Fe2O3掺杂量对BaBiO3基陶瓷电性能的影响

为改善BaBiO<,3>基热敏陶瓷的NTC性能,采用固相合成法制备了Fe<,2>O<,3>掺杂的BaBiO<,3>基热敏陶瓷.研究了Fe<,2>O<,3>掺杂量对BaBiO<,3>基陶瓷微结构与电性能的影响.结果表明:随着Fe<,2>O<,3>掺杂量的增加,BaBiO<,3>基陶瓷的B<,25/85>值与室温电阻率均先...     

NTC热敏陶瓷Ni0.66Mn2.34-xCoxO4的电性能研究

采用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Ni0.66Mn2.34-xCoxO4(0相似文献   

Mn的形态对NTC热敏陶瓷性能的影响

以MnO2及MnCO3为锰的引入源,研究了锰的引入形态对Mn-Co-Ni三元系NTC热敏陶瓷电性能的影响。结果表明:锰的引入形态对材料的阻温特性无根本的改变,但对材料的室温电阻及B值有很大的影响,且随着MnCO3含量的增加呈U型变化。     

Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响

为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。     

TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。     

K~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

用传统的固相法制备了具有NTC特性的K+掺杂BaBiO3基陶瓷。研究了K+掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的B25~85值和室温电阻率ρ25均随着x(K+)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(K+)为20%时,得到了具有较好NTC特性的陶瓷样品,其室温电阻率ρ25为1500?·cm,B25~85值为3176K。     

Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的制备与复阻抗分析

采用传统固相反应法制备了Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷,运用X射线衍射仪、直流阻温测试仪、交流阻抗技术对其结构和电学性能进行了测试,并对Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的微观导电机理进行了分析.结果表明:Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷由立方尖晶石相和岩盐相NiO组成.其电阻主要来源于晶粒和晶界的贡献,在293～363 K测试温区内,其晶粒电阻和晶界电阻都表现出明显的NTC特性,且两者导电机理均符合小极化子跳跃电导模型,晶界电阻受岩盐相NiO的影响大于晶粒电阻.     

Nb掺杂量对SrBiFeO基陶瓷NTC特性的影响

采用传统固相法,按化学式Sr0.65Bi1-xFe0.35NbxO3(x=0.01,0.02,0.05,0.10和0.20)制备了具有NTC特性的Nb掺杂SrBiFeO基陶瓷试样。研究了Nb掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的ρ25和B25/85值随着Nb含量的增加都呈现增加趋势;在25~200℃的测试温区内,其电阻率–温度特性呈现近似的线性关系;当x为0.05时,线性关系较好,其中ρ25的值约为6700?·cm,B25/85值约为3540K。     

不同施主掺杂对(Sr0. 3Ba0. 7) T iO 3 系热敏L PTC 电阻率的影响

本文研究了Nb2O5、Y2O3或Sb2O3不同施主掺杂对(Sr0.3Ba0.7)TiO3热敏陶瓷LPTCR的影响,并讨论了不同施主掺杂的不同半导体机理。发现在本实验条件下掺Nb的（Sr0.3Ba0.7)TiO3热敏陶瓷为缓变形LPTC,掺Sb和Y的（Sr0.3Ba0.7)TiO3热敏陶瓷为突变形LPTC,且掺Sb的LPTC线性度最好,线性温区较宽。     

B2O3对BMT微波陶瓷结构及介电性能的影响

研究了w(B2O3)=0.5%～3.0%(质量分数)对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明,B2O3掺杂可促进烧结,当w(B2O3)=1%时,BMT陶瓷致密化烧结温度降至1 200℃左右,其表观密度ρ=7.306g/cm3,相对密度达到95.7%,同时,陶瓷体系获得了良好的介电常数εr=22.08,品质因数Q.f=88 000GHz(10GHz),频率温度系数τf=3.3×10-6/℃。     

Cr/PTC陶瓷复合材料的研究

研究了Cr／BaTiO     

Bi_2O_3掺杂对Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻性能的影响

通过在Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻器(NTCR)配方中掺杂质量分数x%的Bi2O3(x=0,0.5,1,2.4,4.8,7),采用传统固相反应法制备了单层圆片式热敏电阻元件,研究了该元件的微观结构和电性能。实验结果表明:Bi2O3存在于晶界处,Bi2O3的存在增大了元件的晶粒尺寸,同时影响元件的气孔率。Bi2O3的引入降低了元件的室温电阻率,拓宽了元件的使用温区。当Bi2O3的添加量为质量分数4.8%时,元件具有较低的室温电阻率(6?·cm)及较宽的使用温区(室温~240℃)。     

