IGBT的栅极驱动

ＩＧＢＴ的栅极驱动是ＩＧＢＴ应用中的关键问题。本文阐明构成ＩＧＢＴ栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍了几种驱动电路实例。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

功率IGBT的驱动保护及其应用技术

文章叙述了功率绝缘栅控双极性晶体管ＩＧＢＴ对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，同时根据这些要求给出了几种功率ＩＧＢＴ的实用驱动和保护电路的应用实例．     

绝缘栅双极晶体管驱动保护集成电路设计

绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）驱动保护集成电路是为适应新一代ＩＧＢＴ的应用而设计的专用集成电路，它具有故障检测、故障输出、缓关断驱动输出、降栅压、负栅压等功能，最高工作频率可达到１００ｋＨｚ，输出驱动电流为±２００ｍＡ。对电路及保护功能进行了分析和研究，并给出了实验结果     

IGBT在某静变电源中的应用

在介绍ＩＧＢＴ功能原理的基础上,深入研究了ＩＧＢＴ的驱动及过流、欠压、过热保护问题,并给出了具体电路,用ＩＧＢＴ作为开关元件制作的中频静变电源,工作稳定,运行良她,实践表明本文所讨论的电路切实可行。     

性能优良的混合双IGBT,MOSFET驱动器SKHI21／22

德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司生产的ＳＫＨＩ２１／２２混合双路ＩＧＢＴＭＯＳＦＥＴ驱动器具有先进的监控电路，可有效防止ＩＧＢＴ损坏，本文着重了介绍了其内部结构功能和部分典型参数。     

IGBT驱动及保护技术研究

ＩＧＢＴ正逐渐成为中、大功率电源产品设计中的首选开关年,ＩＧＢＴ的使用成功与否关害于其驱动及保护电路的设计,本文讲述这方面的内容。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

IR2110高压MOS驱动器

ＩＲ２１１０是一种有高低两路输出，耐压值５００Ｖ，速度快的大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ驱动器，其控制特性好，两路输入分别控制两路输出，使用方便灵活，连线简单，外围器件少，普遍应用于驱动由两个大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ构成的半桥式，以向式或其他形式的电路。     

M57959L／M57962L型IGBT厚膜驱动电路

本文介绍日本三菱电气公司研制的Ｍ５７９５９Ｌ／Ｍ５７９６２Ｌ型ＩＧＢＴ驱动电路的内部结构，工作原理、封装形式主典型应用电路。     

IGBT的原理,应用及驱动电路EXB841

介绍ＩＧＢＴ的原理及实际应用中须注意的问题，并且介绍了驱动电路ＥＸＢ８４１的使用方法。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

IR2XXX三相桥功率驱动芯片的原理及应用

ＩＲ２１３３／ＩＲ２１３５／ＩＲ２２３３／ＩＲ２２３５系列驱动芯片内部集成了互相独立的３组半桥驱动电路、具有多种保护电路,可直接驱动功率半导体ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ。本文简要介绍了其电气性能、工作原理和典型应用电路。     

带快速复位的光电隔离栅极驱动

光电隔离器（ＰＶＩ）为ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ提供隔离的栅极驱动。但是，在关断时，ＰＶＩ不能下拉栅极排放栅极电荷。采用一个可编程结晶体管（ＰＵＴ）就可提供很快的栅极下拉，在０．２μｓ内使栅极放电，排放掉高达５Ａ的电流。ＰＵＴ为一四层结构，很像可控硅整流器．但它具有更灵敏的阳极选通。在该应用中，ＰＵＴ栅极由ＰＶＩ驱动，其驱动电压等于或大于保持ＰＵＴ处于阻塞状态时的阳极电压，这样就没有电流流经阳极一阴极通道（图１）。当ＰＶＩ“关断”时，ＰＵＴ的栅极电压下降到低于阳极电压，触发ＰＵＴ并导致阳极－阴极通道…     

高频开关整流器的应用和电路原理

介绍了高频开关整流器的特点和技术发展，国内外通信企业中的应用及其一般电路原理；重点对高频开关整流器功率因数有源和无源补偿法，高频变换技术，绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）并联电路原理作了介绍和分析。     

串联谐振型激光器用开关电源的研制

介绍了采用功率ＩＧＢＴ模块研制成功的大功率串联谐振型激光器用开关电源的工作原理及ＩＧＢＴ的过压、过流保护方法,给出了访原主回路、驱动电路结构及电源系统的相关波形,该电源已成功地应用地双光路激光焊接机上,与传统激光电源比较,有明显优越性。     

IGBT工作特性的理论分析

对绝缘栅双极晶体管（ＧＢＴ）的工作特性进行了理论分析。由于ＩＧＢＴ所含的ＰＮＰ晶体管是宽基区、低增益的，因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在分析瞬态特性进用准静态近似（ＮＱＳ），精确地描述了ＩＧＢＴ的瞬态特性。     

高压高速功率MOSFET驱动器IR2110

ＩＲ公司推出的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动ＩＲ２１１０，功耗低，浮置电源采用自举电路输入与ＣＭＯＳ兼容，具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构，管脚功能，该器件可用于开关电源，电机驱动，电子镇流器和充电器中，本文还给出了几种实用电路。     

ZCN0545与ZCP0545低功率IGBT及其应用

ＺＣＮ０５４５与ＺＣＰ０５４５低功率ＩＧＢＴ及其应用毛兴武，祝大卫绝缘栅双极晶体管（ＩｓｏｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），英文缩写为ＩＧＢＴ。该器件于８０年代初问世，８０年代末实现了商品化。ＩＧＢＴ是一种功率半导体器件，主要应...     

绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析

通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。