InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806－809nm。     

影响量子阱激光器热特性的主要因素

本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素,包括:(1)俄歇复合几率的大小;(2)有源区的载流子泄漏;(3)价带间光吸收;(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg.并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系.     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料 (GRIN—SCH—SQW )。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到 1 0W ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算

为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能.     

多量子阱(MQW)增益导引锁相列阵激光器

本文利用分子束外延（MBE）生长的多量子阱（MQW）晶片，通过二氧化硅（SiO2）掩模、Zn扩散等一系列工艺，实现十条增益导引激光器销相列阵。实验中观察到列阵器件远场图形呈双瓣状，单面连续最大输出功率为35mw，阈值电流为44mA，在脉冲状态下测得中心波长为7910。     

高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长

为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。通过综合考虑各个因素,选用了A lInGaAs四元系统作为有源材料,优化设计出了高特征温度的半导体激光器结构,并用MBE设备生长这种结构,测试样品质量达到了设计要求。     

MOVPE生成AlGaInAs/InP应变量子阱材料研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试,通过二次离子质谱仪(SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响,通过采用高纯原料和纯化载气,生长出了较高质量的AlGaInAs应变量子阱材料氧含量小,光荧光强度大(25mW,PL=0.3),光荧光谱线窄(FWHM=31meV)。     

1480nm泵浦下掺铒光纤中正反向ASE谱的差别

利用简单的实验系统对１４８０ｎｍ泵浦下掺铒光纤中正、反向放大的自发辐射谱进行了研究,观察研究,观察到其差别,认为此差别是由于１４８０ｎｍ泵浦源的边带功率引起的。