纳米与纳米技术的展望

本文从纳米的概念、纳米技术等多方面论述了纳米技术在社会活动中的应用和展望,提出纳米技术将会领导下一场工业革命。     

浅析纳米技术的新进展

本文简要介绍了美、日、俄等国在纳米技术方面的新成果，论述了目前我国纳米技术在各个领域中的研发及应用情况，从而说明纳米技术前景蔚然。     

公众在纳米技术创新的角色与纳米技术传播

本文首先从理论上分析公众在纳米技术创新中的角色,然后从国内＂纳米热＂现象出发,分析当前社会公众对纳米技术认知的特点以及科学传播中存在的不足,最后借鉴国外经验,就如何加强纳米技术传播提出相关对策。     

纳米器件从实验阶段进入开发阶段

实验室中的纳米器件层出不穷 纳米技术是应用尺寸小于100nm的零部件建造电子产品的科学技术,正在从实验阶段向开发阶段转移.有些人把纳米技术看作可以保证摩尔定律继续有效的"秘方".如今无论在政府部门,或者在商业界,纳米技术都是一个热门话题.     

纳米电子技术未来发展展望

纳米技术是高精尖技术中的一种,在未来将会运用到种类极其繁多的领域之中。纳米技术也是提升国家综合竞争力进行科技压制的必然选择。纳米电子技术则是基于纳米技术发展演变而来应用与电子产品制造领域的新技术,是推动未来信息化发展的重要手段。渐渐的,纳米电子技术未来的发展方向受到越来越多相关领域专家的关注。     

纳米技术在太阳电池中的应用进展

综述了纳米技术在太阳电池中的应用及研究进展,包括染料敏化太阳电池(DSSC)、硅纳米太阳电池以及近年来成为研究热点的碳纳米管太阳电池等。分别针对二维硅纳米薄膜和一维硅纳米线在太阳电池中的应用,以及碳纳米管用于无机太阳电池、有机太阳电池和染料敏化太阳电池的研究进展进行了系统的阐述。通过分析发现,纳米技术的引入为传统太阳电池高成本和低光电转换率的瓶颈问题提供了很好的解决途径,并进一步提出利用纳米技术实现高效太阳电池转化效率的新思路。     

安捷伦助力中国纳米技术发展

安捷伦科技于15日在北京举办了安捷伦首届纳米技术与测量解决方案研讨会。研讨会设有七大主题，分别是“安捷伦在纳米技术中的贡献”；“多用途的扫描探针显微镜”、“碳管场效应晶体管的纳米探测和评估”、“纳米器件的阻抗测量”、“纳米技术中的材料分析”、“使用脉冲发生器检定纳米器件”和“用于纳米技术研究的通用仪器”。在此次研讨会上，安捷伦原子力显微镜、半导体器件分析仪、阻抗分析仪、材料分析仪、脉冲发生器和其它通用仪器的专家们，在会议现场进行了测量仪器的演示。     

浅谈纳米科技在太阳能电池中的研究进展

随着社会的不断进步,科技的不断发展,我国各个领域均得到了很好的发展,尤其在绿色能源开发利用方面,其很好地改善了我国能源匮乏的局面,也推进了技术发展的步伐.纳米技术如今成为了此方面的重要技术之一,因此其应用现状、进展以及发展趋势如何均受到了社会各界的广泛关注.本文通过查阅相关资料,简要介绍了太阳能电池的技术特点、纳米技术在太阳电池中的应用,以及纳米技术的应用展望,以期能够为我国纳米技术方面的发展提供有价值的参考.     

纳米材料在电子互连中的应用

概述了纳米技术和纳米材料在电子领域的发展和研宄的情况,特别是纳米颗粒在介质材料、薄膜电路、电子封装underfill材料,同时还着重介绍了纳米技术在喷墨打印电路中的应用,超级喷墨打印技术和液电动态打印技术以及目前所能达到的技术水平。     

电子对抗及其设备

0119293纳米技术的发展及其在电子战中的应用[刊]/刘春生//航天电子对抗.—2001,(3).—46～48,封三(D)介绍纳米技术的发展现状和应用的关键技术,对纳米技术在军事上的应用前景进行了探讨。参501192943比特相位量化 DRFM 的相位校正[刊]/陶建峰//航天电子对抗.—2001,(3).—42～45(D)     

激光晶化制备Fe基纳米软磁材料的研究进展

综述了激光非晶晶化制备Fe基纳米软磁材料的国内外研究进展和现状.介绍了Fe基纳米软磁材料的双相组织结构和性能特征及应用领域;对比分析了传统退火晶化和激光晶化制备技术的优缺点;阐述了研究激光纳米晶化技术的重要意义和理论价值.提出了激光晶化技术制备Fe基纳米软磁材料需要重点系统研究的课题和方向.     

