钽酸锂晶体宽带滤波器

本文简要介绍钽酸锂晶体及器件的一些特性,对用该材料制作的21.4MHz宽带滤波器的设计、制作和测试结果作了较详细的介绍,滤波器的带宽达225kHz,矩形系数(BW_(?0dB)/BW_(3dB)为2.66,带外衰减在50dB以上。该材料在做宽带滤波器和压控振荡器方面具有优越性。     

42°Y钽酸锂晶体生长及性能研究

钽酸锂晶体具有优异的压电性能,是声表面波(SAW)滤波器广泛使用的衬底材料。该文采用自主研制的提拉单晶炉,成功生长出4英寸、42°Y方向、外观完整的钽酸锂晶体。经可见及近红外分光光度计测试,晶体透过率接近80%;经X线摇摆测试,其半高全峰宽(FWHM)为28.4″,单晶性较好;采用差热分析仪对生长的晶体头尾进行居里温度测试,居里温度偏差为4.4 ℃。声表面波性能测试结果表明,钽酸锂晶体的声表面波速度、机电耦合系数和频率温度系数等指标均满足SAW滤波器的使用要求。     

钽酸锂晶体及其应用分析

钽酸锂作为一种优良的多功能晶体材料,具有良好的压电、电光和热释电等性能,已被广泛应用于通信、电子等行业。该文介绍了钽酸锂晶体的结构、缺陷及性能调控方式,总结了钽酸锂晶体的制备方法及优缺点,分析了钽酸锂晶体在各应用领域的国内外研究进展,并对钽酸锂晶体的发展进行了展望,以期对钽酸锂晶体的应用及研究提供帮助。     

钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。     

小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

介绍比较了钽酸锂(LiTaO3,简称LT)晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器.结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%～4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值.     

一种新型的集成钽酸锂（LiTaO3）晶体压控振荡器

提出了一种由钽酸晶体稳频的集成化压控振荡器的新型电路结构，实现了调频范围数量级扩展。     

硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用

绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。     

基于36°Y-X钽酸锂的扇形声表滤波器设计与研究

该文提出了基于钽酸锂漏波材料设计的扇形声表滤波器。钽酸锂在36°Y-X切向时，其机电耦合系数(ΔV/V)为2.4%、频率温度系数(TCF)为-32×10^-6/℃。36°Y-X钽酸锂具有较强的压电耦合性和适中的温度稳定性，用它设计相对带宽5%～10%的滤波器可以实现较小的插入损耗和适中的温度稳定性，器件实测结果与仿真相符。     

Equivalent-circuit parameters for LiTaO3 plate resonators

Expressions for motional inductance and parallel capacitance are derived in terms of physical device parameters for LiTaO3 single-mode energy-trapped resonators. Confirmation of these expressions is provided by measurements on a set of 163°-rotated y plate resonators.     

通讯用高基频带通声表面波滤波器的设计

简述了声表面波滤波器当前的发展,讨论了单端谐振型声表面波带通滤波器设计原理和设计要点,得到了一种较好的设计方案,并给出了主要参数的推导过程。通过对滤波器滤波特性影响因素的分析,改进了谐振电路结构和参数,并成功设计了中心频率为902.5 MHz,带宽为25 MHz的声表面波滤波器。     

LiTaO3光幅度调制器在脉冲调制中的应用

介绍了LiTaO3光幅度调制器，其输出光脉冲峰值功率是-l0dBm，调制电压脉冲宽度为l0ns，重复周期lkHz。直流偏置采用了数字累加平均技术和动态平衡控制技术，在两级串联的情况下，光信号的消光比大于45dB。     

低温合成超细LiTaO_3粉体

采用草酸盐热分解法,在500,600,700及800℃温度下合成了LiTaO3粉体。利用XRD、SEM、FTIR及UV-Vis对所制粉体的性能进行了研究。分析结果表明:各温度下所得产物均为单一相的LiTaO3粉体。说明采用草酸盐热分解法,在500℃的较低温度下及3h的较短时间内即能制得单一相的LiTaO3粉体,该粉体粒径小于100nm,能隙为3.7eV,FT-IR谱中623cm-1处存在着Ta—O键的特征吸收峰。     

弱热释电效应黑色铌酸锂、钽酸锂晶体研究

采用化学还原工艺，在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700℃和450℃退火处理，成功地制备了LN和LT黑色晶片。静电位差、光透过率测量结果表明，还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失，其光透过率也显著降低。居里温度测试表明，还原处理对晶体的居里温度没有影响。     

钽酸锂薄膜溶胶凝胶制备工艺研究

用溶胶–凝胶法在不同衬底上制备了新的钽酸锂薄膜;研究了环氧树脂掺杂、甩胶转速、衬底效应、热处理温度和气氛等薄膜制备工艺条件对薄膜晶向、表面形貌和介电特性的影响。结果表明:当溶胶浓度为0.1mol/L,转速为3000r/min,能制备出均匀、平整、无裂纹的薄膜;控制掺杂环氧树脂在5%左右(质量分数),能提高薄膜与衬底的黏附性;薄膜在氧气气氛下结晶退火,比在氮气气氛下具有更小的介质损耗;n型Si、p型Si和SiO2衬底上钽酸锂薄膜在[012]晶向上具有择优取向性,而Pt衬底上薄膜在[110]、[116]晶向上具有择优取向性。     

提高声表面波滤波器带外抑制的一种方法

提出了一种提高非对称频响声表面波滤波器带外抑制的方法，即采用特殊设计的多条耦合器加吸声介质；接收叉指换能器选取适当加权，得到更低的旁瓣电平。这些措施使声表面波滤波器的带外抑制提高到－４５ｄＢ以上，陷波点－５５ｄＢ以上，矩形系数也大为改善     

660nm激光抽运LiTaO3:Cr3+晶体的激光运转

利用660nm的巨脉冲激光抽运一种新的激光晶体LiTaO3:Cr3+,获得了1mJ的901.6 nm巨脉冲激光输出.经BBO晶体倍频获得了450.8 nm的蓝绿激光输出.     

Double ion exchange for high-index waveguides in LiTaO/sub 3/

The authors describe the fabrication and properties of optical waveguides formed in Y-cut LiTaO/sub 3/ by simultaneous processing of zinc-lithium, proton-lithium and zinc-proton exchange in the melts K/sub 2/SO/sub 4/-Na/sub 2/SO/sub 4/-ZnSO/sub 4/-LiSO/sub 4/-KHSO/sub 4/ at 540 degrees C. A surface increase of the refractive index of 0.14 was observed for the extraordinary polarisation and 0.11 for the ordinary polarisation. The dynamics of the process is discussed.<>     

LiTaO3相位调制器扩频特性的研究

介绍一种利用开关微波信号调制LiTaO3电光晶体．实现对输入光扩频的方法。研究了LiTaO3相位调制器的理论模型．并给出了相应的计算公式。利用公式模拟、计算得到在一定做波功率调制下相位调制器输出的扩频光谱。给出了实际系统的框图，并对实际系统的输出光谱进行测量．得到在不同微波调制功率下的光谱图。对理论计算所得的输出光谱与实际系统的输出光谱进行分析．发现谱线情况较一致．仅对应的微波输入功率有差异．原因是实际系统中微波传输线阻抗不匹配．所需的实际微波功率比理论值大。该系统的电光晶体为LiTaO3．激光器工作波长为1053nm，微波频率为4．3GHz．开关信号是重复频率为1kHz．占空比为4：6的方波。使90％的光功率分散于主峰以及一、二次边频，且一、二次边频的功率近似相等。