导体楔加载有损圆柱体的绕射的散射场

利用展开系数法解析了导体楔加载有损圆柱体的绕射和散射场，并且以媒质参数，圆柱体半径，楔的角度为参变量，对绕数射场进行了数值计算，并对数值计算中级数解的收敛性进行了讨论。     

表面具有分形结构金属劈边缘绕射系数的提取

本文提出了一种计算数值绕射系数有有效方法，并将之用于提取表面具有分形结构金属劈的绕射系统，利用时域有限差分法提供的散射场，根据几何绕射理论建立含有绕射系数未知量的方程组，通过联立方程组的求解，得到散射体边缘的数值绕射系数。具体计算例子表明，该算法是有效的。     

圆柱体上爬行波场分析及电磁兼容性设计应用

航空器上天线间辐射干扰问题的解决是系统正常通讯的保证。文章针对各种航空器的典型结构模型-圆柱体进行研究，应用几何绕射理论分析了圆柱体上爬行波场的分布规律，包括固定收发天线位置，频率变化时爬行波场分布规律和固定天线工作频率改变收发天线相地位置时场的分布规律，所得结论为解决航空器上天线系统空间布局的电磁兼容问题提供了设计依据，也为定量地预测天线间隔离度提供了有效手段。     

偏馈赋形紧缩场天线电气设计研究

本文对偏馈赋形紧缩场天线设计进行系统研究。提出一种新的偏馈双反射器天线几何光学综合的方法。该法便于理解、推导和用计算机作数值计算。文中提出了一种计算紧缩场交叉极化的新技术。经深入分析，得出了若干具有普遍性的结论。讨论了赋形紧缩场工程设计中的一个重要问题－交叉极化与绕射效应间的矛盾，并由此阐明了布局优化的重要性。     

平顶斜边障碍物的绕射场

利用Ｆｒｅｓｎｅｌ－Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ原理得到了计及地面反射时多刃峰绕射场求解公式，用该式对导体劈、平顶直边和平顶斜边障碍物绕射场进行了求解。导体劈与平顶直边障碍物绕射场的数值结果分别与ＧＴＤ和Ｊ．Ｈ．Ｗｈｉｔｔｅｒｋｅｒ的理论所得结果和实验结果进行了比较。本文所给公式简洁，物理概念清晰，克服了ＧＴＤ处理过渡区场的困难，便于工程技术中应用。     

曲顶障碍物绕射场的一致性解

利用Ｆｒｅｓｎｅｌ－Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ原理，本文从理论上解决了任意多条折线构成的曲顶障碍物的绕射场的求解问题，给出了两折线顶障碍物绕射场的数值结果。     

由散射数据计算数值绕射系数

本文研究数值一致性绕射系数的提取方法。在建立散射模型并确认其散射中心后，用ＦＤＴＤ方法计算散射场，并通过电流加窗方法或联立方程组方法以提取所关心散射中心的一致性绕射系数。金属板边缘的例子验证了这一途径的可行性。最后，用这种方法获得了涂层金属板的一致性统射系数，其结果与阻抗劈的ＵＴＤ结果一致。     

多模光纤偏心激励的横截面场分布

计算并测量了阶跃多模光纤偏心激励的横截面场分布。用光线追迹法计算了不同的激励源偏心距离和光纤长度时,光纤出射端横截面的场分布。用CMOS光探测器阵列测量了大芯径、大数值孔径多模聚合物光纤在不同的激励源偏心距离和光纤长度时,光纤出射端横截面的场分布。数值计算和实验测量的结果一致表明,随着激励源偏心距的增加,高阶模被激励的比例增加;随着传输长度的增加,场分布的圆周方向均匀性趋于一致。     

径向分层非均匀介质中的三维静场格林函数

对于轴对称任意径向分层的完全非均匀介质，建立了求解静场问题数值模格林函数的理论及高效计算方法；导出了各媒质区域中统一的位场公式，给出了规范完整的格林函数表达。所采用的高效计算技术，使得高精度和高效率达到了统一。全部问题的求解均归结为关于矩阵的代数运算，无需任何数值积分。计算效率可较二维有限元法提高两个数量级     

应用NURBS-UTD方法分析受扰方向图

 本文研究基于任意曲面建模的UTD方法,引入NURBS曲面建模技术对电大尺寸目标建模,给出了NURBS-UTD方法中反射射线场以及表面绕射射线场的数值求解方法。与曲面有关的具体参数,根据微分几何的基本原理结合参数曲面定义使用各种数值方法进行处理,对线积分使用定义展开。针对实际当中任意几何造型的电大尺寸平台的电磁特性分析,本文方法不仅能够处理初等解析曲面,也能够处理任意弯曲的曲面模型,并且不需要消耗大量计算资源又提高了建模精度,文中给出实例进行说明。     

架空绝缘导线及楔形电力接续线夹连接点温升分析

本文进行分析10kV配电线路常用绝缘导线和楔形线夹温升情况,并且提出额定和过载的情况下的运行安全性。     

柱形体加载的导体劈的解析解与数值解

分析了任意柱形体加载的导体劈的电磁场边值问题.对于某些特定形式的加载导体劈问题,导出了严格的解析解,从而为进一步发展几何光学绕射理论提供了一类新型的典型问题的解析解.对于一般形式的柱形体加载导体劈问题,则提出了基于‘全域数值边界条件'的有限元解法,为丰富几何光学绕射理论,尤其为发展‘数值绕射系数'理论提供了新的理论途径和计算方法.     

