单通道电子倍增器的性能测试

对一种国产单通道电子倍增器的单电子脉冲高度分布、坪特性、增益特性、随电子能量变化的相对效率及暗噪声分布进行了测试;确定了倍增器的最佳工作参数。倍增器输出幅度在10mV左右,脉冲上升时间小于15ns,坪宽超过500V,增益大于10~7,在电子能量为500eV左右时有较高的探测效率,暗噪声小于0.22脉冲/s。     

单螺旋通道的通道电子倍增器性能研究

在现有的微通道板皮料玻璃配方的基础上,经过一系列的制作工艺设计和改进,最终制作出了具有合适性能的单螺旋通道的通道电子倍增器;之后搭建了以盘香型钽灯丝作为输入电流的通道电子倍增器(Channel Electron Multiplier,CEM)模拟模式测试装置和以紫外发光二极管结合金阴极作为输入信号的CEM脉冲计数模式测试装置,对该器件的综合性能参数进行全面的测试与评价;测试结果表明：本实验室自行研制的单螺旋通道的通道电子倍增器的模拟增益和脉冲增益分别为1×10⁴～1×10⁶和1×107～1×10⁸,增益值随着工作电压的升高而增加,输出脉冲的上升时间为2～3 ns,性能接近国外同行的同类器件。     

200MeV电子直线加速器能量稳定系统

利用计算机对束流能谱图像进行了处理 ,并自动调整加速场相位 ,建立了 2 0 0MeV电子直线加速器能量稳定系统 ,该系统对束流能量在± 4MeV范围内的漂移进行自动补偿 ,使能量稳定在± 0 .6 %左右     

多种能量输出的电子直线加速器方案设计

由于电子加速器的设备规模和投资较大,随电子加速器在工业生产和社会中的应用越来越多,人们希望同一台加速器能输出多种能量的电子束,以满足不同场合的需求,达到一机多用的目的。     

PET应用中的硅光电倍增器研究

本文介绍了硅光电倍增器(SiPM)研制所取得的最新进展及PET应用中SiPM的研究现状。新器件实验室(NDL)制造出光敏面积为2.2mm×2.2mm的SiPM器件,并将SiPM与2mm×2mm×10mm的LYSO晶体耦合,实验结果显示,器件探测FDG 511keV光子的能量分辨率达12.83%,符合时间分辨率达564ps。     

多能量电子直线加速器束流动力学设计

在电子直线加速器中,电子通过与射频电场相互作用获得能量。式（1）为理想情况下的能量分配公式：     

栅型气体电子倍增器的研制

实践中发现,微结构气体探测器（MPGD）遇到三方面挑战：打火时放电电流的抑制与稳定运行、单元面积增大后的生产工艺以及孔型结构带来的探测位置重建偏差。为解决以上问题,本文提出了一种新型结构的MPGD--栅型气体电子倍增器（Groove）。使用3种不同几何尺寸的栅型电极,在不同气体中对8.04 keV铜靶X射线的能谱进行测量,以检验探测器性能。与蒙特卡罗模拟计算结果对比表明,探测器信号主要来自雪崩产生的离子。能谱测量结果显示：栅极狭缝宽度0.2 mm、厚度0.8 mm的探测器增益和能量分辨率好于其他尺寸的探测器;在93%Ar+7%CO₂中运行时,探测器增益与分辨率两项指标稍好于在95%Ar+5%CH₄中。测量得到的探测器增益最高可达3×10⁴左右,能量分辨率最高可达15.6%。     

通道电子倍增器的性能研究

本文介绍用电子和正电子束流测试单通道电子倍增器的高压坪曲线、脉冲幅度分布和效率曲线;还用电子束流测试了阈电压和坪起始电压随电子能量的变化、增益随工作电压的变化、脉冲幅度与电子能量的关系、脉冲幅度和计数率随束流强度以及本底随工作电压的变化关系。     

用于实现能量倍增器平顶输出的双环PI控制技术研究及验证

上海软X射线自由电子激光（Shanghai Soft X-ray Free-electron Laser,SXFEL）升级改造工程中,升级项目之一是使装置在双束团模式下运行,即在一个微波脉冲内加速得到两个相同能量的电子束团。为此设计开发了基于双环比例积分（Proportional Integral,PI）控制的微波低电平（Low Level Radio Frequency,LLRF）控制系统,用于调制微波脉冲能量倍增器的输出波形,使其变为平顶脉冲,以满足双束团模式的要求。该方法使用了两个反馈闭环分别控制输出脉冲整体的幅相稳定性和保持波形的平坦化。通过在微波实验平台上的连续测试,证明了双环PI控制法可以长时间维持能量倍增器输出脉冲的平坦度,并保证整体的幅相稳定性在0.09%和0.1°以内（均方根值）,满足了设计要求。当对系统施加较大的外部干扰时,无需人为干预,算法能自动恢复平顶输出。     

洁净核能系统边耦合质子直线加速器的设计

洁净核能系统的强流连续波质子直线加速器常温腔方案中,高能段采用边耦合加速结构（ＯＣＬ）,频率为７００ＭＨｚ,工作模式为π／２模。ＣＣＬ把来自耦合腔漂移管加速器（ＣＣＤＴＬ）的３０ｍＡ、８０ＭｅＶ的质子束加速到１ＧｅＶ。ＣＣＬ段总长１０６４ｍ,采用ＦＯＤＯ的横向聚焦结构,聚集周期长度为８βλ,腔的束孔道半径为２．００、２．２５、２．５０ｃｍ。用ＳＵＰＥＲＦＩＳＨ优化腔,给出了计算结果,同时给出了能量     

