非晶硅光电导及其特性

<正> 本文简要论述氢化非晶硅(α-Si:H)的特性。描述了我们的研制系统。给出了实验结果及本征α-Si:H GD法生长光电导的最佳条件点。即在基底温度为265℃、射频源一定功     

α-Fe2O3-Mica纳米薄膜的制备

采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3·H2O作为主要原料,控制不同的Fe3 浓度、水解温度、溶液pH值及热处理温度,利用液相均匀沉淀法在白云母形成基片上制备了系列α-Fe2O3-Mica纳米薄膜.利用XRD、SEM对纳米膜的成分、结构及形貌进行了表征,结合α-Fe2O3-Mica纳米膜的形成机理讨论了工艺参数对制备过程及结果的影响,结果表明:液相均匀沉淀法制备的α-Fe2O3颗粒为纳米级,均匀沉积在白云母基片上形成致密膜,且得到了制备α-Fe2O3-Mica纳米膜的最佳参数.     

均匀共沉淀法制备掺锡α-Fe2O3粉体及其气敏性能研究

采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3·H2O为主要原料,控制不同的Fe3 浓度、Sn4 : Fe3 、溶液pH值及烧结温度,利用均匀共沉淀法制备了掺锡α-Fe2O3粉体,并用厚膜工艺将粉体涂于云母基片上制成了高灵敏度甲烷气敏元件.利用XRD对粉体成分及结构分析后发现,部分Sn4 以类质同象的方式代替了α-Fe2O3晶格中的Fe3 ,改变了α-Fe2O3的晶胞参数;通过测试元件在不同温度下对800×10-6甲烷的气敏性能,结果表明,掺锡提高了α-Fe2O3的气敏性,且得到了制备掺锡α-Fe2O3甲烷气敏材料的最佳参数.     

紫外光电探测器研制

采用宽带隙半导体材料SiC,进行紫外光电探测器的制备。基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用SiO2＋Al2O3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论。     

氧化锡甲烷传感器的研究

以 Sn O2 为本底 ,掺杂以 Pd、Sb、Y、Nb等元素并进行外层催化处理 ,催化层由Al2 O3和 Pt组成 ,研制成能够探测 ( 50～ 1 0 0 0 0 )× 1 0 - 6甲烷、抗干扰性非常好的半导体气体传感器 .这种传感器对 C2 H5OH、H2 、CO等气体的灵敏度很低 .在催化层和底层敏感材料之间涂覆一层 Si O2 、α-Al2 O3隔离层 ,大大提高了传感器的稳定性     

NiFe2O4纳米材料的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.     

新型热敏材料及器件的研制动态

本文主要叙述国内外近年来有关常温、高温和低温用的新型热敏材料和热敏电阻的研制动态。重点阐述高速响应SiC薄膜热敏材料、尖晶石氧化物半导体厚膜热敏材料、碳化物多晶烧结体高温热敏材料、锗薄膜低温热敏材料的主要性能和制备工艺,以及热敏电阻的制法和应用前景。     

氧化铟纳米材料的制备及其在气体传感器中的应用

评述了氧化铟纳米材料的各种制备方法的优缺点,包括溅射法、激光烧蚀法、溶胶凝胶法、化学气相沉积法、均匀沉淀法、微乳液法、模板法等.对氧化铟半导体材料在气体传感器中的应用做了简单介绍,包括它作为CO、NO2、O3、H2等气体传感器的应用现状.     

Cd2+掺杂SnO2纳米棒的制备与特性研究

在微乳液中SnCl和CdCl的混合水溶液与KBH4水溶液的还原反应制备了Cd2 掺杂SnO2纳米棒前驱物.在NaCl KCl熔盐介质中,660℃焙烧前驱成功制备了Cd2 掺杂SnO2纳米棒一维纳米材料.利用TEM、XRD、XPS和H2-TPR对SnO2纳米棒形貌、成分和材料表面氧吸附特性、H2还原特性进行了表征和分析.SnO2纳米棒直径为10nm～20 nm,长度从几百个纳米到几个微米,Cd2 掺杂后的SnO2纳米棒材料中CdO的含量可达5%.TPR的结果表明,Cd2 掺杂SnO2纳米棒表面吸附大量的氧具有较好的氧化还原特性.以SnO2纳米棒为原料,制备了厚膜气敏元件,考察了其H2敏感特性.     

SAW—SXFA气体传感器敏感膜性质的研究

以SXFA聚合物为敏感膜材料制备了能够检测有机膦化合物的声表面波传感器,介绍了敏感膜材料SXFA的镀膜方法,以理论计算和原子力显微镜对敏感膜进行了证实,研究了SAW-SXFA传感器在不同膜厚度下的频率变化、不同膜厚度的传感器对检测有机膦化合物的响应结果,并对检测机理进行了初步讨论.     