激光重熔法制备Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶块材

通过激光快速熔化Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带,微小的熔池快速凝固后直接得到具有纳米晶结构的块材.纳米晶结构的块材的尺寸决定于激光重熔工艺.当激光的输入光斑直径为20mm~40mm、输出光斑直径约为2mm、激光的扫描速度为5mm/s时,可以得到2mm深度,长度与宽度不限的纳米晶块材.组织分析表明,得到的纳米晶块材的晶化主相是α-FeSi相,其晶粒尺寸大约为25nm,同时,还有球状Nb富集区生成.     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

超声法制备TiO2纳米棒及其光催化性质的研究

研究了TiO2纳米棒的制备和形成机理及其在光催化降解活性艳红中的应用。采用超声法,以TiCl4为原料,制备了纳米TiO2。SEM结果显示所制备的TiO2为棒状结构,直径30 nm左右,长约200 nm。比表面积为60.500 7 m2/g。XRD显示其为金红石型晶体,700℃烧结后结晶程度增强,形貌保持不变,比表面积降到37.963 2 m2/g。超声法制备的TiO2纳米棒700℃烧结后应用于光催化降解活性艳红时,降解率高达98.94%,表现出优于P25的催化活性。     

RF反应磁控溅射纳米晶ZnO薄膜的XRD和XPS研究

采用RF反应磁控溅射沉积ZnO薄膜,沉积完成后对薄膜进行氧气氛下的原位退火处理。薄膜的结晶状况和化学成分分别采用XRD和XPS进行分析。结果表明,该薄膜为结晶性能良好的纳米晶薄膜,具有高度的C轴取向性。薄膜的主要成分为ZnO,不存在金属态Zn。采用文中的工艺方法可获得较高质量的纳米晶ZnO薄膜。     

纳米晶材料的软化学制备技术

介绍了软化学制备纳米晶材料的各种制备方法及其优缺点。重点介绍了沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法、低温燃烧合成和溶胶-凝胶自燃烧法的工艺原理、特点及其合成实例。     

sol-gel法制备纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉及发光性能

以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用sol-gel法制备了纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉,对其结构、形貌、晶粒尺寸及光致发光性能进行了研究。结果表明:采用sol-gel法制备工艺,经过800℃煅烧4h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉,其最佳激发波长为395nm,最佳掺杂量为x(Eu3+)=10%,此时最强的发射峰出现在617nm附近,可以用作红色发光材料。     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上,信息传输速度,储存和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现在的集成电路是采用硅材料,而发光器件则用ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体。Ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟。因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Ｓｉ／ＳｉＯ_２等超晶格结构材料,并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。     

Optical and Surface Characteristics of Mg-Doped GaAs Nanocrystalline Thin Film Deposited by Thermionic Vacuum Arc Technique

Magnesium (Mg) is the most promising p-type dopant for gallium arsenide (GaAs) semiconductor technology. Mg-doped GaAs nanocrystalline thin film has been deposited at room temperature by the thermionic vacuum arc technique, a rapid deposition method for production of doped GaAs material. The microstructure and surface and optical properties of the deposited sample were investigated by x-ray diffraction analysis, scanning electron microscopy, energy-dispersive x-ray spectroscopy, atomic force microscopy, ultraviolet–visible spectrophotometry, and interferometry. The crystalline direction of the deposited sample was determined to be (220) plane and (331) plane at 44.53° and 72.30°, respectively. The Mg-doped GaAs nanocrystalline sample showed high transmittance.     

锐钛矿TiO_2的水热法制备以及紫外光降解甲醛

用硫酸钛水热法制备了纳米TiO2光催化剂,研究了纳米TiO2的形态结构特征及其光催化性能,并探讨了甲醛溶液的初始pH值和初始浓度、TiO2用量、降解温度和时间对光催化降解反应的影响。结果表明,制备的锐钛矿TiO2产物平整而密实,它由八面体结构的TiO2纳米晶大面积自组装而成。在35℃降解温度下采用254nm紫外光源照射1h后,锐钛矿TiO2对甲醛的降解率达到51.10%,2h后达68.42%。