Scanning Electron Acoustic Microscopy of GaInAsSb by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙｏｆＧａＩｎＡｓＳｂｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＬｉＳｈｕｗｅｉ，ＪｉｎＹｉｘｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，ＺｈａｎｇＢａｏｌｉｎ（李...     

Growth of Ga_xIn_（1－x）Sb Alloys by MOCVD—Solid Composition Surface Morphology and Electrical Propert

ＧｒｏｗｔｈＯｆＧａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）ＳｂＡｌｌｏｙｓｂｙＭＯＣＶＤ—ＳｏｌｉｄＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＳｕｒｆａｃｅＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓＺｈａｎｇＢａｏｆｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，ＪｉａｎｇＨｏｎ...     

Crystal Perfection in GaP Films Heteroepitaxially Grown on GaAs by Low-pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition

1ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｃｒｙｓｔａｌｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｆｏｒⅢⅤｇｒｏｕｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｓｈｅｔｅｒｏｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙｇｒｏｗｎｂｙｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ(ＭＯＣＶＤ)ｗａｓｆｏｕｎｄｔｏｂｅａｓｅｎｓｉｔｉｖｅｆｕｎｃｔｉｏｎｏｆｇｒｏｗｔｈｆａｃｔｏｒｓ,ｉｎｃｌｕｄｉｎｇｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ,ｓｕｂｓｔｒａｔｅ,ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ,ｐｒｅｓｓｕｒｅ,ｆｌｏｗｒａｔｅａｎｄｒｅａｃｔｏｒｄｅｓｉｇｎｅｔ…     

Prediction of Composition of GaInAsSb Epilayers by MOCVD Using Pattern Recognition and Artificial Neural Network Method

ＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎｏｆＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＧａＩｎＡｓＳｂＥｐｉｌａｙｅｒｓｂｙＭＯＣＶＤＵｓｉｎｇＰａｔｅｒｎＲｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎａｎｄＡｒｔｉｆｉｃｉａｌＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋＭｅｔｈｏｄＹａｎＬｉｕｍｉｎｇ①（严六明）ＥａｓｔＣｈ...     

Characterization of GaSb Films by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＧａＳｂＦｉｌｍｓｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＬｉＳｈｕｗｅｉ，ＺｈａｎｇＢａｏｌｉｎ，ＪｉｎＹｉｘｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，（李树玮）（张宝林）（金亿鑫）（周...     

MOCVD法制备碳-氧化铝太阳能选择吸收涂层的研究

目前,普遍采用射频溅射制备以氧化铝为介质基体的太阳能选择吸收涂层,但射频溅射成本高、效率低.以乙酰丙酮铝为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法,在不锈钢基体上制备碳一氧化铝太阳能选择吸收涂层,大大降低了涂层成本.研究了栽气成分、沉积时间对膜层成分和吸收率的影响.结果表明:在沉积温度为600℃、载气氧含量为3%、沉积时间4h时获得了吸收率α为0.91的涂层.     

沉积温度对化学气相沉积铼涂层性能的影响

利用五氯化铼热分解反应,采用冷壁式现场氯化化学气相法在钼基体沉积铼涂层,分析不同沉积温度对铼涂层的物相组成、沉积规律、表面形貌、密度和硬度的影响。实验结果表明:沉积所得均为纯铼涂层,晶粒生长方向均以(002)晶面为主;随着沉积温度的上升,铼涂层的沉积速率和沉积效率大幅提升,表面形貌由复杂多面体态变为六棱锥状;涂层组织致密,相对密度最高可达99.9%,维氏硬度随沉积温度升高而升高,最高达6100 MPa。     

镍的金属有机化学气相沉积及相关因素的研究

研究了以碳基镍为沉积源，利用MOCVD技术沉积镍薄膜；讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响，以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来探讨沉积温度及不同沉积基体对薄膜微观形态的影响。结果表明，沉积温度约为150℃可以得到较快的沉积速率，而且薄膜连续具有金属光泽；以铜为沉积基体所得到的薄膜其微观形态中有明显的晶粒，以玻璃为基体得到的薄膜却含有部分非晶态的组织；沉积速率随着反应室工作压力的增加而下降。     

