4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器

采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。     

具有1W连续波输出功率的高效Ku波段HBT放大器

<正>异质结双极晶体管(HBT)放大器是一种很有希望的微波功率放大器。它具有高电压、高效率和高功率密度等优点。目前在X波段已能输出5W。虽然高频运用的HBT放大器的频率已经扩展到Ku波段,但是在X波段以上功率输出还不够大。 《Electronics Letters》1991年11月发表了美国德克萨斯仪器公司研制高效Ku波段HBT放大器的工作。     

300W Ku 波段栅控脉冲空间行波管放大器研制

简要介绍了300 W Ku 波段栅控脉冲空间行波管的计算机模拟,形成了可行的设计方案。着重解决栅控脉冲空间行波管的关键技术问题：高效率和高可靠性。     

砷化镓功率器件

南京电子器件研究所于 2 0 0 0年进行了 Ga As功率 PHEMT的研究开发 ,完成了“WC2 0 0 3型高电子迁移率功率晶体管”项目的设定和 Ku波段 1 0 W功率 PHEMT的研制。WC2 0 0 3型器件在 9.4～ 9.9GHz带内 ,输出功率大于 2 .5W,功率增益大于 9.5d B,功率附加效率典型值为 40 % ,带内增益起伏小于± 0 .5d B,该器件的栅宽为 4.8mm。采用两个 9.6mm栅宽功率 PHEMT管芯合成研制的 Ku波段内匹配功率 PHEMT,在 1 0 .5～ 1 1 .3GHz带内 ,输出功率大于 9.8W,带内最大输出功率为 1 0 .9W,功率增益大于 9.9d B,功率附加效率典型值为 40 %…     

Ku波段60W AlGaN/GaN功率管

针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。     

Ku波段GaN大功率单刀双掷开关设计

基于开关器件的基本工作原理和设计方法,设计了一款GaN大功率Ku波段单刀双掷(SPDT)开关,并着重讨论了GaN大功率开关的耐功率能力.经制作得到不同栅指数、不同单指栅宽的GaN开关器件,测试了其基本性能,并比较了开关器件在GaN工艺与GaAs工艺下的性能差别.Ku波段SPDT开关实测S参数表明,插入损耗小于0.9 dB,隔离度大于27 dB,同时能够承受10W的连续波输入功率;适当牺牲耐功率能力可提升小信号的性能.这款开关可搭配GaN功率放大器与低噪声放大器用于收发组件前端.其尺寸仅有2.0 mm×1.4 mm,满足系统小型化的需求.     

基于波导合成高效高功率密度Ku波段功放

提出了一种基于BB180波导电桥合成器与波导微带双探针相结合的Ku波段高效空间合成方案,波导合成实现了高效率,波导微带双探针结构实现功率模块的叠层安装,在Ku波段通过二者的结合实现了高功率密度。首先利用HFSS软件分析波导合成器和波导微带双探针模型,给出了仿真结果。在工程设计中采用GaN功率芯片构成放大器小模块单元,输出峰值功率25W。功放采用8个模块单元合成,在Ku波段合成饱和输出180W峰值功率(19%占空比),合成效率超过85%,附加效率高于25%,功率密度达到0.135W/cm3,实现了Ku波段微波高效合成与高功率密度输出。     

Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景.     

Ku波段内匹配高功率且PAE超过30%的GaN HEMTs放大器

本文报道了一款工作于Ku波段的高功率高效率的内匹配功率放大器。该放大器采用外延于6H-SiC衬底上的栅长为0.3um、栅宽为4mm的 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管制作而成。为了改善电路的带宽,在输入输出匹配电路中分别采用了T型 预匹配网络。通过使用三维电磁仿真工具优化无源匹配网络,该放大器在Vds=30V、Vgs=-4V,占空比为10%的脉冲偏置下,获得了在13.8~14.3GHz的频率范围内最大输出功率为42.5dBm、功率附加效率为30%~36.4%以及线性增益为7~9.3dB的性能。以这样的功率和效率而言,该放大器功率密度达到4.45W/mm。     

