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1.
热处理温度对Z型铁氧体反射损耗的影响
郭晋红
《电子材料与电子技术》
2007,34(2):1-5
本文采用溶胶-凝胶工艺制备Z型铁氧体材料,并且通过不同的热处理温度对Z型铁氧体的成相结构、电磁参数、反射损耗的影响进行研究。结果表明,当热处理温度为1250℃—1275℃时,材料成相完全,磁导率增加,反射损耗增大。
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