化学刻蚀法调控铝合金阳极氧化膜的表面结构及防腐性能

为了提高铝合金的耐蚀性能,采用化学刻蚀与阳极氧化相结合的方法在铝合金表面构造了微纳结构,经进一步化学修饰后得到耐蚀性能良好的表面防护膜层。利用扫描电子显微镜、红外光谱仪表征所制备膜层的表面形貌和化学成分,采用激光共聚焦显微镜测定样品的表面粗糙度,通过接触角测量仪和电化学工作站对膜层的润湿性和防腐性能进行表征,考察刻蚀时间对于膜层表面结构和耐蚀性能的影响规律。结果表明:当刻蚀时间为3min时,膜层的耐蚀性能最佳:相对于未经刻蚀的样品腐蚀电位正移了0.15V,腐蚀电流下降了两个数量级。且接触角最大(152°),这是由于此条件下制备的薄膜表面微/纳结构最完整、比例最合理。     

化学气相沉积法制备同轴核壳结构CNTs@SiC的电磁特性研究

以Si单质和功能化多壁碳纳米管(CNTs)为原料,采用化学气相沉积法(CVD)制备了CNTs@SiC同轴核壳结构复合吸波剂。CNTs@SiC的一维管状核壳结构有利于提高材料的介电性能和调节阻抗匹配性能,并能有效提高CNTs的初始氧化温度。Si与CNTs质量比是影响此复合材料电磁特性的关键参数,当m(Si) : m(CNTs) = 1:1.5时,复合材料有最好的吸波性能,当其厚度为1.7mm时,反射率小于-10dB所对应的有效带宽达到4.8GHz;当m(Si) : m(CNTs) = 1:2时,材料在X波段有最好的吸波效果,有效带宽达3GHz。所制备的CNTs@SiC复合材料不仅在常温下具有宽频强吸收的特点,其独特的一维管状核壳结构有望使材料在高温环境下仍具有优异的吸波性能。     

化学蚀刻单晶硅及其表面形貌研究

采用酸碱两种不同的化学蚀刻液对单晶硅表面进行蚀刻,通过扫描电镜(SEM)对其形貌进行了表征,考察了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对表面形貌的影响.结果表明,在HNO3 HF溶液中,20℃时用2.81mol/L HF 18.81mol/L HNO3反应5min或2.67mol/L HF 17.85mol/L HNO3反应15min,制得了硅片表面腐蚀坑大小适中、分布均匀的多孔状表面;在KOH水溶液中,50℃时在33%的KOH水溶液中反应10min获得了表面积大、分布均匀的绒状表面.     

等离子体增强化学气相沉积制备的ZnO薄膜研究

鉴于ZnO薄膜材料的多功能性,用等离子体增强化学气相沉积方法在金属Cu和普通玻璃上生长了ZnO薄膜.扫描电子显微镜获得其表面形貌;能谱分析获得其元素种类及相对含量,在能谱图上明显地观察到了Zn峰和O峰的存在,且Cu基上Zn和O原子比接近1∶ 1;X射线光电子能谱分析得出样品中的Zn和O全部以化合态存在而不存在Zn原子和O原子.但Cu基上的ZnO薄膜易吸收空气中的氧和水蒸汽,薄膜质量期望通过生长合适过渡层得到改善.     

Preliminary Study on Electrical and Optical Properties of ZnO Film Grown by MOCVD

1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｎＯｉｓａｗｉｄｅ ｇａｐ ( 3.2ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ)ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｈａｖｉｎｇｔｈｅｗｕｒｔｚｉｔｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗｉｔｈｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ .Ｉｔｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄａｓａｐｒｏｍｉｓ ｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓｉｎｔｈｅｎｅａｒｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ａｎｄｂｌｕｅｓｐｅｃ ｔｒａ .ＡｎｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｆｅａｔｕｒｅｏｆＺｎＯｉｓｉｔｓｌ…     

