Ce3Rh2X2(X=Ga,Ge)的磁性模拟和晶场效应研究

根据晶场理论,通过对Kaczorowski研究小组磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的晶场分裂能和相应波函数,它们的第一激发能和总激发能分别为3.62 meV,39.0meV和11.7 meV,61.5meV.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基...     

稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的磁性模拟和晶场效应

基于晶场理论,通过对Hermes等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数。它们的第一激发能和总激发能分别为:43.02meV,186.1meV;0.037meV,52.59meV和0.56meV,4.66meV。结果表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为9个单态,Nd3+分裂为5个单态,模拟结果与实验曲线吻合很好。     

高温结晶Ce:YIG晶体磁光性能的计算

用量子理论计算了在900℃结晶下Ce0.6Y2.4Fe5O12晶体中,Ce3+离子经晶场和交换作用劈裂后的能级和波函数,以及该晶体的法拉第旋转角,计算结果与实验符合较好.计算表明,在900℃结晶的Ce:YIG晶体的微结构与500℃结晶的有所不同,Ce3+离子的5d晶场参数发生了明显改变,电子间的超交换作用有效场减小28%.适当控制结晶温度,可改变晶体的磁光性能.     

添加剂REMg2Ni对Mg2Ni储氢材料性能的影响研究

以稀土化合物REMg₂Ni(RE=La、Pr和Nd)作为添加剂,采用机械球磨的方法制备了Mg₂Ni和Mg₂Ni-18%(质量分数,下同)REMg₂Ni储氢合金,研究了添加剂对Mg₂Ni-18%REMg₂Ni储氢合金物相组成、显微形貌和储氢性能的影响,并与纯Mg₂Ni进行了对比分析。结果表明,充分氢化后RE=La、Pr和Nd时储氢合金的物相主要由稀土氢化物和Mg₂Ni H₄组成,充分放氢后RE=La、Pr和Nd时储氢合金的物相主要由稀土氢化物和Mg₂Ni组成,且Mg₂Ni H₄相和Mg₂Ni相的晶胞体积都相对纯Mg₂Ni较小。稀土化合物添加剂有助于提升放氢速率和氢扩散性能,且RE=Pr时储氢合金的放氢速率最快、最大放氢量高、氢扩散性能改善效果最好,这主要与储氢合金中Pr H_2...     

铌添加对（Nd0.4Pr0．6）9Fe76B15熔淬非晶合金晶化行为及矫顽力的影响

用熔淬法制备了(Nd0.4Pr0.6)9Fe76-xNbxB15(x=0,2,3,4)非晶合金薄带,然后在600～740℃进行退火晶化.用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)研究了添加Nb对快淬(Nd0.4Pr0.6)9Fe76B15非晶合金晶化行为和矫顽力的影响,发现Nb的添加改变了(Nd0.4Pr0.6)9Fe76B15的晶化行为,并且极大地提高了合金的矫顽力.未添加Nb的(Nd0.4Pr0.6)9Fe76B15非晶合金晶化时,首先转变成(Nd,Pr)2Fe23B3亚稳相,在退火温度为640℃时,亚稳相开始分解为(Nd,Pr)2Fe14B和α-Fe两相组织,随着退火温度的进一步升高,合金中的(Nd,Pr)2Fe14B相开始减少,而室温非磁性相(Nd,Pr)1.1Fe4B4逐渐增多.添加Nb的(Nd0.4Pr0.6)9Fe72Nb4B15非晶合金晶化时,先从非晶基体中析出α-Fe相,随着温度的升高,剩余的非晶相继续晶化形成(Nd,Pr)2Fe14B和Fe3B相.这说明添加Nb可以避免亚稳相的形成,促进(Nd,Pr)2Fe14B硬磁相的生成,同时细化了晶粒,改善了材料的磁性能,使合金矫顽力从未添加Nb的397.3 kA/m提高到了添加4at% Nb时的1091.2 kA/m.     

