S波段多注宽带速调管的研制

本文介绍了S波段200kW多注宽带速调管的研究工作。给出了多注速调管及其电子光学和聚焦系统、宽带输出电路的设计和计算结果。并给出了我国第一批实验型多注宽带速调管的性能:工作电压19kV时,控制极负偏压为7kV,脉冲电流32.25A,导流系数12.3P,电子注直流通过率91.8％。最大输出功率252kW,平均功率3.5kW,效率41％,增益49dB,带宽9.1％,带内功率波动1.7dB。     

8mm二次谐波回旋速调放大器的研究

对8mm高功率二次谐波回旋速调放大器进行了理论研究和优化设计,已研制出回旋速调放大器实验样管,并进行了热测实验,得到了如下结果:在中心频率为35GHz的情况下,得到的最大脉冲输出功率为180kW,效率为13%,增益为21dB;在电子束电压为58kV,电子束电流为25A的情况下,得到了150kW的输出功率,3dB带宽110MHz(0.3%).     

Ku 波段回旋行波管设计与分析

设计了用于Ku波段的介质加载回旋行波管。阐述了磁控注入电子枪的设计,采用均匀介质加载的结构来抑制回旋行波管的自激振荡,降低了回旋行波管的起振电流,同时提高了寄生模式的起振长度。设计了线极化输入耦合器。设计的回旋行波管工作电压为70kV,工作电流为10A,最大峰值功率210kW,最大功率处增益为35dB,3dB带宽为1.8GHz。     

西门子为北美的TransCanada’s Keystone扩建提供完整的抽制解决方案

为了满足强劲的客户需求，Armstrong已扩展了其集成有无传感器控制泵的IVS系列产品（先前最大功率为7．5kW），现包括变速驱动器模块，功率最高达55kW。     

关于抑制脉宽调制发射机的杂散辐射的一些经验

我国各地生产的10kW脉宽调制发射机的杂散辐射相对于载波场强来说,一般为—60～—70dB。为改善这项指标,我们做了一些工作,并取得一定成果。我们在一部200kW脉宽机上实验,其天线主向上的杂散辐射达到—80dB。以后将此经验用于黑龙江广播设备制造厂生产的10kW脉宽机,使杂散辐射也达到小于—80dB的水平。例如黑龙江省某转播台10kW脉宽机,在距天线约700米处,实测杂散辐射为—87dB。     

1kW单通道电视发射机的技术改造

淄博电视台发射中心使用的四频道１kW电视发射机是北京广播器材厂２０世纪８０年代生产的低电平中频调制，单通道电视发射机，使用了将近２０年。该机使用全分立元件的视、音频激励器（厚４６cm，宽７８cm，高５３．５cm，由３层３U高的标准机柜组成），输出功率为１W，整机使用两只电子管功率放大器：前机用６２０F，输出功率５０W，增益１７dB；末机用７３２F，增益１４dB，输出功率１kW。全分立元件的激励器参数易变，指标变化范围较大，稳定性较差；电子管容易老化，容易发生栅阴热碰极，工作中易发生打火，需要经常地对其工作状态…     

瓦级双包层光纤超荧光光源的实验研究

采用大功率半导体激光器抽运25m掺Yb双包层光纤，在单程装置中，前向(SPF)和后向(SPB)分别获得了1．46w和1．82w最大超荧光功率，斜度效率分别为23．4％0和29．2％，3dB带宽最大为11nm。采用特定范围波长双色镜作为前腔镜，形成双程前向(DPF)装置，获得最大超荧光输出功率2．12W，此时斜度效率为43．2％，中心波长在1070nm，输出光谱平坦性较好，3dB带宽从单程的11nm提高到42nm。     

定向耦合器的高功率小型化设计

利用奇偶模分析法对定向耦合器进行基本的描述与分析,利用HFSS软件辅助设计了一种三节3 dB定向耦合器。为解决此耦合器耐压低的问题,在耦合器的上下两板间引入了绝缘介质,设计了一种耦合为3 dB,最大输入功率不低于17 kW的定向耦合器。加入耦合介质,除了可以提高耦合器的输入功率外,还可缩减耦合器的尺寸,减小耦合器质量,并节约材料成本,从而实现了3 dB定向耦合器的高功率及小型化设计。     

高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

采用发射极基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load-pull测试表明：当工作频率为1GHz时，器件工作在AB类，该功率管最大输出功率为23.5dBm，最大功率附加效率达60%，P1dB的输出功率为21dBm，对应增益为16dB，工作电压为3.5V．     

高功率毫米波回旋器件实验研究

介质加载是解决回旋行波管振荡一个较好的方法,本文利用这种结构在Ka波段回旋行波管的实验中利用这种结构在工作模式TE01,加速电压66 kV,电子注电流13A得到了293 kW的峰值输出功率,最大增益56 dB,效率34.2％,3 dB带宽2.1 GHz的结果;介绍了W波段回旋行波管、回旋振荡管、Q波段回旋行波管的实验情况.     

