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Christophe BASSO 《电子设计应用》2005,(9):119-120
设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下,比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSFET,芯片尺寸就会较大,从而输入电容也较大。也就是说,导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗 相似文献
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提出一种新型的零电压零电流谐振极型软开关逆变器,可以在主功率器件开通和关断时,同时实现零电压和零电流,因此对于内部电容不能忽略的器件,可减小容性开通损耗,当IGBT作为主功率器件时,也可减小拖尾电流引起的损耗。主功率器件真正做到了无损耗换相。此外,续流二极管的反向恢复损耗被降低到最小,辅助开关也实现了零电流开关。对其工作原理进行分析,给出不同工作模式下的等效电路图。通过仿真结果验证该软开关逆变器的有效性。 相似文献
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本文介绍一种把脉宽调制技术与零电压准谐振变换技术相结合的新型软开关电路,对电路进行了分析、给出设计原则以及计算机仿真结果。 相似文献
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对于移相全桥零电压开关PWM变换器,在全负载范围内实现所有开关器件零电压开关和减少占空比丢失之间是矛盾的。如果在电路中增加一个辅助电路,根据负载情况在续流期间为滞后桥臂的零电压开关提供能量,能在全负载范围内实现所有开关器件的零电压开关和减少占空比丢失,但电路中存在严重的环流问题。文中提出新的拓扑结构通过增加一个双向开关和相应的驱动电路,有效地减少了环流带来的损耗。实例分析和仿真验证了这种拓扑的优点。 相似文献
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随着现代电网的不断发展,电网系统中的非线性负荷等数量不断增加,谐波问题成为影响电网电能传输质量的关键因素,本文对谐波条件下,影响电容式电压互感器测量的因素进行了分析研究,希望可以对在谐波条件下电容式电压互感器测量技术的发展有所帮助. 相似文献
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可携式小尺寸TFT液晶显示驱动单芯片应用点反转技术,可有效解决面板常有的闪烁和串音现象。并可减少模块软板外部组件的个数。矽创ST7735R是分辨率为QQVGA的液晶驱动单芯片,提供零闪烁、零串音,并仅需二颗外部组件之低成本解决方案;外部组件个数的减少除提供模块制造生产厂商更低的生产成本之外,还可使印制板设计更为精简,带给产品机构设计者更宽广的设计空间。 相似文献
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针对传统桥式整流Boost功率因数校正电路中MOSFET场效应管工作在高频率下损耗过高这个问题设计了一种拓扑结构,通过PWM控制器UC3854的模拟调制将输入交流电转换为直流高压,采用额外添加优化结构的辅助回路的方法,使其在功率开关管导通关断过程中利用储能元件谐振的原理实现零电压操作.使用仿真软件SIMEtrix对电路... 相似文献
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Analysis and Optimum Design of Differential Inductors Using Distributed Capacitance Model 总被引:1,自引:1,他引:0
A distributed capacitance model for monolithic inductors is developed to predict the equivalently parasitical capacitances of the inductor.The ratio of the self-resonant frequency (fSR) of the differential-driven symmetric inductor to the fSR of the single-ended driven inductor is firstly predicted and explained.Compared with a single-ended configuration,experimental data demonstrate that the differential inductor offers a 127% greater maximum quality factor and a broader range of operating frequencies.Two differential inductors with low parasitical capacitance are developed and validated. 相似文献
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Bor-Ren Lin Chien-Lan Huang Jin-Fa Wan 《Industrial Electronics, IEEE Transactions on》2008,55(4):1586-1594
A soft-switching converter is presented in this paper to achieve a zero-voltage-switching (ZVS) turn on for all switches. Two half-bridge converters with asymmetric pulsewidth-modulation scheme are connected in parallel to control the output voltage at the desired value and achieve load-current sharing. Based on the output capacitance of power switches and the resonant inductance, including the external inductance and the transformer leakage inductance, the resonance can be achieved at the transition interval of power switches. Therefore, the ZVS turn on of power switches can be realized. The peak voltage of the power switches is limited to input dc voltage. The center-tapped rectifier is adopted at the transformer secondary side to achieve a full-wave rectification. Operation principles, steady-state analysis, and design equations of the proposed converter are discussed in detail. Finally, experimental results based on a 240-W prototype are provided to verify the performance and the feasibility of the proposed converter. 相似文献
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随着光电传感技术的快速发展,对于红外干扰技术的要求也越来越高,常规系统已经无法满足能量高度集中、隐蔽性好的新要求.基于此原因,提出了一种离轴双反射式激光干扰扩束系统的设计方案,并对系统主要部件包括离轴双反射式镜组、平面反射镜及固定支撑结构进行了详细的设计与分析.为了缩小系统尺寸,采用了一种新的平面反射镜支撑结构;为减小镜面变形,离轴双反射式镜组及平面反射镜均采用微应力固定设计.仿真实验结果显示,系统一阶固有频率为45.68 Hz,其固定支撑结构应力远小于材料屈服强度.测试结果表明,系统的两轴一致性误差小于等于0.3 mrad,并可以实现1:12.01的扩束比,满足设计指标要求. 相似文献
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本文介绍了一种采用1 μm CMOS工艺实现的可编程声表面波滤波器的八位取样、加权、控制、叠加集成电路,并对电路的性能进行了模拟和测试,同时与延迟线型、多组IDT型的声表面波滤波器以多芯片模式进行在线功能测试.该电路由两个三明治电容和两个高宽长比的高跨导NMOS晶体管组成.该电路结构简单,制造工艺与传统的CMOS工艺兼容.该集成电路的工作频率范围为15MHz~250MHz时,插入损耗为-8dB~-20dB,加权电路开关比(on/off ratio)为7dB~18dB左右. 相似文献
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在FPGA芯片内部产生一个占空比可调的方波发生器,通过内置SOPC对占空比进行控制。输出两路方波波形通过低通滤波器,得到幅度可控的直流信号用于控制示波器上X轴和Y轴的位置。预设小球轨迹从而对小球的抛射轨迹进行设计。 相似文献
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赖淋香 《电子产品可靠性与环境试验》2014,(4):54-58
根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。 相似文献
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研制了一种高电容率的电容式RF-MEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在down-state时,上电极能与介质膜紧密接触,而在up-state时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关. 相似文献