多元化合物Pr_2-x-yRxRyFe_(11.6)Co_2Al_(0.4)B的内禀磁性(R=Tb或Dy,R=Nd,x=0,0.2,y=0.05)

确定了多元化合物 Pr_(2-x-y)R_xR_yF_(11.6)CO_2 Al_(0.4)B 的结构和磁性。用15at%左右的 Co 和3at%左右的 Al 组合置换 Pr_2Fe_(14)B 中的 Fe,使磁体的居里温度 Tc 增加了近20%、各向异性场 H_A 增加了近30%。Tb 或 Dy 对 Pr 的部分置换,使 H_A 显著增加。但是,Nd 置换 Pr 却导致磁体在室温和77K 时各向异性场的明显降低。Tb 或Dy 的这种性质可归于 Tb、Dy 离子的较强的磁各向异性,而这种磁各向异性来源子强烈的晶体交互作用场。这些结果表明,Tb 和(或)Dy,Co,Al 诸元素适当组合加入Pr-Fe-B 合金中,可大大改善磁体的磁性能。     

基于ALBERT和RE2融合模型的电网调度意图识别方法

针对电网调度业务意图缺乏有效识别方法的问题,提出一种基于ALBERT(A Lite BERT)和残差向量-字词嵌入向量-编码向量(RE2)融合模型的电网调度意图识别方法。首先,基于ALBERT预训练的动态词向量计算调度专业语言文本特征,建立调度意图分类模型,通过训练调度专业语言构建基于RE2的文本相似度计算模型。然后,采用RE2相似度模型计算召回文本与分类文本的匹配结果对ALBERT意图分类权重进行计算重组,建立融合ALBERT和RE2的意图识别模型。最后,通过某调控中心调度专业语言验证,并与其他方法对比,所提电网调度意图识别方法具有更强的分类能力和泛化能力,对于20种调度意图识别的平均精准率、召回率和F1值分别达到了98.11%、97.96%、98.03%。     

In取代的BiCaVGeIG研究

本文给出Bi_z Ca_(3-z) Ge_x In_y Fe_(3.5+0.5z-0.5x-y) V_(1.5-0.5z-0.5x) O_(12)多晶石榴石材料饱和的磁化强度Ms、铁磁共振线宽AH、居里温度Tc,Ms的温度系数α和晶格常数随In取代量y和Ge取代量x及Bi含量z的变化,并给出经验规律公式。对玻尔磁子的理论值与实验外推值进行了比较和讨论。分析了线宽来源。讨论了In取代的降低温度系数作用和Ge取代的促进固相反应完成作用.     

新能源汽车用Mg_2Ni基储氢合金的制备与性能

以LaMg_2Ni、PrMg_2Ni和NdMg_2Ni作为稀土氢化物载体制备了Mg_2Ni-%(质量分数)LaMg_2Ni(=0,10,20和30)和Mg_2Ni-20%REMg_2Ni(RE=La,Pr和Nd)复合材料,研究了LaMg_2Ni含量对Mg_2Ni基复合材料物相组成、显微形貌和储氢性能的影响,并对比分析了Mg_2Ni-20%REMg_2Ni(RE=La,Pr和Nd)复合材料的储氢性能。结果表明,添加LaMg_2Ni的Mg_2Ni基复合材料的可逆吸放氢容量明显高于纯Mg_2Ni合金,且在LaMg_2Ni含量为20%时达到最大值;Mg_2Ni基复合材料的放氢量和放氢过程中的扩散性能会随着LaMg_2Ni含量的增加而表现为先增加而后减小的趋势,在LaMg_2Ni含量为20%时取得最大值。充分氢化后Mg_2Ni-20%REMg_2Ni (RE=La,Pr和Nd)复合材料中除Mg_2NiH_4相外分别含有LaH_3、PrH_(2.37)和NdH_(2.5)相,最大吸氢量分别为3.31%、3.45%和3.48%,最大放氢容量分别为0.57%、0.67%和0.60%,且放氢速率都高于纯Mg_2Ni合金;3种Mg_2Ni基复合材料中Mg_2Ni-20%PrMg_2Ni复合材料在250和200℃时的放氢平台电压最高且明显高于纯Mg_2Ni合金,具有最优的扩散性能。     

