Li_2CO_3掺杂对PZN-PNN-PZT陶瓷结构及性能的影响

采用固相法制备了0.1Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.1Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.8Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3+x%Li_2CO_3(PZN-PNN-PZT,x为质量分数)低温压电陶瓷,研究了Li_2CO_3掺杂对PZN-PNN-PZT压电陶瓷晶体结构、微观形貌及电学性能的影响。实验结果表明,随着Li_2CO_3含量的增加,PZN-PNN-PZT陶瓷晶体结构从三方相向四方相转变,陶瓷晶粒尺寸先增大后减小。掺杂适量的Li_2CO_3能有效提高PZN-PNN-PZT陶瓷的电学性能。当x=0.3时,PZN-PNN-PZT陶瓷具有最好的综合性能:压电常数d_(33)=530 pC/N,机电耦合系数k_p=0.55,品质因数Q_m=60,居里温度T_C=176℃,相对介电常数ε_r=2 800,剩余极化强度P_r=32.80μC/cm~2,矫顽场E_c=0.96 kV/mm。     

Nb掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷铁电性能的影响

采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2(x=0～0.090,BTN)铁电陶瓷,研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明,适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度Pr,一定程度上降低矫顽场强Ec,并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸(1～2μm)。当x=0.045时,陶瓷的综合性能较好,即有较高的2Pr(0.27×10–4C/cm2)和较小的2Ec(7.43×104V/cm),其剩余极化强度与未掺Nb的Bi4Ti3O12陶瓷相比,提高了近3.8倍。     

SrBi2Ta2O9铁电陶瓷的制备及其Ca掺杂研究

采用聚合物前驱体法制备了单一铋系层状钙钛矿相SrBi2Ta2O9粉体,研究了不同烧成温度对SrBi2Ta2O9陶瓷相结构和介电、铁电性能的影响。结果表明,随着烧成温度的升高,晶粒沿c轴择优取向趋势增强;不同烧成温度下陶瓷介电常数和损耗均随频率升高而降低,1000℃时陶瓷有最大介电常数和较小的损耗,且陶瓷有较大的剩余极化值和较小的矫顽电场,分别为3.884μC/cm2和25.37kV/cm。不同Ca掺杂量掺杂后,SrBi2Ta2O9陶瓷的介电常数、损耗和剩余极化值均显著降低。     

2009年《军医进修学院学报》优秀论文

采用传统固相反应法合成(1-(x))(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-(x)PbZrO3 (BYPT-PZ)压电陶瓷,研究了PbZrO3含量对0.1BiYbO3-0.9PbTiO3(BYPT)压电陶瓷的相结构及电性能的影响规律.结果表明,PbZrO3的添加可有效抑制焦绿石相Yb2Ti2O7的生成,BYPT-PZ陶瓷由钙钛矿相和ZrO2相组成,随PbZrO2含量的增加,介电常数εr、压电常数d33、机电耦合系数kp不断增加,居里温度Tc、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ不断减小.当(x)(PbZrO3)=0.45时材料性能最佳,d33=223 pC/N,Tc=390℃,εr=1 265,kp=0.42,剩余极化强度Pr=20μC/cm2,矫顽场强Ec=2.4 KV/mm.     

铋层状化合物SrBi4-xCexTi4O15陶瓷的铁电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了SrBi4-xCexTi4O15(x=0.2~0.8)铁电陶瓷,X-射线衍射证实随着x掺杂量的增加,晶粒中a、b轴取向的晶粒逐渐增多,与扫描电镜的分析结果一致。介温谱表明样品的居里温度最大为590℃,通过研究铁电性发现,剩余极化和矫顽场先增大后减少,当x=0.6时它们分别达最大值为3.56μC/cm2和9.38 kV/cm,这是氧空位与晶格畸变共同作用的结果。     

Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究

采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷的钙钛矿晶体结构,剩余极化值提高,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在电压为45 V、测试频率为0.1kHz下,Bi3.15Nd0.85Ti3-2xTaxNbxO12铁电陶瓷的剩余极化强度(2Pr)及矫顽场强(2Ec)可分别达到25.07μC/cm2和31.1kV/cm,电容-电压(C-V)曲线呈标准的蝴蝶形。     