Development of an S-band klystron with bandwidth of 11%

This letter introduces the design ideas, simulation and test results of an S-band klystron with bandwidth of 11%, which was developed by the Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences (IECAS).On the peak power level of 800 kW, the efficiency of klystron is more than 30%; the gain is more than 41 dB; the equal-driving relative instantaneous bandwidth is over 11%; the average power is larger than 8kW, and the power fluctuation within bandwidth is less than 1o5 dB.     

L波段3kW固态功率放大组件

设计了一种工作在L波段,带宽为100MHz,占空比为8%,脉冲宽度为100μs的3kW固态功率放大组件。组件采用两级放大,末级采用低插损的Wilkinson合成器合并4个850W高功率放大模块。通过优化匹配电路设计、合理选择储能电容和优化电路热设计,改善了组件增益平坦度和脉冲顶降,提高了组件热可靠性。测试结果表明,该功放在工作频率范围内输出功率>3kW,效率>30%,增益平坦度为0.3dB,脉冲顶降<0.8dB。     

C波段500 kW宽带速调管

在管子输出腔应用重叠模技术,开发了一种C波段宽带速调管,在输出峰值功率500 kW下,瞬时带宽大于4.7%,效率30%,增益43 dB。本文简要介绍了该管的设计研制思想、技术特点、计算模拟和测试结果。     

S波段1kW固态功率放大组件

设计了一种工作在S波段,频带宽度为400MHz,平均占空比≤10%,脉冲宽度≤200μs的1kW固态功率放大组件。组件采用四级放大结构,将5mW左右的激励信号放大到1kW,通过优化晶体管输入/输出匹配电路,应用三级Wilkinson功分/合成器,改善了组件增益平坦度和效率。测试结果表明,该组件在工作频率范围内输出功率≥1.2kW,效率≥30%,增益平坦度≤1.2dB。     

C波段高效风冷大功率速调管

叙述了一支C波段高效风冷大功率速调管的设计,并给出了实际测试结果,在50 MHz带宽范围内,峰值输出功率大于250 kW,效率达到50%以上,增益50 dB左右。     

A High-Gain, 28GHz, 200kW Gyroklystron Amplifier

A design study of a high efficiency/gain gyroklystron amplifier is performed to demonstrate amplified radiation power of 200kW operating at 28GHz. A key design feature of the present gyroklystron amplifier is that the amplifier is designed to be high gain so that it can be saturated by a low power solid state power amplifier. A non-linear, time-dependent, large signal numerical code is used to predict tube performance. Simulations predict that a stable amplifier radiation power of 214kW is produced with a saturated gain of 54dB, an electronic efficiency of 37%, and a frequency bandwidth of 0.3% from a five-cavity gyroklystron amplifier. The amplifier gain is found to be very sensitive to a beam velocity spread.     

Microwave p-i-n diodes and switches based on 4H-SiC

The 4H-SiC p-i-n diodes were designed, fabricated, and characterized for use in microwave applications. The diodes with mesa structure diameters between 80 and 150 /spl mu/m, exhibited a blocking voltage of 1100 V, a 100-mA differential resistance of 1-2 /spl Omega/, a capacitance below 0.5 pF at a punchthrough voltage of 100 V and a carrier effective lifetime between 15-27 ns. X-band microwave switches based on 4H-SiC p-i-n diodes are demonstrated for the first time. The switches exhibited insertion loss as low as 0.7 dB, isolation up to 25 dB and were able to handle microwave power up to 2.2 kW in isolation mode and up to 0.4 kW in insertion mode.     

Raman amplification in fluoride glass fibres

We report on stimulated Raman multi-Stokes scattering and Raman amplification in slightly multimode fluoride glass fibres. Raman gain in excess of 40 dB has been obtained in an 18 ?m-diameter, 10 m-long fibre with a pump power in the order of 1 kW.