HEC/PVDF作为光纤湿度传感器感湿材料性能研究

制作了一种基于以聚偏氟乙烯(PVDF)/羟乙基纤维素(HEC)共混物为感湿材料的折光率变化型光纤湿度传感器.对共混物感湿膜的膜厚度、皮层长度以及共混物的配比进行了考察,并用扫描电镜(SEM)对感湿膜进行了表征.结果表明:用PVDF和HEC共混物合成的感湿膜具有抗人为涂层误差、常温下无需温度补偿等优点;材料PVDF:HEC为1:2制备的感湿膜性能最优,具有宽检测范围和高灵敏度.     

氧化物半导体甲烷敏感元件研究进展

介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理,论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径.采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体甲烷气敏元件的灵敏度、选择性、响应和恢复特性、稳定性.     

纳米SmFeO3的合成及其H2S敏感特性研究

以无机物K3[Fe(CN)6]和Sm2O3为原料,用热分解配合物前驱体法制备了复合氧化物SmFeO3纳米粉体.用X-射线粉末衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)对产物的物相、形貌进行了表征.结果显示:热分解法在煅烧温度为600℃即可生成纳米晶SmFeO3,TEM显示产物为均匀的椭球形颗粒,充分表明该方法制备的材料具有良好分散性,且纯度较高.将合成材料制备成旁热式气敏元件,气敏性能测试结果表明:合成材料对H2S具有高的灵敏度和选择性,在最佳工作电压4 V时对50μL/L H2S气体的灵敏度可达21.3倍,相对干扰气体C2H5OH来讲其选择性系数为4.44倍.而且响应很快,约2 s,但恢复稍慢,40 s左右.     

纳米SnO_2的制备及其气敏特性分析

半导体纳米粒子应用于气敏材料是一新兴的研究领域,综述了ＳｎＯ２ 半导体超细化处理的研究进展。对各种制备方法作了详细描述,控制材料粒径的大小及粒度的分布、保证纳米团簇的稳定存在是纳米ＳｎＯ２ 制备的关键;分析了纳米ＳｎＯ２ 半导体材料的气敏特性,由于材料的比表面积增大、活性位增多,而具有着优异的气敏性能;并对其应用前景做出了进一步的展望。     

SnO2导电薄膜的制备及电学性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２导电薄膜，分析了膜的电学性能与沉积参数的关系，同时测得ＳｎＯ２膜具有负温阻特性，这是一种Ｎ型半导体膜。     

纳米α-Fe2O3的微波合成及其H2S敏感特性研究

以FeCl3·6H2O为原料,采用微波水解法,在三乙醇胺作用下合成了α-Fe2O3.X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜表征结果表明:合成产物为纯a-Fe2O3,其粒径30 nm左右.气敏性能测试结果表明,以该法合成的α-Fe2O3为基体的气敏元件,对低浓度的H2S灵敏度也很高,5×10-6时达21.5倍、2×10-6时达16.4倍,而且响应恢复快,为应用前景良好的H2S敏感材料.     

纳米LaFeO3的制备及H2S气敏性能研究

以无机物K3[Fe(CN)6]和La(NO3)3·nH2O为原料,用热分解配合物前驱体法制备了LaFeO3纳米粉体.用X-射线粉末衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)对产物的物相、形貌进行了表征.本工作还以沉淀法相同温度条件下煅烧出的LaFeO3作了对比.结果显示:热分解法在煅烧温度为700℃即可生成纳米晶LaFeO3,TEM显示产物为均匀的椭球形颗粒,充分表明该方法制备的材料具有良好分散性,且纯度较高.将合成材料制备成旁热式气敏元件,气敏性能测试结果表明:合成材料对H2S具有高的灵敏度和选择性,在192℃工作时,对35μL/L H2S气体的灵敏度可达72倍.     

非金属发热元件

<正> 前言 众所周知,发热材料种类繁多,例如Ni-Cr系合金型、P-NTC系热敏半导体陶瓷型、SnO_2-Sb系金属氧化物半导体薄膜型、石墨-炭黑系非金属厚膜型等等。 本文要介绍的就是应用石墨-炭黑系非金属发热材料制成的发热元件,这种发热元件是属于厚膜型的发热元件,它是由电阻浆料通过涂敷工艺,在无机衬底材料上形成适当的面积,最后在高温条件下完成烧结,也只有在高温条件下涂敷的膜才具有一定的电阻值。 电阻浆料是由非金属材料的导电粒     

用气相反应法制备纳米WO3气敏材料

材料的制备是研制半导体气敏传感器的关键环节.用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,制作了NO2气敏传感元件.在性能测试中发现,该元件对低浓度(10-10)NO2灵敏,灵敏度可达10倍左右,而且响应迅速,响应时间为1.5 s.文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析.     

薄膜线条宽度对坡莫合金AMR性能的影响

利用半导体标准工艺,在8英寸工艺平台上,通过光刻和剥离工艺制备出不同线条宽度的坡莫合金材料Ta(5 nm)/NiFe(12 nm)/Ta(2 nm),然后再进行表面钝化、电极引出和TO-94封装以后进行测试.测试结果表明:在常温条件下,不同薄膜线宽对材料AMR值影响不大,而对薄膜材料的饱和磁感应强度影响巨大.当线宽从1...