Cu层和Mo层对NiFe多层膜巨磁电阻（GMR）的影响

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ两个系列的多层膜，进行了结构，磁性和磁电阻测量，并对部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品作了电镜分析，对于ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下的测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第一，二三峰。在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜样品中未发现巨磁电阻效应，讨论了非磁性 多层膜的磁性，界面结构和巨磁电阻效应。     

NiFe／Cu和NiFe／Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜。测量了厚度不同的Ｃｕ层和Ｍｏ层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品。测量到ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的室温巨磁电阻随Ｃｉ层厚度振荡的第一、二、三峰。而在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。     

NiO／NiFeCo／Cu／NiFeCo自旋阀结构的巨磁电阻效应及影响因素的研究

用电子蒸发的方法制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅＣ／Ｃｕ／ＮｉＦｅＣｏ自旋阀多层膜,通过磁场中退火得到好的偏置型自旋阀ＧＭＲ效应。通过对制备态以及磁场退火后样品的ＭＲ曲线的研究,讨论了交换耦合作用,单层磁性能以及层间耦合作用对材料ＧＭＲ效应的大小和磁场灵敏度的影响,得出提高交换耦合作用,改善单层磁性能和尽可能减小层间耦合将有得于得到高性能的偏置型自旋阀ＧＭＲ材料的结论。     

Cu对NiFe／Cu／NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究

用直流磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ｎｉＦｅ层状薄膜,研究了Ｃｕ膜宽度对ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ｎｉＦｅ层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响,结果表明,层状薄膜的巨磁阻抗疚随Ｃｕ膜宽度发生振荡现象,并提出了一个等效电路模型直观地解释了层状薄膜增强巨磁阻抗效应的机理。     

NiFe和NiFe／Cr／NiFe薄膜的磁电阻特性与膜厚关系

本文研究了采用离子束溅射技术制备的ＮｉＦｅ薄膜及层状结构ＮｉＦｅ／Ｃｒ／ＮｉＦｅ薄膜的磁电阻特性与膜厚的关系。用四探针法测量薄膜的磁电阻。由实验结果得到磁电阻特性和膜厚及Ｃｒ夹层厚度的关系。分析了ＮｉＦｅ／Ｃｒ／ＮｉＦｅ膜中两层ＮｉＦｅ膜之间存在在反铁磁交换耦合时，磁电阻效为著增强的现象，ＮｉＦｅ／Ｃｒ／ＮｉＦｅ膜各向异性磁电阻系数△ρ／ρａｖ达５．１％。     

NiFe／Co／Cu／Co结构自旋阀GMR效应及Co夹层的影响研究

用射频磁控溅射发射法成功制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料,改变Ｃｕ层的厚度,研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系,结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大,其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％,在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层,通过对不同温度厚度Ｃｏ夹层的样品的ＭＲ曲线及磁滞回线的研究,讨论了Ｃｏ夹层对样品磁电阻的影响并分析了原因,结果表明插入适当的Ｃｏ层将提高材料的磁电阻效应,可达２．     

交换耦全嗓层膜NiO／Ni81Fe19的基片温度效应研究

用频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备ＮｉＯ单层膜、ＮｉＦｅ单层膜和ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响,用振动样品磁强计（ＶＳＭ）分析了膜的磁特性,结果表明：基片温度２６０℃时淀积的ＮｉＦｅ膜矫顽力ＨＣ为１８４Ａ·ｍ＾－１,小于室温淀积ＮｉＦｅ膜的ＨＣ（５８４Ａ·ｍ＾－１）,且磁滞回线的矩形度更好,室温下淀积ＮｉＯ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１５ｎｍ）双层膜的ＨＣ     

磁性多层膜的Ф射线光电子能谱研究

用射频／直流磁控溅射法制备了ＮｉＯｘ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９和Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱研究了ＮｉＯｘ对Ｎｉ８１Ｆｅ１９耦合交换场Ｈｅｘ与ＮｉＯｘ化学状态的关系以及Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜中ＡｌＯｘ对Ｃｏ膜的覆盖状况。结果表明：Ｈｅｘ的大小只与＋２价镍有关,单质镍和＋３价镍对Ｈｅｘ没有什么作用;在Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜中,Ａｌ层将Ｃｏ膜完全覆盖所需的要最小厚度为２．０ｎ     

溅射Co／Cu多层膜的磁性与退火热处理

研究了溅射Ｃｏ／Ｃｕ多层 磁性及退火处理对薄膜磁性的影响。薄膜的易磁化方向平行于膜面，溅射态和退火态的多层膜在膜面内是各向同性的。     

不锈钢上紫红色铬酸盐转化膜的研究

用化学着色法从铬酸盐溶液中获得了紫红色不锈钢转化膜,ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明,膜层厚度约为１２５ｎｍ,膜层主要是由Ｃｒ,Ｆｅ,Ｎｉ和Ｏ元素组成,这些元素在膜的表面分别以Ｃｒ２Ｏ３,Ｆｅ２Ｏ３和ＮｉＯ状态存在,从ＡＥＳ深度刻蚀曲线的组成恒定区求得膜层的相对原于百分浓度约为：Ｃｒ２８．０,Ｆｅ２．６,Ｎｉ０．５。     