楔形发射体的电子场发射理论

本文提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例；该理论以单原子发射点假设为基础，用经典电动力学方法计算楔形发射体的隧道势垒，然后用Ｎｕｍｅｒｏｖ方法计算其透射系数，最后用到场发射体伏安特性。     

Numerical calculation of diffraction coefficients of genericconducting and dielectric wedges using FDTD

Classical theories such as the uniform geometrical theory of diffraction (UTD) utilize analytical expressions for diffraction coefficient for canonical problems such as the infinite perfectly conducting wedge. We present a numerical approach to this problem using the finite-difference time-domain (FDTD) method. We present results for the diffraction coefficient of the two-dimensional (2-D) infinite perfect electrical conductor (PEC) wedge, the 2-D infinite lossless dielectric wedge, and the 2-D infinite lossy dielectric wedge for incident TM and TE polarization and a 90° wedge angle. We compare our FDTD results in the far-field region for the infinite PEC wedge to the well-known analytical solutions obtained using the UTD. There is very good agreement between the FDTD and UTD results. The power of this approach using FDTD goes well beyond the simple problems dealt with in this paper. It can, in principle, be extended to calculate the diffraction coefficients for a variety of shape and material discontinuities, even in three dimensions     

Transient image theory for 2-D and 3-D conducting wedge problems

In the present paper, two- and three-dimensional transient scattering from a perfectly conducting wedge is studied. The exciting sources analyzed are an infinite impulsive line current parallel to edge of the conductor and an arbitrarily oriented electric dipole. The analysis presented is based on the time-harmonic image solution found for the scattered field. The frequency-domain image current corresponding to the field contribution from the wedge is an exact function expressed in terms of simple trigonometric functions. It is dependent only on the coordinates and the amplitude of the source, but it is independent of the observation point. It is shown that the transient scattering can be interpreted as arising from an image source by generalizing the time domain Green's function to complex source points     

共轭点电荷系在静电劈形问题中的应用

根据点-面情形电像解的规律提出共轭点电荷系概念,对不同类型的共轭点电荷系在半无限大导体平面上的感应电荷总量进行了计算,并应用到有一定对称性分布的静电劈形问题中。共轭点电荷系思想对π是夹角整数倍情形时的劈形角平分面上点电荷的电像解提供了一种新的解法和思路。     

Three-dimensional diffraction by infinite conducting and dielectric wedges using a generalized total-field/scattered-field FDTD formulation

We extend the generalized total-field/scattered-field formulation of the finite-difference time-domain method to permit efficient computational modeling of three-dimensional (3-D) diffraction by infinite conducting and dielectric wedges. This new method allows: 1) sourcing a numerical plane wave having an arbitrary incident angle traveling into, or originating from, a perfectly matched layer absorbing boundary and 2) terminating the infinite wedge inside the perfectly matched layer with negligible reflection. We validate the new method by comparing its results with the analytical diffraction coefficients for an infinite 3-D right-angle perfect electric conductor wedge obtained using the uniform theory of diffraction. Then, we apply the new method to calculate numerical diffraction coefficients for a 3-D infinite right-angle dielectric wedge, covering a wide range of incident and scattering angles. Finally, we show means to compactly store the calculated diffraction coefficients in a manner which permits easy interpolation of the results for arbitrary incidence and observation angles.     

用力敏传感器测量真空磁导率

用可以看作无限长的通电长直导线产生磁场,将载流导体放入该磁场中.此时载流导体将受到无限长通电导线产生的磁场的作用,用力敏传感器将该磁场力转化为电压,观察力敏传感器示数的变化并测量出磁场力的大小,从而间接测量出了真空磁导率.     

用虚位移法计算静电场中电介质的受力

本文给出了用虚位移法计算静电场中电介质受力与用虚位移法计算静电场中导体受力的关系,从而说明了静电场中电介质受力的本质.阐明了静电场中电介质受力的计算可直接应用静电场中导体受力公式的原因,给出了计算介质受力时可以运用计算导体受力公式的条件,并给出了具体的例子进行说明.     

不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应防护方法

针对武器装备机箱内部电磁辐射防护的技术需要,从不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应形成机理出发,对孔缝耦合及贯通导体耦合导致的屏蔽腔体内部局部电场增强效应防护方法进行了研究.仿真计算了屏蔽腔体内部加载吸波材料、腔体分区隔断以及贯通导体安装金属导管等防护方法对不完全屏蔽腔体电磁耦合的影响,研究结果表明:在屏蔽腔体内部加载吸波材料能够有效降低由于腔体谐振产生的电场增强效应,相同的吸波材料放置在强场位置防护效率会更高;采用分区隔断的屏蔽腔体能够提高腔体的谐振频率,大幅降低腔体内大部分位置的电磁耦合能力;贯通导体通过金属导管进入屏蔽腔体能够有效降低贯通导体的电磁耦合能力,削弱屏蔽腔体内部的电场增强效应,屏蔽腔体内部及外部的金属导管长度越长,其防护效果越明显.