贮氢材料和混合稀土中主体及杂质元素ICP-AES分析

以电感耦合等离子体光谱法连续测定贮氢材料中七个主体元素(La、Ce、Pr、Nd、Co、Mn、Al),混合稀土中四个主体元素(La、Ce、Pr、Nd)和六个杂质元素(Ca、Mg、Cu、Si、Fe、Sm).对稀土元素的光谱干扰进行了较深入的研究,从众多的谱线中选择到灵敏度高、干扰程度小的谱线La 333.749nm,Ce 413.380nm,Pr 414.311nm,Nd 415.608nm,Sm442.434nm,Sm 359.260nm作分析线,并用类似样品组成的基体匹配抑制干扰,从而提高了准确度和精确度.本法简易准确,主体组分标准加入回收率99%～104%,相对标准偏差<2%;杂质标准加入回收率97%～102%,相对标准偏差<15%.不同实验室的测定结果能较好地吻合.     

稀土贮氢合金 RE(NiCoMnAl)_5 的相结构与电容量关系

研究了ＡＢ５型稀土贮氢合金ＲＥ（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５在Ａ侧组分改变下的相结构与电化学性能之间的关系。结果表明：在Ａ侧Ｎｄ（或Ｐｒ）＝０．２时Ｌａ０．８ＲＥ０．２（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５合金的放电容量达最高值（３２０ｍＡｈ／ｇ）;Ｌａ１－ｘＮｄｘ（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５合金的晶胞体积随组分ｘ呈线性减小,少量的Ｎｄ替换对放电容量有良好的影响;退火处理改善了合金的放电容量,但起始活化较慢,可能与表面氧化物的生成有关;快凝条件下晶体织构生长及一次枝晶细化,因而有利于电化学综合性能的提高。     

热压/热变形(Nd,Ce)_2Fe_(14)B/CaF_2磁体的磁电性能和微结构

通过热压/热变形工艺制备了掺杂Ca F2的(Nd1-xCex)29FebalB0.9M(x=0.1,0.15,0.2,0.3,M=Co和Ga等)磁体,研究发现随Ca F2掺杂量增加,电阻率逐渐升高,磁性能逐渐下降。当Ca F2添加量为3wt%时,随Ce取代量的增加,矫顽力呈先上升后下降的趋势。当Ca F2掺杂量为3%,Ce含量x=0.15时,性能最优,剩磁为11.26k G,磁能积为21.93 MGOe,矫顽力达到最大值9.49 k Oe,电阻率达到269μ?·cm,与无掺杂Ca F2热压/热变形工艺制备的钕铁硼磁体电阻率230μ?·cm相比提高了13%。通过对热压/热变形磁体中Ca F2添加量和Ce含量的优化,提供了一种较高电阻率、低成本高磁性能的(Nd1-xCex)29FebalB0.9M热压/热变形磁体。     

微量的砷、硼和稀土Ce对黄铜冷凝管耐蚀行为的影响

采用扫描金相—微区成分分析,拉伸力学性能测试和x射线衍射生物相分析等手段对加入微量的砷、硼和稀土Ce黄铜冷凝管的腐蚀特性进行了观察和分析。结果表明:不仅单独加入微量的砷、硼和稀土Ce能抑制HSn70-1黄铜冷凝管的脱锌腐蚀,砷、硼和稀土Ce的联合加入能更有效地协同抑制HSn70-1黄铜冷凝管的脱锌腐蚀。     

GROWTH OF Ge-DOPED Sb2Te3 THIN FILMS BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

ABSTRACT

Thin films based on Ge–Sb–Te are the most popular material for non-volatile phase change memory, because this material is more stable in the over-write than other chalcogenide alloy. We fabricated the Ge-doped Sb₂Te₃ rhombohedral thin films by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with bubbler type systems for the nonvolatile PCRAM applications and also expected the effects of ratio of respective precusors pressure. In spite of the different Ge bubbler temperature, all thin films have same crystallinity of Sb₂Te₃ phase, which has c-axis orientation perpendicular to the substrates. Even though ratio of relative Ge vapor pressure (%) increases up to 63%, amount of Ge in the films is only about 0.4%. We concluded that reaction between Sb and Te are dominant than other reaction such as Ge–Te or Ge–Sb in current conditions. Also, to improve the reaction of Ge elements in the chamber, controlling amount of Ge precursors may be needed delicately. These results suggest that Ge–Sb–Te thin films can be deposited by metal organic CVD for phase change memory applications.     

