件ＩＳＤ公司单片语音芯片的工作原理及基本结构，简介了应用于列车模拟驾驶器和微机辅助司机培训装置中的开发装置及应用系统，该系统取得了很好的效果。     

微系统集成大面积智能化衬底技术研究

智能化衬底技术既是集成微系统的载体,也是微系统集成的手段。采用真空盒吸片技术开发了一种实用的智能化衬底技术工艺方法。真空盒吸片技术解决了芯片的初始定位（对准装片）及芯片位置和共平面性的保持,确保了可用 Ｉ Ｃ工艺完成芯片间的互联。并使工艺的加工面积不受限制,且可达圆片尺度。因此,该智能化衬底技术工艺方法具有很强的实用性和很好的可靠性。     

最早的激光退火商用装置

据《日经》1979年12月10日刊报导: 美国Quantronix公司已制造出了世界上最早的激光退火商用装置。该装置由激光加热部分和机械运动的控制部分组成。使用Nd—YAG激光器作加热源,波长为1.06μm,重复频率为0.1～10KHz。装片量,当片子直径为4吋(约10cm),可装片6片,直径为时时3吋时,可装9片,直径为2吋时,可装6片。控制部分使用8位微处理机。主要用途有半导体离子注入层的退火,以及非晶、多晶部分的结晶化     

继电保护专用芯片存储器抗干扰性研究与设计

目前依赖于外置存储器的继电保护装置容易受到现场复杂电磁环境的干扰而影响系统的正常运行,采用片内存储器层次结构设计的专用芯片可有效地降低电磁干扰对数据读写影响程度.从片内FIFO性能分析、嵌入式DRAM的实现工艺、片内SDRAM控制器的抗干扰设计等方面说明了提高片内存储器可靠性的方法和原理.结果显示该方法能够显著地提高芯片的抗干扰能力,从而提高了不依赖于外置存储器的继电保护装置的可靠性.     

芯片推力方法与MEMS芯片固化工艺的研究

介绍了封装推力与MEMS(微电子机械系统芯片)固化的通用工艺,提出了芯片固化中遇到的问题.针对异议的工艺与材料进行了试验,采用数理统计方法进行了分析.对MEMS装片材料与结构进行研究,找出芯片推力实施的过程的问题,实施优化MEMS芯片推力方法.最终采用数理统计方法验证了该推力方法在工艺实施过程的可行性,该方法满足了大生...     

多通道高速滑行数据记录设备的设计及实现

为了对导弹引信滑轨实验中各路信号进行高速记录、存储，设计了多通道高速滑行数据记录设备，该系统主要由记录设备、远程读数装置及数据分析软件组成，记录设备以FPGA为控制单元，分别对引信的遥测信号和信噪比信号进行实时并行接收，经FPGA进行数据混合编帧后存储在FLASH芯片中，该存储过程采用2级片外流水线页编程技术提高存储速度，装 置回收后，上位机采用多线程技术高速读取数据并进行分析，经过测试，该记录设备在复杂环境下能够准确接收各类数据，FLASH存储速率达到15Ｍｂｙｔｅ/ｓ，上位机读取速率达到16.5Ｍｂｙｔｅ/ｓ，数据回放完整，已应用于某导弹引信滑轨实验中。     

芯片键合的自动化

芯片键合是指将划片分割后的半导体芯片粘结到管座或引线框架上去的装片工序。随着半导体器件制造的迅速发展,越来越迫切地要求改变目前的手工装片方式。 在国外市场上基本上还没有芯片键合自动化设备,这是因为各器件制造厂对半导体器件的组装所采用的方法不同,引线框的形状、电镀的种类、芯片厚度、粘接材料,芯片的送料方法等均不相同,故其设备也完全不同。因此,设备制造厂想独立制造各器件厂可通用的芯片键合机是很困难的,决定芯片键合机的规格也是很困难的。从表1所示出的影响芯片键合的各种因素及这些因素之间的相互关系可知,把芯片装到引线框上去是有多种方法的,常常是由于集成电路的特性而限制了装片的方法。另外,芯片的上料方法受到前道工序——划片、分片方法的影响,而装片方法又进一步影响引线键合的方法。     

IGBT全自动装片机工艺方法研究

IGBT全自动装片机是用于IGBT制造封装业中的后道封装工艺-固精工序。传统的封装工艺采用两台设备经过两次装片,两次加热,容易造成两次氧化的工艺、应力二次释放等问题。文章讨论的IGBT装片工艺是在一台设备上完成双芯片键合和焊料封装工序,实现IGBT器件的高速、精确装片,为了实现本工艺采用了双抓取、双Wafter平台技术,双识别、双监控系统等多项高端技术。文章从IGBT全自动装片机研究的必要性、工艺的创新性、可行性等几个方面进行了分析。