真空灭弧室主屏蔽罩电位静态测量分析

对中间封装式和瓷柱支撑式两种主屏蔽罩安装方式的真空灭弧室中主屏蔽罩电位进行了静态工频测试,找出了为什么中封式真空灭弧室装入整机后并不比瓷柱式真空灭弧室耐压特性优越的原因,指出在真空断路器设计中,尤其在高电压等级下,真空灭弧室的均压问题应与整机总体设计同时考虑。     

真空灭弧室中屏蔽罩电位动态测试及分析

本文通过测量真空灭弧室中屏蔽罩电位与电弧电压和恢复电压关系的动态变化波形，探讨真空灭弧室在短路电流分断过程中，真空电弧的燃弧规律和弧后介质强度恢复规律。在试验结果的基础上，对真空灭弧室屏蔽罩电位与触头间电压的动态关系进行了数学推导，从理论上分析了屏蔽罩电位的变化规律，证实这是一种研究真空灭弧室性能的可行方法。     

一种用于真空灭弧室的磁屏蔽罩

研究了由外部接线产生的磁场对真空电弧的影响.这一横向磁场会将电弧吹向弧隙外侧,削弱了真空灭弧室的开断能力.因而提出了一种磁屏蔽罩,以避免真空电弧受到外部磁场的影响.试验结果表明,该磁屏蔽罩可有效地提高真空灭弧室的开断性能.     

真空灭弧室性能参数分析

分析了真空灭弧室的性能参数。详细分析了触头结构、真空度、真空电弧温度的影响、触头间隙的确定、屏蔽罩厚度以及真空灭弧室的并联运行。提出真空开关在低压电器领域将有广阔的发展前景。     

72.5kV真空灭弧室电位和电场分布研究

为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,可以改善内部电场分布。计算结果可为高电压等级真空灭弧室的优化设计提供参考。     

ZW-12/630型10 kV断路器非全相分闸的原因分析及处理

1 现场情况 在一次设备例行试验中发现,某户外10 kV真空断路器分闸后A相仍处于合闸导通状态. 该断路器为ZW-12/630型,配CT23A-D型弹簧操动机构,2002年3月完成现场安装调试后于同年8月投入运行. 2原因分析 2.1 真空灭弧室的结构及开闭原理 真空灭弧室主要包括静触头、动触头、波纹管、主屏蔽罩、波纹管屏蔽罩、均压屏蔽罩、屏蔽罩法兰、绝缘外壳等部件.正常情况下,自由状态时的真空灭弧室动、静触头是自然闭合的导通状态,只有借助外力(来自操动机构的操作动力)的作用才能完成动、静触头的开断.     

现代真空灭弧室——真空断路器可靠的关键

真空断路器结构极为紧凑、免维修、寿命长、对环境无污染。ＡＢＢＣａｌｏｒＥｍａｇＳｃｈａｌｔａｎｌａｇｅｎＡＧ生产的真空断路器雇农主中压领域。其中的重要元件－－真空灭弧室采用最现代的工艺及优质材料。灭弧室开断电流至６３ｋＡ,额定电压至５２ｋＶ。     

混合型直流真空断路器触头技术——现状与发展

基于强迫换流原理的混合型直流真空断路器(hybrid direct current vacuum circuit breaker,HDCVCB)是直流开断技术的有效方式之一,其参数设计及开断能力决定于真空灭弧室的特性。介绍了混合型直流真空断路器的典型拓扑结构及其工作原理,对真空电弧理论和真空灭弧室触头结构的研究概况进行了阐述。分析了直流分断中电流波形与交流中的正弦波不同、电流下降率大、燃弧时间可控等特点,得到了其分断能力与换流电流投入时电弧形态和电极状态密切相关的结论。对不同触头结构下的真空电弧形态演化规律,不同条件下的真空灭弧室的强迫换流分断特性与介质恢复规律等实验研究工作进行了综述,最后对直流真空灭弧室的研发进行了展望。     

126kV户外真空断路器灭弧室电场仿真计算

采用有限元软件对126kV户外真空断路器的灭弧室内部电场进行了仿真计算，考虑了灭弧室内部各种屏蔽罩对电场分布的影响，得出了一些有益的结论，为户外真空断路器的设计提供了理论基础。     

真空灭弧室内部气体压力检测的实验研究

真空灭弧室的内部气体压力直接影响真空断路器的性能。笔者利用自行设计的真空测试系统研究了灭弧室内部气体压力与灭弧室屏蔽罩直流电位的关系,给出了试验结果。在该试验的基础上,设计了一种能用于内部气体压力在线检测的传感器探头和信号处理电路。     

基于ANSYS的40.5kV真空灭弧室电场分析

建立了电压等级为40.5 k V真空灭弧室的二维模型,利用有限元软件ANSYS计算并分析了该40.5 k V真空灭弧室在不同主屏蔽罩半径下的电场和电位分布,对比了不同主屏蔽罩半径下触头沿面的电场强度分布以及波纹管屏蔽罩与主屏蔽罩弯角之间的电场分布。结果表明:1主屏蔽罩半径越大,其电场强度越小,当半径大到一定程度时,电场强度不再随主屏蔽罩半径的变化而变化;2当主屏蔽罩半径为57 mm时,该40.5 k V真空灭弧室内部场强分布最为均匀。     