Mo对储氢合金RE_(0.78)Mg_(0.22)(Ni_(0.84-x)Co_(0.15)Al_(0.01)Mo_x)_(3.5)的结构及电化学性能的影响

采用XRD分析了La0.50Pr0.22Nd0.06Mg0.22(Ni0.84-xCo0.15Al0.01Mox)3.5(x=0.00,0.01,0.02,0.03和0.04)合金的晶体结构,并且系统地研究了合金的气固相储氢特性和电化学性能。结果表明,合金由Ce2Ni7型结构的A2B7主相和少量的具有CaCu5结构的AB5相构成,晶轴比c/a随着Mo含量的增大而增大。合金在吸放氢过程中的熵变DS和焓变DH与AB5型合金的数值相当。合金的电化学容量随Mo含量的增加而减小,由x=0.00时的381.2 mAh/g下降到x=0.01时的379.5 mAh/g,再至x=0.04时合金的容量最大为362.0 mAh/g;合金容量的衰减速率因Mo的掺入而变大,由x=0.00时的-0.23 mAh/(g.次)降为x=0.04时的-0.97 mAh/(g.次);合金的倍率性能在x=0.01时得以改善,改善幅度为4%。研究表明当x≤0.01时不仅保持了合金的高容量,而且改善了合金的高倍率性能。     

镧系酞菁类配合物对Li/SOCl2电池的影响

采用微波合成法制备了13种镧系酞菁类配合物ML<,2>(M=La、Ce、Pr、Sm、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu,L=C<,65>H<,24>N<,22>O<,13>),并用红外光谱和元素分析法分析样品的结构.LaL<,2>、ceL<,2.、GdL<,2>及LuL<,2>提高了Li/SOCl<,...     

Zn和Dy_2O_3粉末添加对放电等离子烧结纳米晶NdFeB磁体组织形貌和性能的影响

通过对混合Zn或者Dy_2O_3粉末的快淬Nd10.15Pr1.86Fe80.41Al1.67B5.91粉末进行放电等离子烧结(SPS),制备出各向同性Nd Fe B永磁材料,分别研究了两种粉末的添加对磁体组织形貌和性能的影响。结果表明,Zn可以起到细化磁体内部晶粒尺寸的作用,并且会和主相反应生成Nd Zn及Nd Zn5相;Dy_2O_3不利于磁体的致密化,其磁性能的提高被认为是粉末对于磁体内部晶粒的细化作用以及(Nd,Dy)2Fe14B相形成共同作用的结果。对于添加Zn粉末磁体,当Zn添加量为0.6wt%时,磁体获得最佳磁性能;对于添加Dy_2O_3粉末磁体,当Dy_2O_3添加量为2.0wt%时,磁体获得最佳磁性能。     

双主相合金法制备的(Nd,Ce)-Fe-B永磁合金

利用双主相合金法制备了Ce取代的廉价(Nd,Ce)-Fe-B磁体,研究了Ce取代对永磁体烧结致密化行为、显微结构与磁性能的影响。结果表明,用Ce部分取代Nd能够促进烧结,降低烧结温度;随着Ce取代量的增加,晶粒开始明显长大,磁体晶粒尺寸变得不均匀,晶间富稀土相也开始团聚,磁体各项磁性能逐步降低,在Ce取代量为总稀土的20%时,材料剩磁为1.05T,内禀矫顽力为651.4k A/m(8.18k Oe),最大磁能积为198.4k J/m3(24.92MGOe),仍具有较好的综合磁性能。