位置灵敏半导体探测器的测试原理和方法

本文介绍位置灵敏半导体探测器的测试原理以及不用脉冲除法器而用核物理实验室常规仪器测定位置灵敏半导体探测器性能的实验装置和方法。     

新型半导体探测器发展和应用

新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器．目前可做到好于1．4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。     

室温半导体探测器的发展和应用

重点阐述了室温半导体核辐射探测器的发展和现状,详细讨论了常见化合物半导体探测器材料的性能指标、应用范围和进展情况,简单介绍了新型Si半导体探测器的进展情况。旨在为读者选择、使用室温半导体探测器提供参考。     

半导体探测器个人剂量计及其性能测试

本文报道了用个人剂量监测的半导体探测器个人剂量计及其性能测试。结果表明：该半导体个人剂量计的能量响应值,在光子能量５０ｋｅＶ－１．３ＭｅＶ范围内,实验值与约定真值之差不大于±２５％,剂量率测量范围为１μＳｖ／ｈ－１Ｓｖ／ｈ。     

氮化硼半导体中子探测器制备及测试

<正>基于硼半导体的固体中子探测器结构紧凑、探测效率高,具有较强的吸引力。氮化硼(BN)晶体是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度为6.1～6.4eV,属于间接带隙,通过掺杂可得到P型和N型的半导体材料。氮化硼材料具有立方氮化硼(cBN)、六方氮化硼(hBN)、三方氮化硼(rBN)、纤维锌矿结构氮化硼(wBN)4种晶体结构,其中cBN和hBN因其禁带宽度大、物化性质和半导体     

碲锌镉半导体探测器漏电流和结电容的测试

为进一步研究碲锌镉半导体探测器(简称CZT探测器)的特性,搭建了其漏电流和结电容等主要特性参数的测试平台,设计了测试方案,并在不同条件下测试了两种不同结构的探测器,分析了测试结果。通过本次实验,可较好地掌握CZT探测器的主要特性,从而为其在射线探测领域的应用提供参考依据。     

高阻硅和化合物半导体探测器的研制和应用

叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及探测器在制备中所必须解决的几个关键技术。对高阻硅探测器来说,必须提高对能量为28.5kev的~(125)IX射线的计数率(探测效率),为此采用了圆锥型台面结构,这一方面可以适当增加探测器样品的厚度,另一方面在相同工作电压下可提高探测器对电荷的收集电场。对GaAs探测器来说,必须提高探测器的电荷收集性能,为此采用了样品的减薄技术和制备欧姆接触的热处理技术。使GaAs探     

化合物半导体探测器

根据半导体核辐射探测器对材料的要求,在z>30,E_g在1.3—2.6eV间的二元化合物半导体中,HgI_2、CdTe和CdSe可能是三种最好的材料,讨论了用这三种材料制成的探测器性能。介绍了我国核探测器用化合物半导体的研制情况。     

常温半导体探测器的近况及应用

本文概述了最近几年常温半导体探测器的发展情况。介绍了HgI_2、CdTe、CdSe和纯化离子注入型Si半导体探测器的性能。如这些新型的探测器投入应用将使核辐射检测仪表有更大的发展。本文又对利用法国施卢姆贝格公司的纯化离子注入型硅面结探测器进行浓度测量的研究作了介绍。     

一种新型半导体探测器的应用

介绍了一种测量X射线的Si-PIN电制冷半导体探测器,以及它在X射线谱分析中的应用。由于该探测器采用了电制冷方法,从而摆脱了传统的Si(Li)探测器在使用和保存时必须定期向其添加液氮的麻烦。     

半导体探测器及其在空间科学中的应用

阐述了空间辐射环境监测的意义,描述了由半导体探测器组成的望远镜系统在空间科学中的应用,并给出了已成功应用在卫星上进行地球辐射带的辐射环境监测的部分结果。     

半导体射线探测器简介

一、发展过程最初(约1930年)研究核射线在晶体上作用,表明射线的存在引起导电现象。但是,由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料,很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期,气体探测器(象电离室、正比计数器、盖革计数器)广泛地发展起来。 1945年,范·希尔顿首先较实际地讨论了“传导计数器”(Conductjon counter)。在晶体上沉积两个电极,构成一种固体电离室。为分离入射粒子产生的载流子,须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范·希尔顿和霍夫     