影响真空灭弧室性能的因素分析

本文对影响真空灭弧室性能的触头结构形式，触头开矩，屏蔽罩等因素进行了分析，可为真空灭弧室内部结构的合理设计及改善其性能提供依据。     

固体绝缘开关设备大容量真空开断过程中触头屏蔽罩侧烧问题探析

中压固体绝缘开关柜、环网柜目前主要的发展方向一是小型化,二是大容量。然而固体柜的小型化要求势必制约着内部母线与真空灭弧室的浇注距离。这不仅影响固体柜的电绝缘与局放特性,同时还将对固体柜的开断能力造成影响。真空电弧受到旁侧母线导体电动力作用横向磁吹使屏蔽罩侧烧,降低了真空灭弧室的耐压水平,对开断性能会产生严重影响。为提高小型化固体柜的大容量开断能力,文中针对固体柜电流开断过程中的触头屏蔽罩侧烧问题展开研究,对母线导体在触头间隙产生的磁场电动力进行了理论计算,对母线导体磁场在触头间隙的分布特性进行了磁场仿真,最后提出了一种磁场屏蔽解决措施,并通过了试验验证。研究结果表明对于固体绝缘开关设备而言,在真空灭弧室内部设置导磁屏蔽罩可有助于减小电弧所受母线电动力的影响,是解决大容量真空开断过程中触头屏蔽罩侧烧的一项有力措施。     

设计高电压等级真空灭弧室的关键途径

介绍了设计高电压等级真空灭弧室的关键问题。其中问题之一为高电压绝缘。主要是通过了具体设计,求取面积效应和采取多间隙屏蔽罩结构来解决电压的均匀分布。最后经过优化设计,得出合理的结构。其二为在大电流开断情况下的真空电弧控制,主要采取自身电弧扩散电极的方法,获得了极为有效的结果。     

高压真空灭弧室内部电场分布的影响因素

为了解高电压真空灭弧室内部的电场分布情况,建立了真空灭弧室的电场数学模型。应用电场数值分析方法和有限元软件详细计算不同屏蔽罩与触头尺寸对真空灭弧室内部电场分布影响的结果表明,因高电压真空灭弧室开距较大,触头间隙不再是场强集中的区域,在高压真空灭弧室小型化设计过程中,除考虑电极间的绝缘外,更需考虑电极与屏蔽罩之间的绝缘。合理设计屏蔽罩的尺寸、位置和触头的形状可有效改善灭弧室内部的电场分布,提高真空灭弧室的耐压能力,从而为国内72.5kV以上电压等级真空灭弧室的研制提供了理论依据。     

直空灭弧室的耐压特性及其分析

对真空灭弧室的耐压特性进行了分析和研究，包括灭弧室触头间隙及触头和屏蔽罩间隙的耐压特性，探讨了面积效应在真空灭弧室设计中的应用，本文对于改善真空灭弧室的耐压特性及高电压大容量真空灭弧室的开发有重要意义。     

高电压等级真空灭弧室绝缘结构的研究

为了解真空灭弧室的绝缘性能,通过对72.5kV真空灭弧室试品的冲击耐压试验以发现规律、分析其影响因素并改进绝缘结构。试验表明,其内部绝缘击穿并非发生在触头间隙,而是触头背部与主屏蔽罩间的间隙放电。增大触头边缘与背部过渡处的圆弧半径后,提高了耐压水平。进一步提出126kV真空灭弧室内部绝缘结构的设计方案,计算了电场分布情况并用真空灭弧室绝缘击穿的统计特性分析其耐压特性。     

真空灭弧室设置不同屏蔽罩的均压作用

本文阐述了均压屏蔽罩在高电压真空灭弧室中的应用及其重要性,介绍了各种不同屏蔽罩在高电压真空灭弧室内所起的均压作用,触头开距与屏蔽罩之间的配合以及触头和屏蔽罩形状的分析。     

高压断路器试验技术(4) 真空断路器导电回路电阻的测试

真空断路器具有灭弧能力强、分断能力高;触头电磨损小,电寿命长;触头开距小,机构操作动能小,机械寿命长;结构简单,维修方便等优点。真空断路器采用了特制的真空元件,随着近年来制造工艺水平的提高,灭弧室的故障明显降低。真空灭弧室无需检修,当其损坏和寿命终了时只能更换。     

真空灭弧室的耐压特性及其分析

对真空灭弧室的耐压特性进行了分析和研究，包括灭弧室触头间隙及触头和屏蔽罩间隙的耐压特性，探讨了面积效应在真空灭弧室设计中的应用。本文对于改善真空灭弧室的耐压特性及高电压大容量真空灭弧室的开发有重要意义。