PCVD方法沉积TiN的放电光谱研究

运用发射光谱对等离子体化学气相淀积(PCVD)在钢基片上淀积TiN的研究表明:放电气氛中存在多种类型的粒子,涂层的生长率直接依赖于Ti~+的浓度;而气相TiN的出现将导致产生鳞片状、疏松的涂层,降低TiN涂层的硬度。     

等离子体沉积TiN涂层的组织特性

本文研究了将ＴｉＣｌ４，Ｎ２，Ｈ２混合气体在钢和玻璃等基体表面进行等离子体辅助化学气相沉积的ＴｉＮ涂层。结果表明：ＴｉＮ涂层的密度和晶性受射频放电功率密度的影响；且Ｘ射线衍射显示，随着射频放电功率密度的增加耐增强薄膜的（２００）取向；用扫描电镜观察薄膜显示此时的ＴｉＮ薄膜的粒状组织更加致密。随着射频放电功率密度的增加，涂层显示微硬度增加到最大值后下降，这种影响可归结于薄膜中氮化物含量；当氯化物含量     

辅助加热PCVD—TiN薄膜的性能及结构分析

研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中ＴｉＣｌ４薄膜内的氯含本不变。     

铝型材挤压模具等离子体化学气相沉积TiN工艺的试验研究

用ＨＬＤ－５００型镀膜机对４Ｃｒ５ＭｏＶＩＳｉ钢制的铝型材挤压模具进行了等离子体化学气相沉积工敢的试验研究，结果表明，窄缝工作带获得了理想的ＴｉＮ涂层，显著提高了模具的表面硬度，耐磨性，抗粘着性和耐腐蚀性，可使模具寿命有较大幅度地提高。     

低温化学气相沉积TiN及其应用

本文主要介绍一种化学气相沉积氮化钛涂层的新方法，该涂层是采用亚氯化钛和氨在低压和４５０℃－６５０℃的条件下获得的，在沉积室中反应形成的。此法获得的ＴｉＮ涂层有良好的表面结合力以及抗蚀和耐腐性能，文中除对其工序与涂层性能予以介绍外还着热处重说明它在塑料工业模具听应用。     

脉冲PCVD沉积TiN膜的若干特点

国内采用脉冲电源进行PCVD沉积TiN膜，尚未见报道。本文主要介绍脉冲PCVD沉积TiN膜的若干特点，并与直流PCVD作了比较。试验表明脉冲PCVD能降低TiN的沉积温度．细化晶粒．减小膜层中的氯含量，改善成膜质量，与直流PCVD相比．能进一步提高工模具寿命。     

PCVD TiN膜的界面制备及性能

用ＴｉＣｌ４作为反应气体制备ＰＣＶＤ ＴｉＮ镀层,对降低界面的氯含量,改善ＰＣＶＤＴｉＮ镀层的界面性能进行了研究。在镀层制备过程中增加了界面制备过程,即采用氩离子轰击以及氢的反应使界面的氯含量降低,膜基界面得到改善。结果表明,与常规ＰＣＶＤ制备的ＴｉＮ镀层相比,膜层的结合强度有大幅度的提高,耐磨性和耐蚀性均有改善,特别是其耐蚀性达到甚至超过奥氏体不锈钢的水平。     

脉冲PCVD沉积TiN膜的若干特点

国内采用脉冲电源进行PCVD沉积TiN膜，尚米见报道。本文主要介绍脉冲PCVD沉积TiN膜的若干特点，并与直流PCVD作了比较。试验表明脉冲PCVD能降低TiN的沉积温度，细化晶粒，减小膜层中的氯含量，改善成膜质量，与直流PCVD相比，能进一步提高工模具寿命。     

直流PCVD法沉积TiN超硬膜工艺中的几个问题

本文讨论了直流PCVD法沉积TiN工艺中温度控制、色泽控制等问题，提出了预防工件过热、确保涂层色泽的工艺措施，还提出了涂层黑斑的成因及消除方法。     

脉冲电压幅值对等离子体化学气相沉积TiN薄膜膜基结合行为的影响

用工业型脉冲等离子体化学（ＰＣＶＤ）设备。在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜,用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响,结果表明：随脉冲电压在５５０－７５０Ｖ之间逐渐增大,ＴｉＮ晶粒增大,膜层脆性增加,沉积速率提高。但膜层结合力下降：在６５０Ｖ以下膜基界面有一伪扩散层出现,通过６５０Ｖ后伪散层消失,这是改善膜基结合行为的关键因     

铝型材挤压模具PCVD TiN必要条件研究

针对铝型材挤压模具，通过理论分析和实验验证，表明并不是所有尺寸的模具均能实现离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ），而是当工作带宽度与阴极放电长度满足一定关系时，才能有效地实现沉积，文中给出了这个必要条件。     

直流PCVD法沉积TiN超硬膜工艺中的几个问题

本文讨论了直流PCVD法沉积TiN工艺中温度控制、色泽控制等问题,提出了预防工件过热、确保涂层色泽的工艺措施,还提出了涂层黑斑的成因及消除方法。     

化学气相沉积TiN薄膜组织性能研究

研究了用化学相沉积方法在钢基体表面形成TiN薄膜的组织和性能结果表明，由于钢中的铁和碳向膜层中扩散，膜层的组织中存在有少量的α—Fe，而且薄膜的硬度与钢的含碳量有不可忽视的关系。     

加Si提高PCVD TiN基镀层的耐蚀性和力学性能

在直流PCVD TiN镀膜过程中，加入Si形成(Ti，Si)N镀层，用SiH4作为气源，代替一部分金属卤化物，可降低镀层中的氯含量。含16%Si的(Ti，Si)N比二元TiN镀层有较高的硬度.用划痕法和对滚法评定了二者的结合强度。三元镀层在界面上用TiN作底层，则TiN和(Ti，Si)N的界面疲劳强度是相同的。(Ti，Si)N比TiN在高温下有较高的抗氧化性能。用电化学腐蚀方法测定在3．5%NaCl溶液中的耐腐蚀性表明，(Ti，Si)N镀层优于TiN。     

用DC—PCVD装置对钢沉积Si3N4薄膜

控制工艺参数，用直流等离子化学气相沉积（ＤＣ－ＰＣＶＤ）装置，对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Ｓｉ３Ｎ４非晶态薄膜。并研究了薄膜的成分、结构、形貌及硬度。     

氮气氛下电火花沉积TiN层的形成机理及微观特征

以工业纯钛TA2为电极,用N2作为反应及保护气体,采用电火花沉积方法,在45钢基体表面制备出了含TiN的硬质沉积层.采用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射等分析检测方法,对沉积层形成机理、微观结构及界面行为进行研究,并测试了沉积层的显微硬度分布.结果表明,电火花氮化沉积层与基体形成良好的冶金结合,沉积层主要由TiN相组成,组织致密、均匀、较连续,厚度为30～40 μm,显微硬度最高达1 515 HV,是基体硬度的5倍以上,可以有效地改善基体的表面性能.     

离子束辅助磁控溅射沉积TiN薄膜的研究

利用三离子束辅助沉积设备，以离子束辅助沉积、磁控溅射和离子束辅助磁控溅射几种工艺在GCr15基体上沉积TiN薄膜。实验结果表明：离子束辅助磁控溅射有效地提高了薄膜的硬度、耐磨性和耐蚀性，改善了膜基结合力。