真空断路器选用CuCr25触头材料比CuCr50触头材料优越的分析

一、前言真空灭弧室的小型化是国际上研究真空开关甚感兴趣的课题之一。据报道国内外除从事改进真空灭弧室的电极结构为目标外,还同时以开发新的触头材料的途径来解决真空灭弧室的小型化。在触头材料方面,目前研     

真空灭弧室CuCr触头材料发射率研究

真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。     

CuCr真空触头材料的运行特性与机理

根据近年来国内外对真空触头材料的研究,阐明CuCr触头材料的运行特性与机理,供触头材料与真空灭弧室制造单位的工程技术人员参考。     

影响真空灭弧室性能的因素分析

本文对影响真空灭弧室性能的触头结构形式，触头开矩，屏蔽罩等因素进行了分析，可为真空灭弧室内部结构的合理设计及改善其性能提供依据。     

影响CuCr系触头材料性能的因素

从杂质，组元，制备工艺和热处理等四个方面，较为详细地综述了影响CuCr系触头材料性能的因素，提出了几点关于CuCr触头材料今后使用和制造的看法。     

CuCr、CuCrFe真空触头材料

对采用混粉烧结、热等静压致密化工艺制取的CuCr、CuCrFe真空触头材料的电气性能进行了试验研究,探讨了CuCrFe合金的性能随Fe含量的变化情况。     

不同触头结构真空灭弧室分断能力的测量分析及应用前景

作者测量了不同触头结构中高压等级真空灭弧室的分断能力及弧压特性，并对各种触头的设计思想及熄弧原理进行了讨论，通过对比分析，指出将单极线圈式纵磁和多极线圈式纵磁头应用于国内中高压等级真空灭弧室的必要性。     

CuCr触头表面黑斑与黄斑缺陷的研究

研究了在CuCr触头表面发现的一种缺陷——黑斑与黄斑的形成原因及其对灭弧室性能及制造过程的影响,并提出了消除黑斑及黄斑的措施。     

真空灭弧室纵向和横向磁场触头及其优化应用

0概述 真空灭弧室主要用于配电、工业用断路器和电机控制的接触器上.真空灭弧室主要由真空密封外壳和安置在壳内的1对触头构成.为了其中1个触头能进行关合和开断动作,灭弧室还使用了不锈钢波纹管.     

真空灭弧室触头含气量与动态真空度

研究了灭弧室内工作表面吸气与放气的动态过程,分析了触头材料的含气量与电弧输入能量对动态真空度的影响,讨论了开发更大电流等级真空断路器对触头材料的要求。     

无磁触头真空灭弧室内电弧的形态与转变

引用美国西屋公司最近实验结果,对无磁触头真空灭弧室内的电弧形态及其转变条件进行分析和讨论,供国内真空灭弧室研究、设计、制造技术人员参考。     

一种新型真空灭弧室的触头结构及其纵向磁场计算

介绍了一种新型真空灭弧室触头结构,并对其纵向磁场分布特性进行了计算,结果表明其纵向磁场较强且具有良好的分布特性,适用于开断大电流以及高电压等级的真空灭弧室中,并有利于断路器的小型化。     

真空电弧重熔法制造CuCr触头材料

介绍了用真空电弧重熔法制造CuCr触头材料的原理、重熔炉的结构和控制电弧长度的几种方法、在重熔制造过程中对真空度的要求和自耗电极参数的选择以及重熔法的优点和缺点,最后还阐述了利造CuCr合金触头材料的过程和应用范围。     

不同粉末冶金工艺制造的CuCr触头的微观组织差异及对电性能的影响

评述了熔渗法和混粉烧结法两种粉末冶金工艺制备的CuCr触头的微观结构差异及对电开断性能的影响。与熔渗法相比，烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能，更低的截流值和更好的吸放气性能，但因其机械强度较低故耐压可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。     

CuCr真空触头材料电特性的改善

对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化,尤其是合金材料中铬相细化明显,结晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。     

三种CuCr触头材料对真空灭弧室投切背靠背电容器组性能的影响

为研究三种不同触头材料(真空熔渗CuCr50、真空熔铸CuCr40Te0.005、电弧熔炼CuCr50)对真空灭弧室投切背靠背电容器组性能的影响,将采用三种不同材料制备的触头各装配在三只相同的12kV等级真空灭弧室中,每只真空灭弧室经过80次背靠背电容器组合分操作,高频涌流设定为幅值8 kA、频率3.8 kHz。结果表明:真空熔渗CuCr50、真空熔铸CuCr40Te0.005以及电弧熔炼CuCr50的平均重击穿概率分别为6.7%、5.8%、8.3%,重击穿现象主要发生于恢复电压持续时间的1/4T与10T之间(T表示恢复电压周期20 ms);复燃现象多次出现,真空熔铸CuCr40Te0.005(1次)电弧熔炼CuCr50(9次)真空熔渗CuCr50(10次)。