高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米

在今年的SPIE Microlithography年会上,与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是,尽管有人心存疑虑,但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术,普遍的问题是如何妥善地解决图形套     

清除浸没式光刻缺陷

来自台积电(TSMC)的工程师们已经找到通过比较光学显微镜图像和扫描电子显微镜(SEM)图像来跟踪缺陷来源的方法．从而成功地将浸没式曝光的300mm硅片上的平均缺陷数目从19．7减少到4．8个微粒／硅片。包括TSMC的Lin-     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战：偏振效应

浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸，在高折射率液体，光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率，超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行，由此而产生的光学偏振问题会日益突出，现在光刻领域的专家已经开始着手解决这个问题。     

ArF浸没式光刻在55nm逻辑器件制造中的优势

通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同干法光刻技术比较起来改善了关键尺寸一致性(CDU)又避开了必需而强硬的分辨率提高技术(RET)。因此利用浸没式光刻技术能够有效地减少光学邻近校正(OPC)的麻烦。就成像技术而言,我们研究了光刻技术对畸变的敏感性和浸没式光刻技术光源光谱带宽对强光相对曝光量对数E95波动性能的优势。去年已经见证了被认为对浸没光刻技术在批量生产中主要难题的套刻精度、缺陷控制和焦平面精度方面有效的改进。如今55nm逻辑器件的生产制造技术要求的挑战已经得到了满足。浸没光刻技术的成就包括抗蚀剂圆片内10nm套刻精度和圆片间20nm的套刻精度,每一圆片上低于10个缺陷以及在整个圆片上40nm以内的焦平面误差。我们形成了一个顶涂层抗蚀剂工艺。总之,浸没光刻技术是55nm节点逻辑器件最有希望的制造生产技术,它可提供与干法ArF光刻技术在CDU控制、套刻性能和焦平面精度方面等效的解决方案,缺陷程度没有增加。NEC电子公司今年采用浸没光刻技术完成了55nm逻辑器件"UX7LS"的开发和试生产并形成这种UX7LS的批量生产光刻技术。     

浸没式光刻照明系统的照明模式变换器

研究了NA1.35浸没式光刻照明系统中照明模式变换模块的设计和测试。采用衍射光学元件实现包括传统照明、二极照明、四极照明的照明模式变换系统的设计和分析。给出了不同照明模式的衍射光学元件的设计结果,并对设计结果进行了模拟分析和实验分析,证明了设计的可行性。研究结果表明:当输入光场被分割的阵列数为2020单元时,二极和四极照明模式下衍射元件台阶数为32,传统照明模式下台阶数为128的情况下,衍射光学元件作为照明模式变换器的均匀性及衍射效率都能够满足设计要求。从原理、实验上验证衍射光学元件激光模式变换器设计的正确性及可行性。研究结果能够应用于浸没式光刻照明系统中照明模式变换结构中,具有一定的理论价值和工程意义。     

监测基于浸没式光刻的晶圆边缘缺陷

与浸没液、光刻胶和顶部涂层的相互作用,以及边缘水珠去除工艺有关的缺陷都会影响到工艺成品率。自动边缘检查揭示出几种浸没式光刻所特有的缺陷模式。     

分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大。而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小。因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移。