复合离子(NaCe)取代SrBi4Ti4O15陶瓷的介电、铁电、压电特性研究

利用普通陶瓷工艺制备了A位复合离子(NaCe)取代的Sr_(1-)_x(NaCe)_x_(/2)Bi_4Ti_4O_(15)(x=0.00～0.20)压电陶瓷,研究了(NaCe)对SrBi_4Ti_4O_(15)(SBT)陶瓷的介电、铁电和压电特性的影响。研究表明,复合离子(NaCe)的取代降低了SBT陶瓷的介电损耗tanδ,降低了SBT陶瓷的矫顽电场E_c,提高了SBT陶瓷的压电系数d_(33)。纯的SBT压电陶瓷的矫顽场E_c=94 kV/cm,复合离子(NaCe)取代的SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷的矫顽场E_c=70 kV/cm。随着复合离子(NaCe)含量的增加,SBT的压电性能先增加,然后减小。在x=0.10组分处,SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷具有最大的压电系数d_(33)=28 pC/N,约为纯的SBT陶瓷压电系数(d_(33)约15 pC/N)的两倍,其居里温度T_C为510℃。复合离子(NaCe)取代SBT陶瓷压电性能的提高归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的矫顽电场,使得SBT压电陶瓷更容易极化,从而发挥其潜在的压电性能。同时,压电性能的提高还归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的介电损耗和漏电流。材料的退火实验表明:复合离子(NaCe)取代的SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷在400℃以下具有较好的压电性能温度稳定性。     

LiNbO3改性KNN基无铅压电陶瓷的制备和性能

采用传统陶瓷工艺和电子陶瓷公司在工业生产中使用的原料,制备了LiNbO3改性的K0.5Na0.5NbO3基无铅压电陶瓷(KNN xLN,x=0~10%(摩尔分数)),并研究了陶瓷的晶相、显微结构和电性能。当x≤4%时,陶瓷为单一的正交钙钛矿结构;当x≥6%时,出现了四方钨青铜结构的K3Li2Nb5O15第二相。介电常数-温度曲线表明,随着LiNbO3含量的增加,陶瓷的正交→四方结构的相变温度TO-T向低温方向移动,而四方→立方结构的居里温度TC向高温方向移动。当x=4%时,陶瓷具有较好的性能:相对密度达98%,压电常数d33=116 pC/N,机电耦合系数kp=40.6%,剩余极化强度Pr=21.0μC/cm2,矫顽场Ec=0.96 kV/mm,TC=452℃。该体系陶瓷具有较高的TC(420~495℃)和较大的kp,是一种应用前景良好的高温压电铁电材料。     

Pechini法制备Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷的研究

采用Pechini法成功制备出钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,简写为BNT)粉体,并利用此粉体烧结出致密的BNT陶瓷。Pechini法所制备的BNT陶瓷具有优良的压电性能,其压电常数d33高达105 pC/N,是目前文献所报道BNT陶瓷压电常数的最高值。室温时只需施加80 kV/cm的测量电压即可获得矩形度极好的饱和电滞回线,其剩余极化强度Pr与矫顽场Ec分别为37μC/cm2和61.2 kV/cm,且在60℃只需施加40 kV/cm的直流电场就可以使陶瓷充分极化。对不同Bi3 含量BNT陶瓷的研究表明,适当的Bi3 含量有利于获得结构致密、晶粒细小的微观结构与较高的铁电、压电性能。     

Sol-Gel法制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,且表面平整致密.对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的电学性能进行了研究.结果表明,室温下,在测试频率1 MHz时,其介电常数为213,介电损耗为0.085;在测试电压为350 kV/cm,其剩余极化值、矫顽场强分别为39.1 μC/cm~2、160.5 kV/cm;表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能.     

3COM SuperStack 3 Firewall

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一种3×3卷积器的设计

给出了一种基于2的补码的卷积运算算法及其硬件实现体系结构。该算法结构使用了一个特殊的移位累加单元代替并行补码乘法,降低了卷积系数为负数时的计算复杂度。     

InCl分子B^3Ⅱ1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对InCl分子B3П1→X1∑+荧光光谱进行了分析和归属,并对 B3П1(v′=0)→X1∑+(v″=0)的时间分辨谱进行了观测．首次得到InCl分子B3П1态(v′= 0)无碰撞辐射寿命т0≈353ns,无辐射弛豫速率常数kQ≈1．985×10-10cm3molec-1s-1及 电子跃迁矩｜Re｜2=0．40D2．     

