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平板显示器驱动芯片高低电压转换电路 总被引:6,自引:3,他引:6
LCD、PDP、VFD等各类平板显示器已越来越受到人们关注与喜爱,但大多数平板显示器需要专用的功率驱动芯片来驱动其发光显示,各类专用功率驱动芯片又离不开高低电压转换电路,高低电压转换电路性能的好坏直接影响到驱动芯片的稳定性和功耗等。通过比较平板显示器驱动芯片的几种典型高低压转换电路,设计出一种带有电流源的CMOS型高低压转换电路,它具有最佳的性能指标,该电路不但可以为平板显示器驱动芯片使用,还可以作为其他各类驱动芯片的高低压转换模块使用,最后给出一种具体的平板显示驱动芯片高压CMOS器件结构。 相似文献
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目前,已经研制出一种电压增益为10分贝,功耗为3毫瓦的800兆赫放大器。晶体管的寄生结电容是限制带宽的主要因素,特别是对于低功耗放大器而言,更是如此。在低功耗放大器(这种放大器使用了高速双极型晶体管,如SST—1A超自对准技术晶体管)中,除输入结的极点外,输出结的极点可能起主要作用。设计了一种新型的寄生电容补偿技术来扩展这种放大器的带宽。这种技术可补偿输入结点和输出结点的两种电容,并可提高带宽和增益—带宽乘积特性。测量数据表明,这种补偿技术扩展带宽大约是普通差分放大器的二倍。另外,电路模拟预示,这种补偿技术扩展的带宽大约比普通峰化技术扩展的带宽多40%。利用样品晶体管的寄生结电容作补偿电容,获得了稳定的频率响应而没有任何过度峰化或振荡问题。 相似文献
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本文提出了一种64×4扫描型红外焦平面读出电路。电路采用0.5μm标准CMOS工艺。工作电压为5V。本设计在列读出级采用了降低寄生电容影响的设计,以降低电路输出相对无寄生电容设计输出值的偏差,提高各通道的一致性。在对具有4级TDI、微扫描步长为探测器中心间距1/3的读出电路列暂存级进行的仿真中,相对于改进前的普通电路结构,本文提出的新型电路结构与设计理想值之间的偏差降为原来的10%。 相似文献
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小间距发光二极管(LED)显示屏凭借其画面清晰细腻、色彩自然真实、流畅无闪烁等优点,得到广泛应用。为解决小间距LED显示屏因寄生电容影响而产生的开路十字架问题,采用在模拟电路部分判断开路状态并产生开路信号,在数字部分根据开路信号记录开路位置并屏蔽输出的方式,设计了一种新的检测过程简单、精确度高、面积小、功耗低、支持实时检测的电路,并在某款多路恒流LED驱动芯片中得到应用,成功解决了开路十字架问题。仿真结果和实际样片测试结果表明,所设计的开路检测电路检测精确简单、功耗低,并支持实时检测。 相似文献
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文章介绍了高压串并转换器芯片HV530 8的基本特性和工作原理 ,以及其在新型场助热电子发射显示器驱动电路中的应用。 相似文献
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文章叙述了ACF(Anisotropic Conductive Film,各向异性导电膜)与驱动IC(Integrated Circuit,集成电路)芯片封装的历史,并强调了驱动IC封装在实现显示器微型化、高分辨率、低成本及高显示质量等方面的重要性。文章还对微细间距COF(Chip on Flex)连接用ACF的材料设计进行了介绍。文章指出低温固化ACF可以改善LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示屏)模块的生产效率,降低大型LCD模块表面的热应力;同时指出COG(Chip on Glass)连接后LCD面板的翘曲变形引起LCD模块漏光事故。ACF焊接温度的降低可以有效减少翘曲变形,避免在应用COG封装大型LCD模块的驱动IC时所产生漏光。 相似文献
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This study is about the field failure and mechanism of Chip on Film (COF) based Line Driver IC (LDI) for FPD. Due to LDI failure, there is vertical line defect on Flat Panel Display (FPD). Contamination is detected in bumps of LDI which is packaged by Resin. Chemical and physical method has applied for analyzing the elements and the isolation of contamination. The first detected contamination type is Gold (Au). The second contamination type is the mixed material of metal particle and organic material like Aluminum (Al), Iron (Fe), Chrome (Cr). It is found that all contamination is getting in during the Inner Layer Bonding (ILB) process. In case of Au contamination, remained Au particle is getting into the surface of collet (Rubber) which is used for Chip pick-up with collet particle. Fe, Cr, Al contamination is floating dust inside of the equipment and getting into with all kinds of dust. Dust inside is getting energy from temperature, moisture, Bias, catalyst. As a result, each contamination could cause short in bumps in LDI due to Au migration and by changing the characteristic from high resistor to low resistor. 相似文献
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PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计 总被引:2,自引:0,他引:2
设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作 相似文献
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