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目的 研究半导体激光器线阵的温度场分布 ,为设计冷却方案提供理论依据 .方法 用分离变量法推导简化后系统的温度场分布函数 ,获得理论最高温度所在位置 ;建立合理的有限元模型 ,在 ANSYS系统上进行数值仿真 .结果 得到系统稳定后的温度场分布图 ,确定了半导体激光器线阵在整个工作时间内的最高温度及其所在位置 .结论 根据简化后的数学模型 ,用有限元法得到的温度场分布与用分离变量法进行的理论分析得到的结论相一致 . 相似文献
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采用组合透镜阵列准直半导体激光器线阵 总被引:3,自引:2,他引:1
为了满足半导体激光器线阵的远距离应用要求,需要对激光束进行准直处理.提出了一种由垂直双半圆柱透镜组合阵列构成的准直器,采用光线追迹的方法推导了激光束通过准直器的传输方程,分析了光线出射角与透镜阵列参数之间的关系,得出了准直器的最优设计参数,然后在zemax-EE非序列模式下仿真了此准直器的三维效果图以及探测器成像效果,得到的激光光斑接近于矩形,非相干照度集中在中央区域,并且经过准直器后的发散角大约为3 mrad.设计的准直透镜可以同时压缩快慢轴的激光束发散角,制作简单,安装方便. 相似文献
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针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布.瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合.稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度.沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快.芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心. 相似文献
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半导体冷藏箱有方便、小巧、无氟、无噪音的优点。但由于热电制冷效率不及压缩制冷和吸收式制冷,半导体冷藏箱内温度的进一步降低受到了限制。本文通过分析半导体冷藏箱的蒸发器和冷凝器与周围物体间的传热,并通过数值模拟冷藏箱内的温度分布,提出了进一步优化半导体冷藏箱,使其内部温度进一步降低的措施。 相似文献
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利用有效折射率法计算了隧道再生双有源区大功率半导体激光器的工作模式,并对计算得到的激射模式的近场、远场与实验结果进行比较,得到激射模式为一阶模,二者十分吻合,这有助于进一步优化设计波导结构。 相似文献
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将1500nm InGaAsP BH外腔半导体激光器稳定到氨分子吸收谱线上 总被引:2,自引:0,他引:2
基于氨分子在近红外波段振转能级跃迁机制,作者将1500nm GRIN-ROD外腔InGaAsP BH激光器频率锁定到氨(NH_3)分子吸收谱线上,它的波长是1518.2nm。该系统长时间的频率漂移和抖动小于3MHz。 相似文献
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《中国测试》2017,(8):119-124
为优化Rossini型气体热量计温度场均匀性以减小测量不确定度,采用多重参考系法(MRF)和标准k-ε湍流模型对Rossini型气体热量计的温度场进行三维瞬态数值模拟,分别得到搅拌器转速、燃烧室高度对量热容器内非稳态温度场的影响,特别是对燃烧室与吸热介质之间热传递的影响以及对吸热介质温度均匀性的影响,同时确定温度传感器的最佳安装位置。结果表明:搅拌器桨叶最佳转速为420 r/min,这时燃烧室壁面与吸热介质之间的传热效率最大,并且吸热介质内监测点温度的标准偏差保持在1.5 mK以内。燃烧室高度减小可以提高吸热介质的温度均匀性,加热阶段中,燃烧室高度从180 mm降低到140 mm时,监测点温度的标准偏差从26 mK降低到7.5 mK。温度传感器的最佳安装位置在燃烧室对称轴及导流筒对称轴的等距线上离壳体底部25 mm处。 相似文献
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