溅射——气体——聚集共沉积法制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜

提出了溅射－气体－聚集共沉积制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ及ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明，样品中Ｆｅ（Ｃｕ）团簇都较好地镶嵌于Ａｇ（ＣａＦ２）基质中，其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现，与块材相比，Ｆｅ／Ａｇ样品中Ｆｅ团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩，而Ｃｕ／ＣａＦ２样品中Ｃｕ团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。     

过渡金属氧化物NTC厚膜热敏电阻烧结工艺的研究

较详细地研究了Ｃｏ－Ｍｎ－Ｏ，Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ，Ｍｎ－ＮｉＣｕ－Ｆｅ－Ｏ，Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｒｕ－Ｏ四种厚膜热敏电阻材料的烧结过程，确定了各材料的最佳烧结温度，较全面地测试了文中各材料系列厚膜热敏电阻的特性参数，给出了元件的热老化特性，电阻－温度特性，伏安特性，时间常数，耗散系数等。     

Fe—Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包埋团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单     

Fe73.5Cu1Mo3Si13.5B9微晶软磁合金的结构及其对磁性的影响

对Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９微晶软磁合金的结构及其对合金磁性的影响了研究，结果表明，在最佳磁性能下，晶相点阵常数ａ＝０．２８４３ｎｍ，相当于Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体中含Ｓｉ％（ｍｏｌ／ｍｏｌ）：１８－２０，体积百分数Ｖ＝７４．８％，晶粒尺寸Ｄ＝１４．６ｎｍ；残余非晶层厚度δ＝１．２３ｎｍ；当Ｔ退火≥５６０℃时明显有Ｆｅ－Ｂ化合物析出。Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的磁性不仅与     

Cu—Ni—Fe合金在特殊涂层中的深过冷及其遗传性

以（８０％石英砂＋２０％石英玻璃粉）＋３％Ｈ３ＢＯ３（均为质量分数，下同）为坩埚涂层材料，烧结后获得厚３ｍｍ的表面光洁，无裂纹玻璃态涂层，在该涂层中熔炼Ｃｕ－３９Ｎｉ－６Ｆｅ和Ｎｉ－３０Ｃｕ－５Ｆｅ合金，分别获得了１９０Ｋ和２１０Ｋ的大过冷度，超过了晶粒骤然细化的临界过冷度△Ｔ２，以硅溶胶为粘结剂，石英玻璃粉为面涂层的铸型，浇铸后进行一次过热，使Ｎｉ－３０Ｃｕ－５Ｆｅ合金获得了１００过冷度，超过了     

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响

通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。     

淀积磁场对NiO／Ni81Fe19双层膜特性的影响

用射频磁控溅射法在外磁场中淀积 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ８１ Ｆｅ１９ 双层膜, 利用淀积磁场（ Ｈｄｅ） 诱导易轴并确定交换耦合场方向． 研究了淀积磁场对 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ Ｆｅ 双层膜特性的影响, 结果表明, 淀积磁场改善了双层膜的磁滞回线的矩形度, 减小矫顽力, 增强交换耦合作用． 反铁磁性层 Ｎｉ Ｏ 和铁磁性层 Ｎｉ Ｆｅ 的厚度对矫顽力和交换耦合作用有很大的影响． 在５６ｋ Ａ／ｍ 的磁场中制备的 Ｎｉ Ｏ （５０ｎｍ） ／ Ｎｉ Ｆｅ （２５ｎｍ） 双层膜的易轴矫顽力 Ｈ Ｃ为１ ． ９ｋ Ａ／ｍ , 交换耦合场 Ｈ Ｅ Ｘ为２ ． ６ｋ Ａ／ｍ , 临界温度 Ｔｃ 为１５０ ℃, 截止温度 Ｔ Ｂ为２３０ ℃     

奥氏体不锈钢中马氏体含量对其钝化膜稳定性的影响

采用ＡＥＳ研究１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ奥氏体不锈钢在中性氯离子介质中，相变α‘－马氏体含量对钝化膜稳定性的影响，由Ａｒ＾＋溅射得到Ｃｒ／Ｆｅ比值和Ｃｌ随深度变化的分布。实验结果表明，０％和１４．５％α－马氏体含量的试件表面膜中Ｃｒ富集程度大，Ｃｒ／Ｆｅ比高，氯元素吸附少，膜稳定性好．     

新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜。通过改变Ｏ２／Ａｒ比，制备出不同组分和结构的ＣｅＯ２－ｘ薄膜。用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱了Ｃｅ２＋的浓度。ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经空气中高温退火后，形成了立方体ＣａＦ２型小晶粒，晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。