磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响，指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射，过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜沉积速率的影响

实验以合金靶材在玻璃衬底上运用直流反应磁控溅射法制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.研究了O2气流量,衬底温度,以及反应气压和溅射功率等工艺参数对ZAO薄膜沉积速率的影响规律.结果表明:沉积速率随O2气流量的增加显著降低,靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式,而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显;沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增加,但随衬底温度的变化并不大;在反应气压增大的情况下,沉积速率不断上升,达到最大值后,又随气压的增大不断下降.     

气体流量比对反应溅射Si3N4薄膜的影响

利用射频磁控反应溅射法，以高纯Si为靶材，高纯N2气为反应气体，在Si衬底上制备出了Si3N4薄膜，研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明，薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关，随着气体流量比的增加，沉积速率下降，靶面的溅射由金属模式过渡到氮化物模式；薄膜中N／Si的原子比增加；红外吸收谱的Si—N键的振动峰向标准峰逼近。     

磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电膜的性能研究

选择ZnO2与Al2O3质量比为97：3的靶材为溅射源,用射频磁控溅射法室温下在玻璃基底上沉积AZO／Ag／AZO薄膜,讨论了氧流量变化对薄膜透光率、方阻及表面形貌的影响并深入分析了机理。研究结果表明,氧流量变化会导致薄膜沉积厚度的变化,氧流量为4时薄膜沉积速率最快。沉积AZO时充入氧气会使整个膜系的透光率不随Ag层增厚明显降低,并且会使膜系的方阻降低。在最优氧流量为4L／min（标准状态下,下同）上下各沉积59nm的AZO与氧流量为0时沉积33nm银层相匹配的复合膜在可见光区（包括基底）的透光率达到90％,方阻为2．5Ω/□。     

磁控溅射工艺对沉积丙纶无纺布基底金属薄膜的影响北大核心CSCD

本文利用直流磁控溅射法在丙纶无纺布基底沉积铜、不锈钢及氧化铜薄膜,研究了本底真空度、工作气体流量、溅射功率、工作气压等溅射工艺参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度和表面形貌的影响规律,测试了镀膜前后样品的抗紫外和抗红外性能。结果表明,一定范围内的本底真空度的变化对成膜性能影响很小;存在一个比较合适的氩气流量大小和工作气体压强范围,使得沉积速率最大;沉积速率与溅射功率成正相关关系。经测试,镀铜膜后的织物抗紫外性能明显提高。     

磁控溅射工艺对沉积丙纶无纺布基底金属薄膜的影响

本文利用直流磁控溅射法在丙纶无纺布基底沉积铜、不锈钢及氧化铜薄膜,研究了本底真空度、工作气体流量、溅射功率、工作气压等溅射工艺参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度和表面形貌的影响规律,测试了镀膜前后样品的抗紫外和抗红外性能。结果表明,一定范围内的本底真空度的变化对成膜性能影响很小;存在一个比较合适的氩气流量大小和工作气体压强范围,使得沉积速率最大;沉积速率与溅射功率成正相关关系。经测试,镀铜膜后的织物抗紫外性能明显提高。     

TiO_2磁控溅射工艺参数对薄膜沉积速率的影响

为了经济、有效、准确地在线测量光学薄膜厚度,采用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜。用自制的简易监测系统对TiO2薄膜在生长过程中的沉积速率进行了即时测量,研究了射频功率、气体流量、工作气压等工艺参数对TiO2薄膜沉积速率的影响规律。结果表明:沉积速率监测系统对膜厚变化反应灵敏,能够实时监测薄膜生长速率;溅射过程中,射频功率、氧氩流量比和工作气压对薄膜沉积速率有较大的影响,射频功率从120 W增加到240 W,薄膜沉积速率增加;氧气流量从1 mL/min增加到5 mL/min,薄膜沉积速率先逐渐增大后减小,存在一个临界点;工作气压从0.3 Pa增加到0.8 Pa,薄膜沉积速率缓慢增加,但临界点后迅速下降。     

气体流量比对反应溅射Si3N4薄膜的影响

利用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在Si衬底上制备出了Si3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响.结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着气体流量比的增加,沉积速率下降,靶面的溅射由金属模式过渡到氮化物模式;薄膜中N/Si的原子比增加;红外吸收谱的Si-N键的振动峰向标准峰逼近.     

溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响

本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜,研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构,膜中三元素Ｓｉ、Ｃ和Ｎ两两之间形成了共价键．Ｎ分压的提高降低了薄膜的沉积速率．Ｎ流量的提高使光学带隙增大．溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高,但使得光学带隙减小．     

工艺参数对a-CNx膜沉积的影响

研究了基本工艺参数对磁控溅射制备无定形氮化碳薄膜沉积的影响。实验结果表明,Ｎ２流量的增加提高了膜的沉积速率,同时提高了膜中氮含量,溅射功率的提高增加了沉积速率。偏压对硬质膜的制备是一关键的工艺参数,它不仅使薄膜致密、表面光滑、而且还可以提高膜中的Ｎ含量。     

不同溅射功率下PEN/Ti纳米复合薄膜的制备及性能研究

采用直流磁控溅射法,在溅射气压为7.0×10~(-1) Pa和不同溅射功率(72～144W)下,制备出PEN/Ti纳米复合薄膜。研究了不同溅射功率对Ti膜微观组织、表面粗糙度、硬度及生长方式的影响规律。结果表明,直流磁控溅射法在PEN柔性衬底上沉积的钛膜是一种纳米多晶薄膜;随着溅射功率的增加,钛膜沉积速率及钛膜弹性模量皆升高,而钛膜表面粗糙度与钛膜晶粒尺寸均减小;溅射功率的增加将抑制钛膜柱状生长方式。在溅射气压为7.0×10~(-1) Pa,溅射功率为144 W时的工艺参数下,获得性能最佳的复合薄膜。     

新型工艺制备ZnO薄膜的结构与形貌研究

采用了一种新型工艺制备ZnO薄膜。新工艺采用二步法,首先在N型Si(100)衬底上用离子束沉积溅射一层金属Zn膜,然后通过热氧化金属Zn膜制备ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜对不同制备工艺下的ZnO薄膜进行结构与形貌的分析比较。研究表明,Zn膜的离子束溅射沉积时间、热氧化时间和辅助枪的离子束对热氧化后的ZnO薄膜再轰击处理对ZnO薄膜的结构与形貌都会产生影响。     

中频磁控反应溅射AlN薄膜及微观结构研究

采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明,通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜。在化合物沉积模式下,增加溅射功率和增加反应气体流量均有利于获得非晶态AlN薄膜,并且减小薄膜表面粗糙度,获得光滑的AlN薄膜,并采用薄膜生长原理对这种现象进行了解释。     

艺参数对 a-CNx膜沉积的影响

研究了基本工艺参数对磁控溅射制备无定形氮化碳（ａ－ＣＮｘ）薄膜沉积的影响．实验结果表明：Ｎ２流量的增加提高了膜的沉积速率,同时提高了膜中氮含量．溅射功率的提高增加了沉积速率．偏压对硬质膜的制备是一关键的工艺参数,它不仅使薄膜致密、表面光滑,而且还可以提高膜中的Ｎ含量．     

SmCo薄膜磁控溅射沉积速率的影响因素

SmCo薄膜的厚度是影响其磁性能的重要因素,而沉积速率是控制薄膜厚度的关键。采用直流磁控溅射工艺制备SmCo薄膜,设计正交实验并通过数理统计方法研究了溅射工艺参数中溅射功率、靶基距及氩气压强对SmCo薄膜沉积速率的影响,并同时考察了不同厚度SmCo薄膜的磁性能变化规律。研究结果表明:溅射功率与靶基距都对薄膜的沉积速率有较大的影响,其中在溅射功率为40~120W范围内时,随着溅射功率的增大SmCo薄膜的沉积速率逐渐提高;在靶基距为50~70mm的范围内,SmCo薄膜的沉积速率随靶基距的增大而逐渐降低;而在氩气压强处于0.7~1.5Pa范围内时,SmCo薄膜的沉积速率几乎不随氩气压强的改变而变化。在溅射功率为80W、靶基距为60mm及氩气压强为1.1Pa的工艺条件下,SmCo薄膜的沉积速率具有很好的稳定性。随膜厚从0.59μm增加到0.90μm,SmCo薄膜的矫顽力由23.4kA/m降低到8.2kA/m。     

