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相似文献
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1.
用正电子湮没寿命技术研究了非晶合金(Co_(0.85)Ni_(0.08)Fe_(0.06)Nb_(0.01))_(75)Si_(10)B_(15)的结构弛豫和晶化过程。样品取自觉42mm、厚0.035mm的快淬非晶条带,经X射线衍射证明是非晶态。样品在真空中不同温度下等时退火40分钟,处理后的样品在室温下进行正电子湮没寿命测量。同样样品在室温下进行热电动势测量,将结果和正电子寿命结果比较。  相似文献   

2.
正电子湮灭技术对于有序相具有一定的识别能力。继研究CuAu系和Ni_3Mn合金的有序结构对正电子湮灭角关联曲线的影响之后,Doyama、Kuribayashi和Fukushima等相继测得在有序转变过程中正电子湮灭参数的变化。  相似文献   

3.
早在1951年,H.Thomas在Ni-Cr等合金中观察到,在进行热处理后于较低的温度范围内合金出现硬度、电阻率等增大的现象,他把此现象归因子固溶体中的一种特殊的组织状态——K状态的形成,我们在Ni_(75)Cr_(15)Fe_(10)上也观察到类似的硬度增大现象。 本文用多普勒展宽方法估测了冷轧样品中的位错密度与空位浓度。同时,通过测量正电子寿命与谱线形状参数随退火温度的变化,考察K状态的形成对正电子湮灭的影响。  相似文献   

4.
SmCo_5永磁合金是一种用途广泛的永磁材料,其居里点约为740℃。为找出材料在400℃以上性能变坏的原因,尝试进行了室温至740℃温度范围内等时(2小时)退火处理的SmCo_5合金的正电子湮灭研究。结果发现,材料中明显地存在着沉淀相的析出。作者认为,至少不能排除这一过程作为影响磁性的重要原因。 正电子平均湮灭率λ_(ap)能反映材料的基体性质。它的倒数称为材料的基体正电子寿命τb,  相似文献   

5.
多指数曲线拟合是最小二乘拟合分析正电子湮灭寿命谱的方法之一。它与最小二乘褶积拟合法不同,数学模型中不考虑谱仪分辨函数的影响。对分析寿命谱的一些实际问题,文献中很少有具体的介绍。 作者在处理非晶态合金和聚四氟乙烯等样品寿命谱的实践中,探寻了解决几个实际问题的方法。这些方法和据此编制的程序(ALSPA)经使用,证明是可行的。  相似文献   

6.
用正电子湮没方法研究非晶态合金对认识非晶态的结构模型、电子结构、缺陷分布、结构弛豫、晶化过程起了不可忽视的作用。近年来,在急冷淬火制备非晶态合金带材的基础上又发展了一种崭新的工艺,即液态急冷轧制。因为它降温速率比急冷淬火的慢,且轧制出的带材有较大的厚度,制备的带材呈晶态结构,换句话说,它克服了急冷淬火制备非晶态带材中所存在的热稳定性问题,从而可望短期内在工业生产中得到实际广泛应用,并大大减少生产工序,节约能源和成本。本文报道了用正电子湮没多普勒展宽能谱对液态急冷轧制的Fe-3%Si(工业中所用的一种矽钢的成分)的测量结果,以探索正电子湮没方法在该类合金中的适用性。  相似文献   

7.
测量了Ni-17-19at%Pl非晶态合金经不同温度处理后的正电子湮没多普勒展宽能谱线形S参数。分析表明,晶间腐蚀和偏离化学成分配比是导致该合金晶化后耐腐蚀性能变坏的两个可能原因。  相似文献   

8.
用正电子湮灭技术研究金属中的缺陷,最近十多年来有着迅速的发展。正电子湮灭寿命、湮灭光子的角关联和多普勒加宽这三种实验方法对于晶体的缺陷都很灵敏。尤其对于空位、位错、空位聚集体等空位型缺陷特别灵敏。因此,这些方法在金属材料的辐照损伤研究中引起了人们特有的兴趣。本文用正电子湮灭技术研究了72.5MeV的碳离子(_(12)C~( 4))轰击镍和不锈钢的辐照效应,测量了它们的正电子湮灭寿命和多普勒加宽线形参数S。另外,还用高压透射电子显微镜和位错热激活法进行了测量。并对经过辐照和未经过辐照样品的测量结果进行了对比。这三种实验方法给出了一致的定性结果。  相似文献   

9.
本文应用示差热分析和穆斯堡尔谱学方法,对非晶态合金Fe_(79)Si_7B_(14)和Fe_(83)Si_4B_(10)C_3的结构弛豫过程进行了实验研究,认为其结构弛豫过程包括拓扑短程序弛豫、化学短程序弛豫和基体金属相形核长大三种形式的结构变化。  相似文献   

10.
正电子湮灭联合谱仪的组装测试   总被引:1,自引:0,他引:1  
把寿命谱仪和锗γ能谱仪组装在一起的联合谱仪可以同时研究正电子湮灭寿命和辐射能谱两种参数,可以获得对湮灭过程更直观的了解。我们建立了此种谱仪并已经运用到正电子(PS)湮灭的实验研究中。  相似文献   