Improved performance of CH3NH3PbI3 based photodetector with a MoO3 interface layer

Planar CH₃NH₃PbI₃ perovskite based photodetectors are fabricated by a facile and low-cost one-step method. The devices show broad spectral photoresponse from the ultraviolet to whole visible region and the performance can be significantly improved by the introduction of a bipolar transporting MoO₃ interface layer between CH₃NH₃PbI₃ film and Au electrode. The photocurrent of the device with an optimized MoO₃ layer is about twice that of the reference device without MoO₃ layer, which results in a high ON/OFF current ratio of 5.9 × 10³ at 5 V. Besides, slightly increased photoresponse speed is also found in the optimized device with rise time and decay time of 21.6 and 9.9 ms, respectively. The improvement can be attributed to the improved hole and electron collection efficiency and the quickly filled in or emptied trap states at the CH₃NH₃PbI₃/Au interface due to the introduction of the bipolar transporting MoO₃ layer.     

Bi3+, Eu 3+, Tb3+ 掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

采用固相反应法制备了Bi ³⁺ 、Eu³⁺ 、Tb³⁺ 掺杂的Lu₃TaO₇。测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线。三种离子掺杂的Lu₃TaO₇均呈现出强的荧光发射,其中Bi³⁺具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8 μs,Eu ³⁺ 、Tb ³⁺ 则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms。因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料。     

Nonlinear Absorption Applications of CH3NH3PbBr3 Perovskite Crystals

Researchers have recently revealed that hybrid lead halide perovskites exhibit ferroelectricity, which is often associated with other physical characteristics, such as a large nonlinear optical response. In this work, the nonlinear optical properties of single crystal inorganic–organic hybrid perovskite CH₃NH₃PbBr₃ are studied. By exciting the material with a 1044 nm laser, strong two‐photon absorption‐induced photoluminescence in the green spectral region is observed. Using the transmission open‐aperture Z‐scan technique, the values of the two‐photon absorption coefficient are observed to be 8.5 cm GW^?1, which is much higher than that of standard two‐photon absorbing materials that are industrially used in nonlinear optical applications, such as lithium niobate (LiNbO₃), LiTaO₃, KTiOPO₄, and KH₂PO₄. Such a strong two‐photon absorption effect in CH₃NH₃PbBr₃ can be used to modulate the spectral and spatial profiles of laser pulses, as well as to reduce noise, and can be used to strongly control the intensity of incident light. In this study, the superior optical limiting, pulse reshaping, and stabilization properties of CH₃NH₃PbBr₃ are demonstrated, opening new applications for perovskites in nonlinear optics.     

钛酸钙对BZN-CaTiO3系统介电性能的影响

研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1 395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10-4,αC为–13.05×10-6℃–1(25~85℃,1MHz下测量)。     

Er3 /Yb3 共掺TeO2-WO3-Bi2O3玻璃的光谱性质

用高温熔融法制备了Er3+/Yb3+共掺的TeO2-WO3-Bi2O3玻璃,研究了该玻璃的吸收和荧光光谱性质.应用Judd-Ofelt(JO)理论计算了Er3+的谱线强度、自发辐射跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命等光谱参数,并拟合了相应的强度参数Ωt(t＝2,4,6).Er3+在该玻璃中4I13/2→4I15/2发射的荧光半高宽(FWHM)为77nm,应用McCumber理论计算的受激发射截面为1.03×10-20cm2.其带宽特性FWHM×σpeake乘积优于掺Er3+的硅酸盐、磷酸盐和铋酸盐玻璃,说明这是一种制备宽带光纤放大器的优良基质材料.Er3+在400～850nm波长范围存在着5个上转换发射峰,分别对应Er3+的激发态4I7/2、2H11/2、4S3/2、4F9/2和4I9/2到基态4I15/2的发射,分析了其可能存在的上转换过程.     

3G及后3G时代

1 引言 目前,3G标准已制定完备,频谱也可用,牌照已授予,基础设施也准备就绪。当日本和英国等市场的首批运营商推出3G网络时,全世界都在期待着3G之后的新技术。亚洲在决定这一新领域的过程中起着领导作用。这是因为:首先,亚洲运营商获得3G许可证的成本相对较少,因此他们的资产负债表仍处于良好状态。其次,亚洲融合了不同标准,亚洲市场有很多竞争的3G技术,不