低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度.     

低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究

在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。     

多层陶瓷基板制造新技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术。应用该技术不仅能彻底除去浆料中的有机粘结剂,而且容易控制各工序中的气氛。制成的Cu多层陶瓷基板性能非常良好,特别适合高速电路等的高密度化应用。制造成本低,有利于批量生产和推广应用。本文概述了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定出了最佳技术条件。该技术的开发成功,极大地促进了各种电子装置的高密度、超小型化。     

降低低温共烧多层陶瓷基板介电常数方法的研究

本文主要探索一种在玻璃陶瓷基板材料中加入聚苯乙烯（PS）有机球（有机球在高温下分解），最终在基板中引入半合气孔，从而降低介电常数的新方法，着重讨论了孔隙率与介电常数的关系，以及与基板其他实用性能参数之间的关系（如抗折强度，绝缘电阻，漏电流等）。     

低温共烧多层陶瓷基板抗折强度的研究

抗折强度是反映低烧基扳性能的一个非常重要的技木指标，本文通过控制粉料粒度、瓷料配方、热压工艺条件、烧结曲线等，可将低温共烧多层基扳的抗折强度提高到15．64kg／mm^2．     

AlN多层陶瓷基板一体化封装

随着电子器件和系统的快速发展,电子陶瓷技术不断提升,广泛应用于光通讯、智能设备、国防军工等领域.氮化铝陶瓷材料凭借其与半导体材料相兼容的热膨胀系数和优异的散热性能,成为了电子陶瓷材料的研究热点.本文介绍了一种基于氮化铝多层陶瓷基板的一体化封装技术,从AlN陶瓷基板的高温共烧制备技术、一体化封装结构方案、工艺实施路径几方...     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下:     

共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

高精度陶瓷基板化学镀多层膜技术研究

描述了针对高精度陶瓷基板采用化学镀的技术,对陶瓷基板线条进行金属化,达到多种膜层结构,以满足产品所需要的特殊厚度、电性能和金丝压焊的要求。研究了化学镀厚铜、离子钯活化、化学镀镍和化学镀厚金溶液的各项参数变化,以及参数变化对陶瓷基板线条厚度和精度的影响。并对实验结果进行分析,讨论各种现象出现的原因。     

多层布线低温陶瓷基片

随着混合集成电路的发展,单面布线或双面布线已不能满足要求,陶瓷多层布线基片就接着问世。陶瓷多层基片一开始以烧结氧化铝基片为基础,在基片上交替印刷导体浆料和一层绝缘浆料而成,为了防止导体和绝缘浆料相互交混,印一次导体或绝缘层就得单独烧结一次。这种工艺称为干结工艺。另外一种工艺是以氧化铝     

BNT陶瓷低温烧成与性能

采用复合添加BaCuO_2-CuO(以下简称BCC)、ZnO-B_2O_3-SiO_2(以下简称ZBS)等烧结助剂的方法,研究了Ba_4(Nd_(0.85)Bi_(0.15))_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷(以下简称BNT)低温烧结的烧结特性和微波介电性能。结果表明:复合添加(均为质量分数)2.5％BaCuO_2-CuO和5％ZnO-B_2O_3-SiO_2后可以在1050℃烧结成致密瓷,气孔率为5.73％,在5.6 GHz,相对个电常数ε_r为64.25,Q·f值为2026 GHz,频率温度系数τ_f为+26.4×10~(-6)℃~(-1),可望实现与Cu电极浆料低温共烧。     

高导热多层陶瓷布线基板制造新技术

一般的多层陶瓷基板材料主要是Al2O3。由于Al2O3的导热率低，不适应电子产品小型化、电路高密度化的要求。迫切需要导热率高，散热性能良好的绝缘基板。