多孔氧化铝模板制备ZnS∶Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板。利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS∶Mn纳米晶。对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试。结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致。对ZnS∶Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS∶Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS。从电负性角度讨论了ZnS∶Mn纳米晶的形成机制。     

ZnS∶Er,Yb量子点的水热法制备及其表面修饰

以硫代硫酸钠和亚硫酸钠为反应原料,水热法合成了Er,Yb掺杂的ZnS量子点。利用X线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和荧光分光光度计分别对合成的ZnS量子点的物相、形貌和荧光性能进行分析。研究结果表明,合成的ZnS∶Er和ZnS∶Er,Yb均是ZnS闪锌矿结构,粒径约(5~10)nm,形状近球形。荧光光谱测试结果表明,ZnS∶Er量子点在530nm处获得了Er离子~2 H_(11/2)→~4I_(15/2)能级的发射峰。随着Er的摩尔分数增加,ZnS∶Er量子点的荧光强度先增加后降低,且x(Er)=2%、x(Yb)=1%时荧光效果最好。对掺杂量为x(Er)=2%、x(Yb)=1%的ZnS量子点采用SiO_2进行包覆后,量子点的表面缺陷得到抑制,Er离子的发光峰明显增强,且硅酸乙酯的包覆量为1.5%时发光强度最大。     

多孔氧化铝模板制备ZnS:Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板.利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS:Mn纳米晶.对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试.结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致.对ZnS:Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS:Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS.从电负性角度讨论了ZnS:Mn纳米晶的形成机制.     

ZnS∶Er纳米晶的水热合成及其性能研究

该文以硫代乙酰胺为硫源,采用水热法合成了ZnS∶Er纳米晶。并用X线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X线光电子能谱仪(XPS)、荧光光谱仪对其物相、形貌、组成及光学性能进行了表征。结果表明,ZnS∶Er纳米晶为立方闪锌矿结构,粒径约为5nm。由XPS图谱可知,ZnS∶Er纳米晶中存在Zn、S、C、O、Er等元素。ZnS∶Er纳米晶荧光光谱中出现了2个主要发射峰,分别位于469nm和583nm处。两发射峰的发光强度随着pH的升高而增强且发光峰的位置存在微弱的蓝移,pH=12时,两发射峰的荧光强度最强;随着Er3+掺杂量的增加,469nm处发射峰的强度先增强后减弱,583nm处发射峰的强度随之减弱。     

锰掺杂ZnO稀磁半导体的制备及铁磁性能

用溶胶-凝胶法,在超声波辅助条件下制备了Mn掺杂ZnO(Zn1-xMnxO,x≤0.05)稀磁半导体(DMS)纳米晶粉末样品.用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、超导量子干涉(SQUID)测磁仪分别对样品形貌、结构和磁性能进行了表征.较低的掺杂浓度下样品很好地保持ZnO的纤锌矿结构,随着掺杂浓度x的增加,样品的晶格常数近似线性增大,没有观察到杂质相.样品Zn0.98Mn0.02O显示了很好的铁磁性,居里温度在350 K以上.     

ZrO_2∶Er~(3+)/Yb~(3+)/Li~+纳米晶的上转换荧光特性与温度传感研究

用溶胶-凝胶法制备ZrO_2∶Er~(3+)/Yb~(3+)/Li~+纳米晶,研究上转换发光强度随着Li~+掺杂浓度的变化关系。根据荧光强度比测温技术,在303 K~753 K温度区间,研究荧光峰积分强度比和荧光峰峰值比对ZrO_2∶Er~(3+)/Yb~(3+)/Li~+纳米晶测温性能的影响。当采用525和562 nm处的峰值比时,在440 K获得最大的测温灵敏度为0.0050 K~(-1)。     

氢稀释对nc-Si∶H薄膜结构和光致发光的影响

基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发光性能的影响。随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的纳米晶硅尺寸单调减小,而晶化率提高。键合结构分析表明,随着氢稀释比增加,nc-Si∶H薄膜中氢含量和Si—H键密度均减小。综合在不同氢稀释比下纳米晶硅尺寸变化、PL峰位移动及PL峰强度变化等特征,nc-Si∶H室温PL光谱被归因于纳米晶硅的量子限制效应。当氢稀释比由96%增大至97%时,氢的钝化作用使PL峰强度升高;当进一步增加氢稀释比至98.5%时,由于H2的生成,使氢的钝化效果显著降低,导致PL峰强度降低。     

掺杂浓度对BaF2:PbWO4闪烁晶体发光性能的影响

用多坩埚温度梯度系统生长了一批不同掺杂浓度的BaF2:PbWO4晶体,研究了这些晶体的透过光谱、x-射线激发光谱(XEL)与晶体掺杂浓度的关系,结果发现合适浓度的掺杂增加了晶体的透过率、XEL光谱强度,并使XEL光谱峰红移.当掺杂浓度1000mol-ppm浓度时,晶体的透过率明显增大、XEL光谱强度明显增强.当掺杂浓度...     

ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维的制备及性能分析

采用绿色化学方法、通过使用对环境友好无危害的橄榄油,结合静电纺丝技术,成功制备了ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维。通过扫描电镜和X射线衍射对复合纳米纤维结构进行表征,通过光致发光研究了复合纳米纤维的光学性质。扫描电镜结果表明ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维的直径约为300 nm,X射线衍射仪结果显示ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维具有ZnS立方闪锌矿结构。光致发光光谱表明ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维在590 nm处具有较强的尖锐发射峰,实现了Mn2+的特征发射。ZnS∶Mn/PVA复合纳米材料是一种非常好的发光材料,有望在光电领域得到应用。     

CuS纳米掺杂聚合物光伏器件中的电荷传输

制备了CuS纳米颗粒掺杂聚合物MEH-PPV的光伏器件.研究了3种MEH-PPV/CuS掺杂比例(1∶1.00、1∶1.25、1∶2.50)光伏器件的光电流响应谱与动态双脉冲光电流响应,结果表明:CuS良好的导电性可以改善器件中的载流子传输,从而提高光电流响应值;在较低的CuS纳米颗粒掺杂浓度下,MEH-PPV与CuS纳米颗粒间形成的界面有可能造成电荷积累,会直接影响到光电流响应值;在CuS纳米颗粒掺杂浓度较高时,电荷积累现象基本消失,这是因为高浓度时形成的聚集相改善了两种载流子的传输,抑制了MEH-PPV/CuS界面的电荷积累.     

CdCl2后处理的Mn掺杂钙钛矿纳米晶光学性能及其白光LED

Mn²⁺离子掺杂全无机钙钛矿(Mn²⁺∶CsPbX₃,X=Cl, Br)纳米晶(NCs)具有宽发射带、长斯托克斯位移和高量子产率等优势,在固态照明、光电探测和成像等领域有广阔应用前景。然而,目前Mn²⁺掺杂的钙钛矿晶体量子产率很难超过70%,如何改善发光效率,同时调控Mn离子发射中心成为构建高质量白光LED的关键。文章通过CdCl₂后处理技术,进行室温下阳离子交换,获得了高效发光的Cd²⁺和Mn²⁺共掺杂的CsPbCl₃纳米晶。Mn的发射波长可以从604 nm连续调控到624 nm,实现稳定的红光发射。Cd离子掺杂改善了Mn-Cl八面体的晶体场环境,使Mn衰减寿命提高到1.32 ms。此外,通过绿色CsPbBr₃纳米晶和蓝-橙双色Mn∶CsPb(ClBr)₃纳米晶构建了高显色指数的暖白光发光二极管(WLED),其流明效率达60 lm/W,显色指数超过85。     

La-,Ca-PbTiO3纳米晶的结构和声子特性

采用水热法制备了不同掺杂浓度的La-PbTiO3(PLT)、Ca-PbTiO3(PCT)纳米晶，平均粒径30nm。通过透射电境、X光衍射和拉曼散射对纳米晶的晶格结构和声子特性进行了研究。结果表明掺镧引起PbTiO3声子软化，相变温度降低，并导致晶格四方性减小，当掺镧浓度达到15％时，发生四方-立方相变；掺钙亦使PbTiO3四方性减小，但未引起声子软化及结构相变。我们认为PbTiO3纳米晶铅位掺杂引入多余电荷使Ti-O杂化减弱，是导致铁电极化减弱和结构相变的主导原因。     

Mn^(2+)掺杂CdS量子点敏化太阳电池的性能北大核心

采用连续式离子层吸附与反应(SILAR)法不仅成功制备出CdS量子点敏化的TiO2纳米晶光阳极,而且实现了Mn2+在CdS量子点晶格内部的可控掺杂。应用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对电极的形貌进行了分析和表征。继而通过组装光伏电池研究Mn2+掺杂浓度与电池性能之间的关系。通过测量其紫外-可见吸收光谱及电流密度-电压(J-V)特性曲线考察电池性能随Mn2+掺杂量的变化规律。在研究中发现,掺杂适量的Mn2+有助于提高CdS/TiO2光阳极对可见光的吸收,进而增强太阳电池的能量转换效率。当Mn2+浓度为0.075 mmol/L时,量子点敏化太阳电池(QDSSC)的能量转换效率可达2.85%,较未掺杂的光阳极试样性能提高约50%。     

激光波长对镁钌铁铌酸锂的全息存储性能影响

在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3) =0.1％和x(MgO)=1％、3％、7％,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg ∶ Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体.通过二波耦合光路,分别以红光(632.8 nm)、绿光(532 nm)和蓝光(476 nm)为光源测量晶体的全息存储性能.实验结果表明,在476 nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同.研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理.     

