异质结PbSnTe探测器

本文讨论用液相外延制作PbSnTe材料。所制成的材料具有适用的载流子浓度和高迁移率。用这种材料制成的器件可具有高D~*或宽频带宽度。更重要的是,这种生长技术使得元件之间的一致性比较好,这对系统工程师来说是个重要特点。     

8～12μm阵列PbTe/PbSnTe异质结光伏探测器

本文介绍单片式8～12μm 4×4(16元)PbTe/PbSnTe异质结光伏探测器制造工艺中几个主要问题,报导器件性能及其在串-并扫实时红外热象仪(红外前视)中的应用。     

PbTe/PbSnTe红外探测器表面抗反射镀层

光从一种介质传到另一种介质,在界面上产生反射、使透射光能量减弱,而反射率R的大小与界面两边介质的折射率n_0 及n_2有关。两种介质的折射系数越相近,透射能力越强。对Pb_(1-x)Sn_xTe红外探测器,红外辐射能量是从真空传到PbTe光敏面上,真空n_0=1,而PbTe的n_2=5.5(或6.0),n_0与n_2相差较大,所以辐射能的反射损失很大,器件的量子效率η就不会大。为减小红外辐射能的反射损失,需     

PbSnTe异质结激光器

已用低温淀积技术把n型PbTe薄膜成条状淀 积在p型PbSnTe基片上,制成单异质结激光器。美国马萨诸塞理工学院林肯实验室的沃尔波尔(Walpole)等人研制的这种二极管具有低阈值电流密度,并能在远低于同质结激光器的脉冲电流密度下运转。当冷却至4.2 °K时,以45安培/厘米2的很低阈值在10.6微米处获得激光发射;当冷却到77 °Κ时,以780安培/厘米2的阈值在8.9微米处获得激光发射。这些阈值比同质结激光器低三倍。在65 °Κ时,获得连续波运转,采用较好的散热设备,估计在77 °Κ时即可获得连续波运转。     

PbTe/PbSnTe红外探测器的ZnS抗反射镀层的制备和研究

本文报道了在PbTe/PbSnTe异质结红外探测器上ZnS抗反射层的制备和研究,做了下列试验和实验:ZnS的抗水性能;在PbSnTe晶体材料上和在器件上的ZnS镀层的抗反射性能。对某些器件还做了稳定性试验。所有的实验结果都很好。镀制ZnS后的器件性能平均提高45%,而且性能长期稳定。D~*(λP)=2.83×10~(10)Cm·Hz 1/2W~(-1)。     

长波PbSnTe/PbTe背面光照异质结构镶嵌阵列

用液相外延技术生长的外延层制备了Pb_(0.76)Sn_(0.24)Te/PbTe背面光照异质结构镶嵌阵列。在85K时,这些二极管的光谱峰值发生在13微米,截止波长在14.2微米。该响应波长被认为是迄今所报导的在接近液氮温度下PbSnTe红外探测器的最长响应波长之一。光谱截止波长,正如所预期的那样,在温度降低时即移向长波,在30K时达到最大值,然而,低于该温度时,光谱响应又重行缩短。这种特性可用禁带宽度、费密能级、光学跃迁的热展宽对温度的关系来说明。     

异质结红外探测器的响应时间

本文叙述和讨论了PbS-GaAs带通红外探测器对30毫微秒光脉冲的响应。因为二极管是用十分简单的方法制得,观察到的上升时间(25毫微秒)较之成熟器件的响应时间短得多。     

PbTe高频溅射红外探测器

用高频氧反应溅射PbTe薄膜已制成高质量红外探测器。在90°K的工作温度下,这些器件接近于300°K背景噪声限光导探测性能。在视场为2π球面度时获得的峰值响应率高于10~6伏/瓦,峰值探测度D_λ~*为8.5×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦。     

PbTe中红外光伏探测器

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe( 111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2 O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5 μm,实验测量的探测率为2×1010 cm·Hz1/2W-...     

改善PbTe/PbSnTe液相外延表面质量的研究

异质液相外延材料表面的平整光亮取决于异质界面的平整光亮。N-PbTe/P-PbSnTe双层异质外延中.P-Pb_(1-x)Sn_xTe是关键。为获得X=0.2结构完整性好而表面质量高的薄膜,我们采用两相溶液法,以Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te单晶片做衬底,来液相外延P-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te。通过俄歇能谱曲线和电子探针,测量表面上的夹裹物和沉淀物,证明是无碲的过剩铅和锡。我们     

AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器

采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围。红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的。对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试。测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5μm,响应度49 mA/W。     

改善PbTe/PbSnTe液相外延表面质量的研究

前言研制多元红外探测器,对液相外延薄膜要解决大面积表面平整光亮的问题,取决于异质界面的平整光亮。n-PbTe/p-PbSnTe双层异质外延中,p-Pb_(1-x)Sn_xTe是液相异质结外延的关键。为获得Pb_(1-x)Sn_xTe的x=0.2,即响应波段是8～14μm,结构完整性好而表面又平整光亮,夹裹物、沉淀物少的高质量的薄膜,采用了两相溶液法,外延生长p-Pb_(1-x)Sn_xTe。通过俄歇能谱扫描曲线和电子探计对其表面上的夹裹物和沉淀物的分析,证明是无碲的过剩铅     

AlGaN/GaN异质结紫外探测器

采用P-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱.对于Al分为0.1的器件,在零偏压处出现了极低的暗电流密度,表明器件具有非常高的信噪比.高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明,高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差,导致暗电流增大,而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段.     

AlGaN/GaN异质结紫外探测器

采用p-AlxGa1-xN/i-GaN/n- GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器，并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱。对于Al组分为0.1的器件，在零偏压处出现了极低的暗电流密度，表明器件具有非常高的信噪比。高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明，高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差，导致暗电流增大，而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段。     

PbTe／PbSnTe液相外延溶液

为了研究多元红外探测器响应波长均匀性,用PbTe/PbSnTe液相外延单相溶液进行了实验。本文论述了单相溶液的配比、结晶温度的测定、外延温度曲线、外延Pb_(1-x)Sn_xTe薄膜和溶液的分析以及用该溶液制备的PbTe/PbSnTe异质光伏16元红外探测器的性能。     

杂质扩散法制PbSnTe红外探测器的光谱响应特性

本文研究了在用布里兹曼法生长的p型Pb(1-x)Sn_xTe里,用闭管法扩散Pb或Sb所制成的台面光电二极管的光谱响应特性,并研究了光谱响应和扩散条件的关系,从而利用扩散来控制光谱响应特性。     

GeSi／Si异质结红外探测器结构参数设计

文章对分子束外延的GeSi／Si异质结红外探测器关键参数进行了分析研究,采用经典理论对器件结构参数进行了计算,结果与实验数据吻合。     

近红外用异质结探测器

介绍一种n-Si-p-PbS异质结光伏探测器。这种器件工作在室温下,波长为0.6～3微米。文中示出大小两种工作面积的探测器的参数,它们相应用于短路电流和光电动势范围内。