金属微粒对交流滤波器断路器灭弧室电场的影响

换流站交流滤波器断路器因切断频繁等因素发生了多起爆炸事故,威胁了电网运行安全。分析表明交流滤波器断路器合闸涌流对弧触头烧蚀产生的金属微粒,可能会引起灭弧室电场畸变进而降低设备绝缘强度,为此文中开展了金属微粒对交流滤波器断路器灭弧室电场分布的仿真研究。首先基于电磁场数值分析理论,采用Solidworks和Ansys软件建立了550 kV ACF断路器和不同形状金属微粒的三维数值仿真模型,并仿真分析了无金属微粒情况下ACF断路器开断过程中的电场分布;然后,研究了金属微粒形状和半径对灭弧室电场分布的影响,研究表明,金属微粒的存在增加了灭弧室最大场强,且不同形状金属微粒对灭弧室电场计算结果影响程度不同,对于半球体微粒,最大场强随微粒半径增加而减小,且当其附着于静弧触头表面时对灭弧室绝缘性能影响最大;最后,基于灭弧室无金属微粒时电场优化结果,分析了静弧触头表面有金属微粒时,燃弧时间对交流滤波器断路器灭弧室电场的影响,并提出了优化措施,即将燃弧时间提至5 ms时,灭弧室最大场强将小于SF6气体工程击穿场强。     

断路器内部异物的研究

分析了断路器内部异物来源途径及其控制方法,从断路器的制造工艺、装配工艺和现场安装三个方面论述防止断路器内部异物的方法,并且总结了优化改进设计结构及工艺方法后的罐式断路器现场运行的可靠性。GCB及GIS用断路器现场放电事故,多数原因都属于内部金属微粒所致,通过分析断路器放电原因,对于双断口罐式断路器,金属微粒主要在灭弧室两端屏蔽罩处及中部传动框架处。微粒掉落到断口处罐内壁上,导致灭弧室屏蔽(灭弧室与接地外壳最小绝缘距离处)对接地外壳内壁放电。尽管改进型的断路器已经从结构上采用了粒子捕捉陷阱,但是,由于金     

真空灭弧室及其性能

真空灭弧室的结构与其它断路器的灭弧室相比,是比较简单的。真空灭弧室的结构、材料及其制造工艺都对性能有重大影响。但合理设计真空灭弧室,合理选择各种部件的材料仍然是保证灭弧室性能的基础。本文拟对真空灭弧室的结构及影响其分断能力的因素等有关问     

西安交通大学设计的真空灭弧室结构及性能分析

为了对我国真空灭弧室的生产和发展提出建议,将对我国生产的各种真空灭弧室的结构和性能进行分析,本文主要分析西安交通大学研制的单极纵磁线圈真空灭弧室,多极纵磁线圈真空灭弧室和铁心式纵磁结构真空灭弧室的结构和性能。     

限流断路器的混合式灭弧室的研究

研究窄缝灭弧室应用于交流低压限流断路器的可能性，通过栅片灭弧室与窄缝灭弧室限流性能对比，提出一种低压限流断路器的混合式灭弧室，它综合了两个灭弧室性能上的优点，实验证明，这种新型灭弧室的性能优于栅片灭弧室。     

长期运行的330kV断路器灭弧室全场域电场计算分析

运用有限元计算方法,以长期运行的一相330kV断路器零部件实测尺寸为依据建立模型进行静态电场仿真计算,并与依据标准图纸尺寸建模的静态电场仿真结果进行对比分析。通过对比计算结果,讨论了灭弧室参数对电场分布以及开断产生的影响。结果表明．LW13—363型断路器在长期运行后其灭弧室零部件尺寸的变化会引起灭弧室电场的变化,造成断路器断口承受恢复电压能力下降、开断性能下降和短路开断时主触头闪络的可能性增大。     

550kV交流滤波器断路器灭弧室电场计算

交流滤波器小组断路器爆炸事故会给电网的安全稳定运行造成了极大的威胁,有必要通过对断路器的仿真计算来分析影响灭弧室内绝缘的因素以判断断路器的故障产生的原因。考虑到设备结构对称性,利用Solidworks软件建立了550 k V双断口瓷柱式断路器的单断口三维计算模型,包括动静弧触头、瓷套、SF6和空气包等,并采用有限元计算软件ANSYS开展三维静电场的仿真计算。通过对正常开断、瓷套壁有金属微粒、弧触头间有金属微粒、弧触头上有金属微粒和瓷套加宽等5种工况的计算,发现最大电场强度出现在断路器熄弧后7.5 ms时刻,弧触头上存在金属微粒将使最大场强值显著增加。适当提高灭弧室SF6气压并采取金属微粒吸附措施将有利于减少断路器内绝缘故障。     

交流接触器灭弧系统的仿真分析与试验研究

通过对两种不同产品交流接触器灭弧系统的ANSYS仿真和试验研究,比较了栅片灭弧室和U型片灭弧室的性能优劣。仿真分析和试验结果都表明,金属栅片灭弧室的灭弧性能优于U型片灭弧室。     

真空灭弧室的几种主屏蔽罩电场仿真分析

<正>介绍了在电力系统一个重要元件——真空灭弧室的主屏蔽罩结构设计。随着真空灭弧室产品向小型化和低成本发展,主屏蔽罩的结构也发生相应变化。真空灭弧室作为真空断路器的核心元件,其质量性能好坏直接决定了真空断路器的使用性能表现。市场上,真空灭弧室典型结构组成如图1所示。主屏蔽罩作为真空灭弧室的关键零件之一,主要作用是当触头之间产生电弧时有大量金属蒸气和液滴向真空灭弧室四周喷溅,这些电弧生成     