具有核壳结构材料的薄膜热敏电阻

分别采用巯基丙酸包覆的银(Ag/MPA)和十二胺包覆的硫化银(Ag2S/DDA)纳米粒子通过涂布和煅烧两步法在低温下获得了Ag2S-Ag核壳结构薄膜热敏电阻(NTCR)和Ag2S薄膜NTCR.使用扫描电子显微镜(SEM)对Ag2S-Ag核壳结构薄膜形貌进行了表征,使用X射线衍射光谱仪(XRD)与透射电子显微镜(TEM)对薄膜粒子组成、结晶度及结构进行了测试分析,研究了不同制备条件下的Ag2S-Ag核壳结构薄膜NTCR的热敏电阻系数(NTC)特性,根据ASTM D3359附着力测试标准分析了薄膜对基底的附着力.结果表明,所制备器件膜厚均匀且表面平整,器件的膜厚为1.64 μm,热敏系数B、零功率电阻温度系数αT和电子活化能Ea值分别为2 707 K,-32 234× 10-6K-1和5.533×10-3 eV,附着力测试评价达5A.与Ag2S薄膜NT-CR相比,Ag2S-Ag核壳结构薄膜NTCR具有更优的NTC特性,膜厚可控,具有高灵敏度及环境适应性.     

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。     

纳米粉体对NTC热敏电阻性能的影响

用溶胶凝胶法制备金属氧化物纳米粉体，经等静压成型，高温成瓷制成ＮＴＣ热敏元件，实验表明用这种材料做成的热敏元件的一致性大大提高，优于常规方法制作的热敏元件。     

MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性.结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO) =5％时,小电流电阻率为178 Ω·cm,电阻温度系数为－1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化.     

乐甫波器件温度特性实验研究

研究了基于ST-90°X石英基片和SU-8波导层的乐甫波器件的温度特性。采用电极宽度控制单向单相(EWC/SPUDT)结构和铝电极,设计制作了具有单一模式控制功能和低插入损耗的150 MHz剪切型声表面波(SH-SAW)延迟线器件,并在其表面涂覆不同膜厚的SU-8声波导层构成系列乐甫波器件。由于SU-8波导层与石英基片温度系数的相反极性特性,SU-8膜厚直接影响到了乐甫波器件的温度特性。实验发现,覆盖不同膜厚的SU-8的乐甫波器件的中心频率随温度呈非线性变化,且在60~80℃内,SU-8膜厚为0.95μm时,其频率温度系数约为0.830×10-6/℃。     

Temperature Dependence of Electrical and Thermal Conductivities of an Epoxy-Based Isotropic Conductive Adhesive

The temperature dependence of the transport properties, including electrical and thermal conductivities, of a practical isotropic conductive adhesive (ICA) including an epoxy-based binder was investigated in order to comprehensively evaluate the physical changes induced during exposure to elevated temperatures. The ICA specimens were cured and post-annealed under various conditions in order to clarify the effect of curing state of the adhesive binder on the electrical resistivity. The electrical resistivity at ambient temperature tends to decrease with increasing curing temperature, even if the samples exhibit full conversion. In addition, an annealing effect, resulting in a deviation from a linear relationship in the temperature dependence of resistivity, can be induced during the heating process experienced during resistivity measurements. However, the ICA specimens exhibited similar values for the temperature coefficient of resistivity (TCR), regardless of the curing and post-annealing conditions in the temperature range where the annealing effect is rarely induced, although the thermal history of the specimens significantly influences the absolute values of electrical resistivity. The temperature dependence of the thermal conductivity is almost accounted for by the decrease in the contribution of conducting electrons in the temperature range below the glass-transition temperature, T _g.     

Sn-Ge改性BCZT无铅压电陶瓷的结构与性能

采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_0.85Ca_0.15)(Zr_0.09Ti_0.91-_2xSn_xGe_x)O₃(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x-=0.032时,该体系的居里温度最高(为122 ℃)。     

用于平面光波导的控温模块的设计与制作

研制了一种用于平面光波导(PLC)的控温模块。该模块采用比例微分积分(PID)控制回路控温,针对PLC控温特点,采用了优化模块的导热与散热,调整控温电路中的PID参数并采用H桥电流输出等方案对整个控温模块进行了优化设计。该模块体积小,长宽高分别为7 cm×6 cm×4 cm;控温面积为3 cm×3 cm,适用于大尺寸的PLC芯片;控温范围广,从0~70℃;控温速率快、精度高,能将温度稳定到±0.15℃内。