CVD温度对钽沉积层性能的影响

介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属钽涂层的原理及方法。采用冷壁式化学气相沉积法,在钼基体上沉积出难熔金属钽层。分析研究了CVD温度对沉积层的沉积速率、组织、结构和硬度等的影响。结果表明:在1000～1200℃温度范围,沉积速率随温度升高而增大;当温度超过1200℃时,沉积速率随温度的升高反而略有减小;沉积层组织呈柱状晶并随温度的升高逐渐增大;沉积层的硬度及密度随温度的升高而逐渐降低。化学气相沉积钽的最佳温度在1100℃左右。     

低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

以单质Zn，Se和H2为原料，采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃～750℃，压力为300Pa～1000Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料。性能测试表明，制备出的CVDZnSe多晶材料在0．55μm～22μm，及8μm～14μm波段的平均透过率超过70％(1mm厚)，在3．39μm处的应力双折射为54nm／cm。其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近。     

化学气相沉积难熔金属钼组织性能的研究

介绍了化学气相沉积法制备难熔金属钼膜层的原理和方法。以MoF6和H2为原料,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钼膜层。分析研究了沉积层的组织、结构和硬度。实验结果表明：沉积膜层显微组织随沉积温度变化而不同,沉积温度较低时沉积层显微组织为细晶层状结构,沉积层硬度可达677HV;沉积温度较高时沉积层显微组织为致密的柱状晶,硬度稍高于一般烧结钼。     

热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究

采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。实验结果显示：采用该工艺制备GaN晶体膜时，选择H2作反应气体兼载体，对GaN膜的形成起着非常有利的作用。     

基体表面粗糙度对激光沉积不锈钢形貌、组织及性能的影响

目的研究基体待沉积表面粗糙度的变化对激光沉积之后沉积层质量(宏观形貌、微观组织和力学性能)的影响,从而获得形貌、组织及性能优良的沉积层。方法采用316L不锈钢粉末,在不同表面粗糙度状态下P20钢基体表面分别进行单道单层、薄壁、多道搭接及块体沉积实验,获得测试分析所需沉积层,基于OM、SEM以及拉伸试验对沉积层组织性能进行分析。结果单道单层时,相对于铣削基体表面沉积层,喷砂基体表面沉积层的熔高、熔深增加幅度达到了100%,而熔宽增加较平缓;单道薄壁时,在前5层的沉积中,喷砂基体表面沉积高度增长达到2.5mm,铣削表面沉积高度仅为前者一半,喷砂基体上沉积层内部孔隙率仅为铣削基体的31%;多道搭接时,随着粗糙度的增大,沉积层截面纵向尺寸H的内部增长范围持续变大,而横向尺寸L范围保持稳定。喷砂基体表面沉积层的σ_b为540.93 MPa,而铣削基体上的σ_b为523.12 MPa。结论随着基体表面粗糙度的增加,沉积过程中陷光效应相应增强,单道单层沉积层的宏观形貌尺寸随之增大。对于薄壁沉积,基体粗糙度对薄壁高度的影响主要集中在前5层,粗糙度的增大使得沉积高度生长加快,内部孔隙率减小。多道搭接时,粗糙度越大,熔高熔深方向的尺寸变化越大,沉积层内部枝晶更加粗大,且不均匀。沉积层内部的抗拉强度随粗糙度的增大而提升。     

纯钛TA1化学气相沉积表面改性层的耐磨性能研究

为提高TA1表面的耐磨性能,在TA1表面采用化学气相沉积(CVD)表面处理.用X射线衍射的方法测定了改性层的物相,使用显微硬度计测定了改性层和基体的硬度,在往复式滑动磨损试验机上进行磨损试验,通过扫描电子显微镜分析磨痕形貌.结果表明,TA1经过CVD处理,表面由α-Ti、Ti2N及TiN组成,显微硬度为989hV0.025.干摩擦条件下,经化学气相沉积处理的TA1材料的表面改性层的耐磨性得到了明显提高.     

MOCVD生长GaN力学性能研究

采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明，薄膜以二维模式均匀生长，表面平整，硬度达22．1MPa，弹性模量为299．5GPa，与衬底结合紧密，临界载荷达1．6N，与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0．13，与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。