Ku频段微波宽频带固态功率放大器

本文对用微波宽带功率单片集成电路的功率合成技术和实现方法进行了讨论,并用 Ku 波段宽带微波功率单片集成电路合成出功率大于 200W、频带宽度大于 30%Ku 波段固态放大器。对合成中的关键技术进行了分析。     

L波段50W GaAs MESFET

据日本《NEC技报》1997年第3期报道，NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET。该器件的截面结构如图所示，采用了栅长为1．0μm的WSi肖特基栅，工作于B类推挽电路。该器件的饱和输出功率为537W，1dB增益压缩输出功率为51．3W，线性增益13．1dB，最大漏极效率为57％（频率f=1．5GHz，偏置VDS=10V，IDS=3％IDSS）。该器件作为固态功率放大器（SSPA）用于数字移动电话基地局。L波段50W GaAs MESFET@孙再吉     

一款Ku 波段GaAs PHEMT 低噪声放大器

面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0. 15 μm 栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku 波段低噪声放大电路,电路在Ku 频段全频带(14 ~18 GHz)内实现了优良的性能,其噪声系数小于1. 3 dB,增益大于17 dB。电路采用5 V 电源供电,功耗为250 mW,芯片面积为2 mm×1. 6 mm;这款性能优异的Ku 频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。     

砷化镓功率场效应晶体管的单片集成

<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波频段工作的小信号放大器是可能的和现实的。这种电路最初是用小栅宽的器件制造 C、X 和 Ku 波段单片宽带单级放大器而被证实的,最近,注意力已集中到实现主要用于功率放大器并集成较大栅宽的 FET GaAs 单片电路上。单级和两级单片放大器已工作在 X 波段,具有中等带宽,其输出功率超过1瓦,增益高达12dB。     

Ku波段连续可变的相位/幅度控制组件

本文描述能连续可调相位和幅度控制的Ku波段微带移相器。三级双栅场效应晶体管放大器提供了可变的幅度矢量,那些可变的幅度矢量由120°角分开并且通过正交耦合器电路相加。该移相器提供360°相移,具有大于20分贝的幅度加权能力。     

Xicom把超过40W的功率放进一个“鞋盒子”了？

Xicom Technology公司发布如同“鞋盒子”大小的固态功放（BUC）新产品系列，其设计满足所有便携式卫星通信的需求。新产品包括X、Ku频段和扩展Ku波段40W系列；C波段50W系列固态功放。     

Ku波段20W GaAs功率PHEMT

报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT.在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制,实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率.采用该工艺制作了总栅宽为19.2mm的功率PHEMT.用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14.0～14.5GHz频带内,输出功率大干20W,功率增益大于6dB,典型功率附加效率为31%.     

Ku波段20W GaAs功率PHEMT

报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT.在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制,实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率.采用该工艺制作了总栅宽为19.2mm的功率PHEMT.用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14.0～14.5GHz频带内,输出功率大干20W,功率增益大于6dB,典型功率附加效率为31%.     

Ku波段卫星广播电视信号的接收特点及天线调整

Ku波段是指频率在12～48GHz的无线电波波段。国际电信联盟代先把11．7～12．SGHz的频率范围划分给卫星广播电视专用。KU波段卫星广播电视的频率大约是C波段频率的3倍；而波长约是C波段的1／3，因此KU波段的波长较短。在天线口面效率和增益相同的条件下，KU波段卫星广播接收天线的口径大约是C波段天线口径的1／3。因此KU波段接收天线口径较小，理论上一般要求在0．5～1．sin范围内，但实际接收当中，用2～3．5m的天线最适宜。Ku波段卫星转发器的功率一般比C波段转发器的功率大得多，其等效全问辐射功率大，因而Ku波段的地面场强较高…     

X和Ku波段GaAs肖特基势垒场效应晶体管

已作出1微米栅的 GaAs 肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。它适于 X 和 Ku 波段应用。整个 X 波段的单向功率增益超过9分贝,10千兆赫下噪声系数仅5分贝。     

Xicom把超过40w的功率放进一个“鞋盒子”了？

Xicom Technology公司发布如同“鞋盒子”大小的固态功放（BUC）新产品系列，其设计满足所有便携式卫星通信的需求。新产品包括X、Ku频段和扩展Ku波段40W系列；C波段50W系列固态功放。