多纵缝灭弧室介质恢复强度的测试与分析

接触器在ＡＣ－４使用条件下的电气寿命与灭弧室的灭弧性能有密切关系。为了快速评价灭弧室的灭弧性能,本文采用以Ｒａｂｕｓ替代法原理研制的测试系统来测量各种结构的多纵缝灭弧室的介质恢复强度。根据测量结果分析了缝数,缝宽,跑弧道结构及吹弧磁场对灭弧室灭弧性能的影响。     

真空灭弧室（上）

真空灭弧室（国外有称真空开关管）作为真空开关的心脏,对真空开关的性能影响甚大。若真空灭弧室发生漏气或真空度下降,则会导致真空开关丧失其性能。我国目前有真空灭弧室制造厂家近20家,经过多次设计方案和生产工艺的改进,真空灭弧室质量大大提高,而且还在不断提高。     

真空灭弧室中屏蔽罩电位动态测试及分析

本文通过测量真空灭弧室中屏蔽罩电位与电弧电压和恢复电压关系的动态变化波形，探讨真空灭弧室在短路电流分断过程中，真空电弧的燃弧规律和弧后介质强度恢复规律。在试验结果的基础上，对真空灭弧室屏蔽罩电位与触头间电压的动态关系进行了数学推导，从理论上分析了屏蔽罩电位的变化规律，证实这是一种研究真空灭弧室性能的可行方法。     

高中压开关技术(8) 真空灭弧室(上)

真空灭弧室(国外有称真空开关管)作为真空开关的心脏,对真空开关的性能影响甚大。若真空灭弧室发生漏气或真空度下降,则会导致真空开关丧失其性能。我国目前有真空灭弧室制造厂家近20家,经过多次设计方案和生产工艺的改进,真空灭弧室质量大大提高,而且还在不断提高。     

磁流体仿真与正交试验融合设计的灭弧室性能优化方法

低压断路器开断过程产生的电弧是影响其开断性能的重要因素,研究并优化低压断路器灭弧性能是提高其品质的关键。该文提出一种磁流体仿真与正交试验融合设计的灭弧性能优化新方法。建立了基于磁流体理论的电弧等离子体模型,研究了跑弧道形状、灭弧栅片数量、横向磁场、灭弧室压力等对灭弧性能的影响,得出优化因素组合及变量范围。在此基础上,建立了多维电弧参量测试系统,将磁流体仿真与正交试验进行融合,分别设计了四因素三水平、四因素四水平正交试验,融合后获得五个因素对灭弧性能影响强弱的排序为：灭弧室压力、横向磁场、跑弧道形状、栅片数及触头材料。最后结果表明,灭弧室压力、横向磁场、跑弧道弧度、触头Agcd比例变大均能减小电弧转移时间,栅片为7片时电弧转移效果最好。     

基于动态电阻技术SF6断路器灭弧室 发热缺陷分析与处理

本文基于动态电阻技术对一起SF_6断路器灭弧室发热缺陷进行了详细分析,介绍动态电阻测试基本原理,利用动态电阻技术评估灭弧室发热严重程度,判断发热是否已影响断路器弧触头灭弧性能,并通过灭弧室解体进行验证,最后对SF_6断路器灭弧室发热缺陷状态评估提出建议。     

影响真空灭弧室性能的因素分析

本文对影响真空灭弧室性能的触头结构形式，触头开矩，屏蔽罩等因素进行了分析，可为真空灭弧室内部结构的合理设计及改善其性能提供依据。     

气吹灭弧与压力脱扣技术促进了低压断路器分断性能提高

介绍了气吹灭弧技术的机理及实验研究，新型低压断路器采用气吹灭弧技术的灭弧室结构，以及利用灭弧室产气后生成的压力构成新型压力脱扣器来改进低压断路器限流性能。     

真空灭弧室瓷壳黄斑的形成机制及消除措施

对黄斑瓷壳和正常瓷壳进行了电性能测试、化学及烧氢烘烤等一系列试验,证明了高压老炼后真空灭弧室瓷壳黄斑的形成是由于氧化铝晶格配位结构的变化引起的,它不影响真空灭弧室的电气性能,而且加热至650℃后即可消除。     

一种用于真空灭弧室的磁屏蔽罩

研究了由外部接线产生的磁场对真空电弧的影响.这一横向磁场会将电弧吹向弧隙外侧,削弱了真空灭弧室的开断能力.因而提出了一种磁屏蔽罩,以避免真空电弧受到外部磁场的影响.试验结果表明,该磁屏蔽罩可有效地提高真空灭弧室的开断性能.     

SW3-110G少油断路器灭弧室的改进

遵照伟大领袖毛主席关于“人类总得不断地总结经验,有所发现,有所发明,有所创造,有所前进”的教导,我们和山东泰安开关厂、北京开关厂及天津开关厂等兄弟单位一起对SW3—110G及SW6-110、SW6-220少油断路器的灭弧室进行了一次改进。改进后灭弧室所用三聚氰胺压制材料及加工工时节约了50％,提高了灭弧室对材料性能的适应性,而且更易于