通讯设备用低阻高耐压过流保护器材料研究

过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。     

Y_2O_3掺杂对BCZT无铅压电陶瓷性能影响

采用传统氧化粉末固相反应法制备出了稀土氧化钇Y_2O_3掺杂(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3[简称BCZT-xY]无铅压电陶瓷。通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)研究了不同Y_2O_3掺杂量(x=0.2%~0.8%,质量分数)对BCZT的相结构、显微组织的影响。结果表明,适量掺杂BCZT陶瓷均可获得单一的钙钛矿结构陶瓷,当x为0.6%时获得样品的衍射强度较大;所制陶瓷的电学性能随着Y_2O_3掺杂量的变化显著变化,在烧结温度为1 480℃时,当Y_2O_3掺杂量x为0.2%时,陶瓷电学性能最优,在1 k Hz频率下室温测得各项参数为:压电常数d_(33)=208 pC/N,介电损耗tanδ=0.0182,相对介电常数ε_r=5 172.97。适量Y_2O_3掺杂能够改善BCZT压电陶瓷的电学性能。     

Er3+离子对Er3+/Tm3+共掺碲酸盐玻璃1.85μm波段光谱特性的影响

采用高温熔融淬火技术制备了1.0 mol% Tm3＋离子和x mol% Er3＋离子(x=0,0.5和1.5 mol%)掺杂 的系列碲酸盐玻璃,通过测量玻璃样品的差热扫描曲线(DSC)、X射线衍射(XRD)图和荧光光 谱,对不同 Er3＋浓度下的玻璃物理性能和Tm3＋离子荧光特性进行了研究。DSC结果显 示,研制的稀土掺杂碲酸盐玻璃 具有优异的热稳定性能,玻璃样品的析晶温度与转变温度之差大于130 ℃,而XRD图则证实了研制的玻璃 样品具有非晶结构特征。在808 nm泵浦激励下,随着Er3＋离 子的引入,Tm3＋离子³F₄→³H₆能级间跃迁产生 的1.85 μm波段荧光显著增强。当Er3＋离子掺杂浓度为1.0 mol%时,荧光强度提高了约76%,荧光强度的 显著增强归因于Er3＋离子和Tm3＋离子之间的能量传递。然而,随着Er 3＋离子掺杂浓度的继续增加,1.85 μm 波段荧光呈现出衰减现象,这归结于Er3＋离子浓度的淬灭效应。研究表明,具有合 适浓度Er3＋/Tm3＋共掺碲 酸盐玻璃是一种应用于1.85 μm波段固体激光器和光纤放大器的理想 基质材料。     

sol-gel法制备纳米晶γ-Al_2O_3∶Eu~(3+)发光粉及发光性能

以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用sol-gel法制备了纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉,对其结构、形貌、晶粒尺寸及光致发光性能进行了研究。结果表明:采用sol-gel法制备工艺,经过800℃煅烧4h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉,其最佳激发波长为395nm,最佳掺杂量为x(Eu3+)=10%,此时最强的发射峰出现在617nm附近,可以用作红色发光材料。     

铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷

采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合。研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响。结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1 220℃已半导化,在1 250℃烧结的x(Nb)为0.18%的BT陶瓷,其ρ25为4.3?.cm,β为1.7。通过控制冷却速率,可以改变陶瓷的升阻比(β)。1 260℃烧结的Nb、Si、Mn掺杂BT陶瓷的ρ25为8.5Ω.cm、β比单纯Nb掺杂提高至4.9。     

氧化沉淀法制备纳米级Mn_3O_4粉体及影响因素

以硝酸锰、氢氧化钠、氨水为原料,采用水解氧化沉淀法制备了nm级Mn3O4粉体材料。通过正交试验优化反应条件得到尺寸分布均匀,团聚程度小,颗粒分散性强的nm级Mn3O4粉体。研究了制备过程中反应温度、pH值、搅拌速度、反应物浓度等因素对产物组成、晶体结构、晶粒尺寸、形貌及颗粒团聚程度的影响。采用激光粒度分析仪(LPSA)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)以及化学滴定实验对反应产物进行了分析表征。实验结果表明,采用水解氧化沉淀法制粉时,可得到纯度较高的Mn3O4,当工艺参数pH值为10、温度40℃、搅拌速度3000r/min,反应物摩尔浓度c(Mn(NO3)2)∶c(NaOH)∶c(NH4OH)=2.4∶4.8∶0.96时,材料二次颗粒团聚程度最弱,分散性最好,一次纳米颗粒尺寸最小。