TOPCon太阳电池中多晶硅层磷掺杂工艺的优化及其对电性能的影响

随着光伏行业的飞速发展，PERC太阳电池技术已无法满足太阳电池光电转换效率的进一步提升，TOPCon太阳电池因具有高光电转换效率，被认为是下一代太阳电池技术的可选方案。针对TOPCon太阳电池的多晶硅层的磷掺杂量、推进温度及推进时间对多晶硅层、硅衬底中磷掺杂特性及电性能参数的影响进行了研究。研究结果显示：在隧穿氧化层及多晶硅层厚度分别设定为1.5和130.0 nm的条件下，磷掺杂参数设置为通源流量为1400 sccm、通源时间为25 min、推进温度为880℃、推进时间为30 min时，既保证了钝化效果，也保证了欧姆接触和寄生吸收在合理的区间，TOPCon太阳电池的光电转换效率达到了最大值，为24.48%。     

碳钢相容性试验研究

实验室内，利用电化学原理测试了２０Ｇ钢在室温及高温（８８℃左右）不同缓蚀剂浓度时，钢￣水相容性程度。同时，还采用了失重法，探讨了２０Ｇ在室温下，不同缓蚀浓度中材料与工质的相容性程度。结果表明：在钢￣水热管体系中，加入一定量的ＤＧ缓蚀剂，可以大大提高钢￣水相容性。为设计生产热管选择工质中缓蚀剂的浓度提供了依据。     

选择性催化还原法催化剂的钝化及其更换

本文主要介绍选择性催化还原法(SCR)脱硝技术采用的催化剂在运行过程中的钝化机理及其更换方法。由于催化剂在SCR系统中的重要地位，了解和掌握催化剂的钝化机理和更换方法对于延长催化剂的使用寿命，降低SCR系统的运行成本有着十分重要的意义。     

晶体硅太阳电池钝化工艺的研究

采用热氧化法在多晶硅及单硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜，结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺，使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。     

KZL 4-13-A锅炉的除垢与保养

我校锅炉用水是工业网管自来水，其水质ｐＨ值７．７２，硬度为４．９ｍｍｏｌ／Ｌ，虽然采用了软化水处理设备，但由于设备性能较差，并且管理不健全，所以锅炉进水仍较正常指标（≤０．０３ｍｍｏｌ／Ｌ）相差甚远。近来，对锅炉进水水质抽样化验，结果为１．２ｍｍｏｌ...     

双氧水钝化工艺在600MW汽包炉上的应用

介绍双氧水的钝化机理，碱性双氧水钝化工艺在600MW锅炉化学清洗中的应用，双氧水钝化工艺的特点及影响因素和效果。     

背钝化太阳电池背面钝化膜与金属化技术的匹配研究

随着高效太阳电池研发的不断推进,优质的表面钝化已成为高转换效率太阳电池不可或缺的组成部分。本文通过对背面金属化过程铝浆对钝化膜侵蚀作用的分析,匹配背面钝化膜对金属化过程的侵蚀抵御能力,确定了钝化膜折射率的范围,结合背面钝化效果的研究,进一步确定了钝化膜折射率的目标值。     

Hastelloy—B3在Cl-醋酸溶液中钝化膜自修复能力的研究

本文通过一个简单的电化学试验研究了Hastelloy—B3（N10675）在含Cl-醋酸溶液中钝化膜自修复能力、试验结果表明：随着浓度的增大和温度的升高，钝化电位（Eth）越小，钝化膜的自修复能力越强；B3合金由于Mo含量高，钝化膜自修复能力非常强，在含Cl-醋酸溶液中具有很强的抗腐蚀能力     

低温暗退火对TOPCon结构钝化性能的影响

n型隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)结构用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备，完成高温快速烧结后，再经过低温暗退火可以极大地提升钝化接触的性能，主要表现在隐含开路电压上升和饱和电流密度下降，其原理是通过低温暗退火的方法激活氢原子，使SiN_x:H中的氢原子向内部扩散，Si-SiO₂界面进一步氢钝化来提高钝化性能。研究结果表明：钝化膜层的质量、暗退火工艺的退火温度和退火时间等对钝化性能提升有很大影响。在最佳退火条件下，获得了6137μs和0.7422 V的高少子寿命和高隐含开路电压，以及3.66 fA/cm²的低饱和电流密度。     

对低压锅炉化学清洗中几个问题的看法

低压锅炉化学清洗中常出现的问题及解决办法。     

Al2O3/SiOxNy/SiNx叠层钝化膜对PERC太阳电池性能及LID效应的研究

由于等离子体增强化学的气相沉积（PECVD）法制备的SiO_xN_y薄膜中含有大量H原子,因而具有优异的表面钝化性能。通过在PERC太阳电池的Al₂O₃/SiN_x背钝化叠层中间插入一层SiO_xN_y薄膜,形成Al₂O₃/SiO_xN_y/SiN_x结构,可避免SiN_x所带的固定正电荷对Al₂O₃负电荷场钝化效应的负面影响。试验结果表明,硅片少子寿命从原来的130 μs提高至162 μs,电池转换效率增加0.09%。同时,基于Al₂O₃/SiO_xN_y/SiN_x背钝化的PERC太阳电池的LID也得到了改善,由对照组的1.83%下降到实验组的1.09%。     