直流磁控溅射制备铝薄膜的工艺研究

采用直流磁控溅射方法，以高纯Al为靶材，高纯Ar为溅射气体，在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜，并对铝膜的沉积速率、结构和表面形貌进行了研究。结果表明：A1膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大；随着溅射气压的增加，沉积速率先增大，在一定气压时达到峰值后继续随气压的增大而减小。X射线衍射图谱表明Al膜结构为多晶态；用扫描电子显微镜对薄膜进行表面形貌的观察，溅射功率为2600W，溅射气压为0．4Pa时制备的Al膜较均匀致密。     

氧等离子体辅助原子层沉积氧化铝的研究

本文研究氧等离子体辅助原子层沉积氧化铝中各个沉积参数对薄膜性能和结构的影响。在氧等离子体辅助原子层沉积氧化铝的过程中,通过改变基底温度、等离子体放电时间、等离子体放电功率、单体三甲基铝冲洗时间和反应气体氧气冲洗时间,研究了工艺参数对于氧化铝的生长的影响。通过发射光谱仪(OES)对等离子体进行检测,原子力显微镜(AFM)和椭偏(SE)对薄膜表面形貌、厚度和折射率进行测量及SEM对薄膜断面进行检测。结果显示,在室温下氧等离子体辅助氧化铝沉积需要较长的单体三甲基铝的冲洗时间才能得到粗糙度小的薄膜,薄膜沉积速率随温度的升高而减小(低的沉积温度),薄膜的折射率则变大。而等离子体在40W到80W的低放电功率下,放电功率对氧化铝的沉积速率影响不大。     

磁控溅射工艺对Mo膜性能的影响

采用中频磁控溅射方法制备用于CIGS薄膜太阳能电池背电极的Mo膜。研究了靶面磁场强度、溅射气压、溅射电流等工艺参数对Mo膜沉积速率、电阻率、形貌及应力的影响。研究表明:随着靶面磁场强度的增强,Mo膜电阻率和沉积速率均下降;使用较高的溅射电流可以获得较高的沉积速率和较低的电阻率,使用较低的溅射气压可以获得较低的电阻率和较高的沉积速率。在本试验条件下制备的Mo膜基本上呈现拉应力状态并且随溅射气压的升高而增大。     

铝薄膜结构第一镜氢离子溅射特性研究

采用电子束蒸发镀膜工艺,在不同的基底材料上镀制了Al和Al2O3/Al薄膜,研制了国际热核聚变实验堆光学诊断中用具有较高反射率薄膜第一镜。通过中频脉冲偏压方法产生氢等离子体,对薄膜第一镜在氢等离子溅射下性能及特性进行比较分析。研究结果表明:在本实验氢离子溅射条件下,第一镜样品表面污染物的沉积速度大于溅射速度,样品表面沉积了少量的真空室内物质,通过X射线光电子能谱分析证实金属污染物均为氧化物,对光谱反射率影响较小。而由于基底和膜层结构的不同,薄膜第一镜自身结构的稳定性差异较大,其中Al/SS304和Al2O3/Al/Si O2样件表现出很好的耐等离子溅射稳定性,可以成为第一镜的备选方案。     

溅射靶功率对氮化碳薄膜结构的影响

利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术,在Si(100)上制备氮化碳薄膜,并对薄膜进行了拉曼(Raman)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子谱(XPS)等结构的表征.发现溅射靶功率对制膜工艺、薄膜的结构和表面形貌产生很大影响.随着溅射靶功率的增大,薄膜的沉积速率减小,表面粗糙度增大,薄膜结构中的sp2含量增加.