碘化汞核辐射半导体探测器

由于硅(锂)和锗(锂)探测器都需要在液氮温度下保存和工作,因此人们集中发展了原子序数高的、能在室温下工作的半导体探测器。现在主要研究的室温半导体化合物探测器有砷化镓、碲化镉和碘化汞。HgI_2是七十年代发展起来的一种新型室温核辐射探测器。由于它具有很高的原子序数和较大的禁带宽度,因而它的光电吸收截面大、探测效率高、能在常温下工作,体积小,使用方便。它可探测的能量范围较大,但更适合于探测能量在几个keV至150keV的X射线和γ射线。在医学生物学、放射性监测、野外探矿、能谱分析等方面有     

半导体探测器噪声的测量

一、引言半导体探测器是近几年内迅速发展起来的新型探测元件。与其他探测元件相比,它具有很多的优点。主要优点之一,是有良好的能量分辨率。但是,器件给出的讯号幅值较小,在它本身的噪声的干扰下,能量分辨率变坏。为了能够充分发挥器件固有的高能量分辨率这一优点,所以要对探测器的噪声进行研究。半导体探测器最为重要的电性能是结电容与漏电流。结电容降低了讯号的幅值,漏电流会发生起伏,从而引起了噪声。由漏电流起伏所引起的噪声包括:由体漏电流的起伏所引起的散粒噪声和两种由频率倒数所表征的闪烁噪声。一种闪烁噪声是由探测器表面的复合中心     

高阻硅和化合物半导体探测器的研制和应用(英文)

叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及探测器在制备中所必须解决的几个关键技术。对高阻硅探测器来说,必须提高对能量为28.5keV的~(125)IX射线的计数率(探测效率),为此采用了圆锥型台面结构,这一方面可以适当增加探测器样品的厚度,另一方面在相同工作电压下可提高探测器对电荷的收集电场。对GaAs探测器来说,必须提高探测器的电荷收集性能,为此采用了样品的减薄技术和制备欧姆接触的热处理技术。使GaAs探测器在加上适中的反向偏压后,可得到一全耗尽的探测器,并可得到较低的正向导通电压和一较薄的弱场区。解决了这几个技术关键后,探测器对28.5keV的~(125)IX射线的能谱响应和计数特性均有了明显的提高,在相同测试条件和本底计数的情况下,探测效率提高了三到五倍。     

微结构半导体中子探测器研制

微结构半导体中子探测器具备探测效率高、响应时间快、体积小等优点,性能相对传统平面型半导体中子探测器有本质提升。采用蒙卡方法分析了器件微结构参数对沟槽型微结构探测器的性能影响规律,并结合工艺条件制备出沟槽宽度26μm,沟槽间距13μm,沟槽深度22μm,灵敏区面积1.8×1.8 cm~2的微结构探测器。该探测器在10 V的反向偏压下,漏电流仅1.24×10~(-7)A/cm~2,优于国外研究组报道的漏电流特性。利用同位素α源开展了带电粒子探测性能测试,所制备微结构探测器可实现241Am源α粒子探测。在外加0 V偏压时,微结构探测器即可获得与电子学噪声区分明显的241Am源α粒子能谱。本工作证明了微结构探测器对带电粒子具有良好的探测性能。     

碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术，讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温玻地＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和＾２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶＡ射线的能量分辨率分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。     

微结构半导体中子探测器研究进展

微结构半导体中子探测器(MSND)除了具有体积小、时间响应快、工作偏压低以及易于与读出电子学系统集成等优点外,还解决了二维平面半导体中子探测器存在的探测效率极低的问题(5%),其在军用和民用领域都具有良好的发展前景。介绍了微结构半导体中子探测器的中子探测原理,简述了其发展概况,综述了近年来的研究进展,展望了微结构半导体中子探测器的研究方向和应用前景。