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一种用于版权保护的音频数字水印算法 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一种基于小波变换的音频数字水印算法,水印为一幅二值图像,仿真实验表明该算法具有较强的稳健性,可用于数字音产品的版权保护。 相似文献
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在主成分分析法(PCA算法)的基础上提出了一种新算法,该算法采用了小波预处理的方式.通过该联合算法,在人脸图像采样环境不好的情况下,仍然保证人脸图像较高的识别率.与传统的算法相比,该算法识别率提高了近10%,扩大了PCA算法的应用范围,从而提高了人脸图像的识别率. 相似文献
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一种新的重频分选检测门限选择算法 总被引:1,自引:1,他引:1
在小波理论的基础上提出了一种新的重频分选检测门限选择算法,并在此基础上对原有的重频分选算法给予改进。原有的重频分选算法检测门限选择单一,不适用于脉冲列分布不均匀的信号环境,该算法克服了这些缺点,不仅适用于脉冲列分布均匀的情况,而且适用于脉冲列分布不均匀的情况。仿真结果表明该算法较传统的CDIF算法对固定PRI形式的雷达脉冲列的分选有较好的效果。 相似文献
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连续小波变换的一种快速算法 总被引:2,自引:0,他引:2
连续小波变换(CWT)由于其优良的特性,在信号处理的许多领域得取了应用,但是CWT在实现时有很大的计算量,针对此问题,本文提出了一种利用离散小波变换(DWT)实现CWT的快速算法,通过理论分析,本文提出了该算法所需的两个滤波器f(n)和g(n)的构造方法和整个快速算法的组织方式,并利用一个技巧对小波系数的尺度间隔进行了细化,最后对算法的计算复杂度进行了简略的定性分析。 相似文献
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Inverse lithography technology (ILT), a promising resolution enhancement technology (RET) used in next generations of IC manufacture, has the capability to push lithography to its limit. However, the existing methods of ILT are either time-consuming due to the large layout in a single process, or not accurate enough due to simply block merging in the parallel process. The seamless-merging-oriented parallel ILT method proposed in this paper is fast because of the parallel process; and most importantly, convergence enhancement penalty terms (CEPT) introduced in the parallel ILT optimization process take the environment into consideration as well as environmental change through target updating. This method increases the similarity of the overlapped area between guard-bands and work units, makes the merging process approach seamless and hence reduces hot-spots. The experimental results show that seamless-merging-oriented parallel ILT not only accelerates the optimization process, but also significantly improves the quality of ILT. 相似文献
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连续小波变换(CWT)由于其优良的特性,在信号处理的许多领域得到了应用。但是CWT在实现时有很大的计算量,针对此问题,本文提出了一种利用离散小波变换(DWT)实现CWT的快速算法。通过理论分析,本文得出了该算法所需的两个滤波器f(n)和g(n)的构造方法和整个快速算法的组织方式,并利用一个技巧对小波系数的尺度间隔进行了细化。最后对算法的计算复杂度进行了简略的定性分析。 相似文献
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提出了一种基于平滑双正交小波和自适应分割算法的小波域分形图像编码算法,在基于离散有限方差(DFV)最优准则下得到了适合图像编码的一种新的平滑双正交小波,从而改善了分块效应。在小波域的分形编码中,提出了一种基于图像信息分布特征的自适应分割算法,实验表明,该文算法在相同压缩比的情况下,解码图像的主观视觉质量和峰值信噪比都明显优于SQS方法、基本分形图像编码方法和SPIHT方法。 相似文献
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Inverse lithography technology (ILT), a promising resolution enhancement technology (RET) used in next generations of IC manufacture, has the capability to push lithography to its limit. However, the existing meth-ods of ILT are either time-consuming due to the large layout in a single process, or not accurate enough due to simply block merging in the parallel process. The seamless-merging-oriented parallel ILT method proposed in this paper is fast because of the parallel process; and most importantly, convergence enhancement penalty terms (CEPT) introduced in the parallel ILT optimization process take the environment into consideration as well as environmental change through target updating. This method increases the similarity of the overlapped area between guard-bands and work units, makes the merging process approach seamless and hence reduces hot-spots. The experimental results show that seamless-merging-oriented parallel ILT not only accelerates the optimization process, but also significantly improves the quality of ILT. 相似文献
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纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术 总被引:5,自引:1,他引:5
纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。 相似文献
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使用传统的微加工技术,如各向异性或各向同性干刻蚀、湿刻蚀只能加工有限形貌的表面,为了克服这一缺点,发展了多层掩模技术、激光三维立体光刻、电子束直接写入技术等许多三维微加工技术。灰度光刻最被看好,它通过灰度掩模把加工光束能量密度分布调制成不同的形状,对光刻胶进行曝光,微型器件一次成形,不需要移动掩模或移动加工晶片,也不需要对光刻胶进行热处理,只需要对掩模版进行一定的编码和标准的光刻设备,容易和其他IC工艺相兼容,实现系统芯片结构的制作。本文分析了它的物理机制、掩模类型、编码过程、约束条件和优化方法。 相似文献
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近期光刻用ArF准分子激光技术发展 总被引:1,自引:1,他引:0
193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻(DPL)技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术:主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。 相似文献
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一种新型的具有角度限制的电子束投影曝光技术 总被引:2,自引:0,他引:2
具有角度限制的电子束投影曝光技术有可能成为21世纪最有潜力的纳米光刻技术之一。通过配备缩小投影透镜、掩模承片台、基片工作台和控制用计算机,我们将一台透射电子显微镜(TEM)改造成一台用于电子束投影曝光的试验装置。利用这台装置完成了有关掩模性能、电子光学特性和图形对准的一系列实验,同时取得了最细线宽为78nm的抗蚀剂图形。 相似文献