气体电子倍增器(GEM)探测器

气体电子倍增器(GEM)作为一种新型气体电离室探测器,具有结构简单、性能卓越、兼容性强等优点,广泛应用于高能物理、核物理等多个领域。介绍了GEM探测器的原理、研究现状及发展应用。     

气体电子倍增器热中子探雷技术探讨

简述了常用探雷技术,提出了一种利用气体电子倍增器进行热中子地雷探测的技术方案。采用钻孔电路板制作厚气体电子倍增器,镀¹⁰B膜作为中子转换体,多层级联提高热中子探测效率,实现对地雷中爆炸物的检测。转换体¹⁰B膜存在最佳厚度,通过GEANT4软件模拟得到。介绍了镀膜工艺PLD等主流方法,并分析了各种方法的利弊。     

BEPCⅡ直线加速器束流能量反馈系统设计

为满足BEPCⅡ储存环对注入束流的要求,BEPCⅡ直线加速器末增设了束流能量反馈系统。该系统由束流能量在线测量单元,图形界面应用软件和相控执行单元构成。束流能量测量单元使用3个BPM对束流能量进行在线非阻拦式测量,测量结果实行人机交互与控制逻辑输出,相控执行单元使用消除回程差的控制方法。该系统束流中心能量调节频率为2 Hz,注入速率波动小于10m A/min,束流中心能量稳定度不大于±0.1%。     

气体电子倍增器的研制及性能测试

气体电子倍增器(GEM)以其独特的性能在辐射探测器领域得到了广泛的应用,对50μm厚聚酰亚胺(kapton)薄膜利用真空热蒸发和激光掩膜打孔法制作GEM膜,孔径100μm,孔距223μm,并封装流气式探测器,有效探测面积3mm×3mm。5.9keV55F e X射线测量了GEM在不同高压和混合气体比例时的脉冲幅度分布情况。讨论了高压和气体比例对探测器计数率和能量分辨率的影响。结果表明GEM具有较高的信噪比,能量分辨率可达18.2%。     

窄束X射线半价层测量法标定电子直线加速器的能量

X射线半价层测量法是一种常用的低能电子直线加速器能量标定方法，本文对窄束X射线半价层的测量方法进行了讨论。利用Monte-Carlo程序MCNP4B对窄束X射线半价层进行了计算和分析，并与实测数据进行了比较，测量数据与MCNP4B计算结果符合得很好。此外，还讨论了准直锥的长度和材料、准直缝的尺寸、靶的厚度和材料等因素对半价层的影响。     

多能量双束线电子直线加速器研制

<正>研制了可输出电子能量为7.5、10、12 MeV的电子直线加速器,7.5 MeV电子束打靶产生的X射线用于食品辐照技术研究,10 MeV电子束用于科研教学和中试生产研究,12 MeV电子束主要应用于半导体材料辐照改性研究,多能量双束线电子直线加速器主体结构如图1所示。该电子直线加速器布置采用上下两层结构,电子枪、加速管、速调管、微波系统和脉冲变压器等置于第2层     

DZ-12/4多能量档电子直线加速器辐照关键参数测试

中国原子能科学研究院建立了一台DZ-12/4多能量档电子直线加速器,该装置主要用作辐射加工级电子束辐照实验平台。为了检测该电子束辐照实验平台辐照工艺控制参数,本文利用中国原子能科学研究院FJL-02型辐射变色薄膜剂量计对DZ-12/4多能量档电子直线加速器关键参数能量进行了测量,并对研制的束流监测系统法拉第筒的可靠性进行了验证。结果表明,DZ-12/4多能量档电子直线加速器能量在4~12 MeV范围可调,运行参数准确可靠;日常运行中,加速器运行人员通过监测设备和调节加速器参数可有效控制并估计辐照剂量,具有非常好的实用性和简便性。     

6 MeV无损探伤电子直线加速器研制

在北京原子高科核技术应用股份有限公司的合作下,中国原子能科学研究院核技术应用研究所电子直线加速器研究室研制成功了6MeV无损探伤电子直线加速器。该加速器可广泛应用于重机、化工、锅炉、压力容器、炮弹等的质量检验。加速器产生的X射线能量高、穿透力强、输出剂量大、焦点小、检验缺陷的相对灵敏度高。     

应用于气体电子倍增器的电子学板研制

气体电子倍增器（GEM）电子学板（GEB）在大面积GEM探测器系统中起重要作用。为满足大面积GEM探测器系统中高速电子学信号的传输、实现电磁屏蔽及为前端电子学提供电源等需求,本文设计了8层结构的GEB,并对该GEB原型进行了电气性能、机械兼容性、信号传输和噪声测试。测试结果显示,本文所设计的GEB在320 Mb/s信号传输速度下的误码率小于10^-13,在保证信号高速性和完整性的基础上能成功传输前端电子学信号;通过采用叠层对称式设计克服了大面积GEB生产时弯曲程度高的困难,生产的GEB原型弯曲高度降低了2/3,平均弯曲高度为1 mm,增强了前端电子学在探测器系统中的运行稳定性。