太阳能电池背表面钝化的研究

利用PC1D模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm。经过RTP处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。结果表明,在正常的烧结状态下,常规铝浆很难完全穿透氮化硅薄膜及其叠加层背面钝化层。而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。     

氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用

采用等离子体增强化学沉积的方法(PECVD),在低衬体温度下制备不同厚度的双面氮化硅薄膜,通过准稳态电导法(QSSPCD)测试non-diffused和diffused硅片沉积不同厚度双面氮化硅薄膜烧结前后的少子寿命,研究发现,氮化硅薄膜厚度在17 nm左右的时候,背面钝化效果有所下降,超过26 nm的时候,效果基本一致.non-diffused烧结后的少子寿命下降很大,而diffused与之相反.结果表明,采用氮化硅作为背面钝化介质膜,可以改善材料的少子寿命,背面钝化膜可以选择在26～75 nm之间.     

背处理对背钝化晶体硅太阳电池性能的影响

通过模拟计算,较高的背面反射率对太阳电池电性能的改善很有帮助,短路电流密度的提升是主要贡献。文中对晶体硅应用不同的背面处理方式得到不同形貌结构。考虑到工艺的复杂程度等方面因素,最终确定使用酸处理背面较为理想。同时也确定了背面酸处理的程度。在此基础上,正面使用SiNx作为减反膜、背面使用AlOx/SiNx叠层钝化膜制备的电池,背处理后电池转换效率绝对值可提高0.1%以上。     

低温生长SiO2钝化膜在太阳电池上的应用

主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO2薄膜,通过改变非晶SiO2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命.实验发现在840℃下生长的非晶SiO2薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高约90%.此外,为优化SiO2/SiNx双层膜的减反射作用,采用Matlab程序计算SiO2/SiNx双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合.实验发现生长有SiO2钝化膜的SiO2/SiNx双层膜太阳电池相对单层SiNx膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mV,转换效率提高约9%.     

谈谈奥氏体不锈钢压力容器的酸洗钝化

本文着重介绍不锈钢压力容器酸洗钝化的常规工艺过程及其质量检验。通过酸洗钝化处理,可以增强奥氏体不锈钢压力容器的防腐蚀性能。     

TiO_2/SiO_2双层减反膜在太阳电池上的应用

利用二氧化硅(SiO_2)对太阳电池表面的钝化作用,对传统的二氧化钛(TiO_2)单层减反膜进行了改良.基于理论模拟分析了光反射率随膜层(TiO_2/SiO_2)厚度变化规律,结合实验上SiO_2最佳厚度经验值,制备了晶体硅太阳电池(即TiO_2/SiO_2/Si),并和SiN_x/Si结构的晶体硅太阳电池相比较.分别测试了少子寿命、反射率、电性能参数等,结果表明这种改良后的TiO_2减反膜也可以取得很好的减反效果和钝化效果.镀有TiO_2,SiO_2双层膜与SiN_x减反膜绒面晶体硅片的积分反射率分别为4.9%和3.9%;使用以上两种不同减反膜制备的太阳电池的开路电压均可达到0.62V.可见这种TiO_2双层膜有望在将来的生产中得到具体应用.     

MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化

对P－硅基体的MOS,MNS,MNOS3种钝化系统通过C－V特性测试和电性能分析,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／IL p－Si太阳电池,通过工艺优化,MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。     

碘三离子后处理对钙钛矿太阳电池的影响研究

采用碘三离子(I₃^-)作为提升钙钛矿太阳电池性能的界面修饰材料，对钙钛矿体相及上层空穴传输材料的接触界面进行修饰和改性，钝化光活性层上表面缺陷，以优化光电转换器件的转换效率。由反溶剂法和后处理的形式，制备平面异质结电池，运用该界面钝化策略改善后的器件效率达到18.9%，且电池的稳定性也得到增强，600 h后仅有5%的性能衰减。通过物相和光电性质等表征与测试，系统地研究电池的形貌及性能参数，探究不同浓度的I₃^-对器件性能的影响作用和机理。研究发现，该缺陷钝化策略对钙钛矿膜层进行处理后，能有效改善钙钛矿材料的结晶性，减少其表面陷阱态缺陷，降低钙钛矿与空穴传输层的载流子界面传输势垒，且I₃^-与钙钛矿能形成钝化层，起到隔绝水氧的作用，使其稳定性得到改善。     

PECVD对硅材料的钝化作用

该文通过实验 ,发现对硅片采用双层钝化体系SiO2 /SiNx 可降低表面复合速度到S <1cm/s;而在采用PECVD钝化的过程中 ,最重要的影响因素是FGA的温度 ,退火温度越低越好 ;最后分析了H原子对硅片钝化的微观机理。