11.
近年来,有可能成为新能源材料的金属氢化物受到了广泛重视。不少工作表明,正电子湮灭技术对研究它们的化学结构等问题是一个有价值的方法。1968年,A.Gainotti等测定了一系列金属氢化物的正电子湮灭寿命谱,观察到湮灭速度Γ_1和Γ_2与分子密度有线性关系。苏联等用寿命谱和角关联方法研究了BeH_2和AIH_5的化学键性质。他们在BeH_2的角关联曲线中观察到窄成份,认为是形成了正电子素,并提出离子晶体一般具有较宽的禁带,易形成正电子素,因此BeH_2是离子键,不形成正电子素的AIH_3是  相似文献   

12.
正电子在分子材料中的湮灭寿命通常与多种因素有关,例如密度及分子排列结构等。若试图用正电子湮灭方法来研究分子材料中的结构效应,我们希望寻求这样一种材料,它在不宽的温度范围内有尽可能多的相变。液晶就是这样一种理想材料,因为它在一般的温度范围内常常具有多种中介相(Mesophases),特别是伴随着相变的发生,正电子的寿命参数常会产生显著的变化,因此,正电子湮灭方法可以灵敏地探测液晶中的相变。  相似文献   

13.
正光中子核反应~(197)Au(γ,n)196 Au的反应截面在前人的实验中已测得了大量数据,它通常被认为是研究光核反应的1个标准反应而进行比对。前人基于多种γ源对~(197)Au(γ,n)~(196)Au的反应截面进行了测量。1987年,Berman等利用飞行正电子湮灭γ源对~(197)Au等核素进行了光核反  相似文献   

14.
我们对含Ni量28~37wt.%的十一种合金的马氏体相变进行了研究。 加工态合金(变形量>60%)经液氮淬火后,正电子平均寿命τ和S参数值不变。因为冷加工产生的缺陷对正电子的捕获已达到饱和。  相似文献   

15.
本工作利用正电子湮灭方法研究了时效退火处理对两种磁性材料Fe-Cr-Co-Si和Sm_2(Co、Fe、Cu、Zr)_(17)微观结构的影响。Fe-Cr-Co-Si永磁合金具有机械加工性能好,最大磁能积高的优点,适于在需要加工的情况下应用。Sm_2(Co,Fe,Cu,zr)_(17)是一种性能十分优良的第二代稀土化合物的永磁材料。它的最大磁能积高达30兆高·奥。这两种永磁材料经时效退火处理,磁性能(矫顽力和磁能积)明显提高。为了进一步提高磁性能和继续设计新的磁性材料,就需要深入探讨材料的宏观性能和微观结构之间的联系。这是当前磁性材料物理研究的一个显著的趋势。目前在研究这类问题的实验中,国外已经使用了核磁共振、穆斯鲍尔效应和μ介子  相似文献   

16.
我们对金属玻璃(Fe_(0.6)Ni_(0.4))Si_8B_(10)在等温退火过程中的正电子寿命进行了测量(结果如图),退火温度为425℃。图中所示的正电子寿命值是单分量拟合的结果。为便于讨论,我们在图中还示出了同样样品的ΔS-tα曲线,ΔS是相对于Cu的热电势,X射线相分析证明了热电势显著变化的阶段与样品析出新的晶化物相对应。与热电势测量的结果相比较,整个寿命随退火时间的变化分为两大部分(以d点为界):结构弛豫部分和晶化部分。  相似文献   

17.
正电子湮灭     
一、正电子湮灭的特性1.正电子 正电子可以与电子湮灭,产生电磁辐射放出高能γ光子。这时电磁辐射的总能量E_v=2mc~2 E_ E_-,这里,m为电子的静止质量,c为光速,E_ 和E_-分别为正电子和电子的动能。如果正电子与闭壳层束缚电子(主要是K电子)充分相互作用,可以发射一个γ光子,其能量为1.02MeV,但其几率很小,而两个γ光子发射是最可几过程。按动量转换的要求,两个γ光子在相对直线上发射,每个γ光子具有0.51MeV(即相当于mc~2)的能量。三个γ光子发射过程也发生,但其几率小于二个γ光子发射过程,此三个γ光子具有  相似文献   

18.
实验所用非晶合金样品是由液态合金轧辊法制备的非晶薄带材,有Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)、Fe_(32)Si_5B_(13)、(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(78)Si_8B_(14)、(Fe_(0.1)Ni_(0.3)Co_(0.55)Mo_(0.05))_(78)Si_8B_(14)等不同成分的非晶合金。各种材料又经过适当的热处理后完成非晶态的晶化过程作为相应的晶化样品。  相似文献   

19.
近年来,在核医学领域中短寿命放射性同位素~(11)C(半衰期20.4分钟)引起了人们的重视。碳是人体内重要的生理元素之一,也是构成药物分子所必需的元素,所以用~(11)C标记化合物,可不改变其分子结构,又能直接利用其放出的正电子或正电子湮灭产生的二个光子(0.511MeV)来检测。若能与γ闪烁照相机或正电子断层计算机扫描仪组合使用,则在生物医学研究和临床疾病诊断中可以显示出~(11)C所具有的独特的优点。 1976年美国橡树岭实验室R.L.Hayes等人报道了~(11)C标记的某些氨基酸能浓集于肿瘤和胰腺,有可能作为定位剂进行阳性扫描,并快速合成了~(11)C-环戊氨基酸。1978年又发表了其他~(11)C标记的氨基酸的合  相似文献   

20.
正电子湮灭多普勒增宽方法测得的直接信息是湮灭光子按能量的分布I(E)(见图1,图中选511keV作为能量坐标的零点,即511keV能峰又称多普勒增宽线形)。能峰的形状可用线形参数来表征,常用的有S、H参数  相似文献   

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