奥氏体不锈钢活性屏离子渗碳机理的研究

分别采用活性屏离子渗碳和直流离子渗碳工艺对奥氏体不锈钢进行了渗碳处理．试验结果表明,活性屏离子渗碳可以获得与普通直流离子渗碳同样的处理效果,在奥氏体不锈钢表面获得单一的Sc相组织,从而显著提高奥氏体不锈钢的硬度和耐磨性能,并能克服直流离子渗碳工艺中的不足．收集活性屏上溅射下来的粒子进行分析,结果表明这些纳米级粒子主要是中性的Fe3C和Fe2C5,它们是活性屏渗碳过程中活性碳原子的载体．通过对活性屏离子渗碳机理的探讨,认为和活性屏离子渗氮的机理相似,也是一个溅射一吸附一脱附的过程．     

奥氏体不锈钢活性屏低温离子渗碳工艺研究

利用活性屏离子热处理技术对奥氏体不锈钢进行低温离子渗碳（ASPC）处理,可以在不锈钢表面形成一层无碳化铬析出的碳的过饱和固溶体（Sc相）。ASPC可以在不降低奥氏体不锈钢耐蚀性能的前提下大幅度提高其表面硬度,并解决了不锈钢直流离子渗碳温度均匀性差、工件存在边缘效应等问题,渗碳试样表面基本可以保持不锈钢原色。通过对活性屏上溅射下来的纳米粒子进行显微分析表明,这些粒子是Fe3C、Fe2C5中性粒子,其在ASPC中起到渗碳载体的作用,ASPC是一个溅射-吸附-脱附的过程。     

放电电压对纯氮ASPN处理的影响

采用高电压、低气压的离子渗氮工艺,利用活性屏离子渗氮(ASPN)技术对合金钢在纯氮气氛下进行离子渗氮处理。对渗氮层的硬度、深度和组织结构等进行了分析研究。结果表明,在纯氮气氛下活性屏离子渗氮处理过程中放电电压起关键作用,只有当直流辉光放电电压高于800 V时,才能进行离子渗氮处理。通过分析用铜片采集的等离子放电空间的粒子发现,放电电压高于800 V时,沉积在铜片表面的粒子是能进行渗氮处理的氮化铁;而放电电压低于800 V时,沉积在铜片表面的粒子主要是氧化铁。     

AISI 316L奥氏体不锈钢在阳极电位的活性屏离子渗氮

用活性屏离子渗氮技术对处于阳极电位的AISI 316L奥氏体不锈钢进行低温渗氮处理,并将渗氮层的组织、形貌、相结构、显微硬度和耐蚀性能与在悬浮电位下处理的试样作对比。结果表明,奥氏体不锈钢在两种电位状态下渗氮处理获得了同样的、具有S相结构的单相硬化层。渗层不仅具有高的硬度,还有良好的耐蚀性能。在活性屏离子渗氮过程中,从活性屏上溅射下来的中性S相粒子起着氮载体的作用。活性屏空间粒子的撞击消除了不锈钢表面钝化膜对氮的阻隔作用。     

AISI 304奥氏体不锈钢活性屏离子渗碳

利用活性屏离子热处理技术对AISI 304奥氏体不锈钢进行低温离子渗碳(AS-PC)处理,可以在不锈钢表面形成一层无碳化铬析出的碳的过饱和固溶体(Sc相)。处理后的奥氏体不锈钢可以在不降低耐蚀性能的基础上大幅度提高不锈钢表面的硬度,并解决了不锈钢直流离子渗碳温度均匀性差,工件存在边缘效应等问题,ASPC渗碳试样表面基本可以保持原色。     

活性屏离子氮化过程中氮的输运机理分析

将活性屏离子氮化过程中活性氮原子的输运方式分为无输运介质的扩散输运与有输运介质的吸附输运两种,指出扩散输运是活性氮原子的重要输运方式之一。此外,还重新分析了文献报道的活性屏离子氮化实验结果,阐述了活性屏材质等因素对氮化效果的影响。     

微型计算机在离子氮化炉中的应用

介绍了用微型计算机控制离子氮化炉的一种方法．对原有离子氮化炉抽真空系统、供电系统及相关电路进行改造，包括渗氮温度、直流电压、直流电流、真空度的检测，并根据零件的加工工艺要求，对以上各参数进行控制，使其自动维持在生产工艺范围内，保证了产品的质量稳定．     

奥氏体不锈钢离子氮化与离子软氮化的比较

文章对1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢分别进行离子氮化与离子软氮化处理,工艺条件:处理温度480℃,处理时间8h,工作气压500Pa,工作电压800V,氨气流量1L/min;离子软氮化采用丙酮作为渗碳气氛,丙酬流量为0.01L/min.实验结果表明:离子氮化处理后渗层厚度为48μm,表面显微硬度为1310 HV0.1;离子软氮化处理后渗层厚度为70μm,表面显微硬度为1286HV0.1,且离子软氮化比离子氮化渗层厚度更厚、硬度梯度更缓和.     

辉光离子氮化的研究

本文通过在自制的50安培离子氮化、炉中,对多种材料进行了离子氮化处理。对设备测温提出了新的方法。也对不同材料经过不同的电压、电流、气体流量、真空度、氮化时间等对金相组织的影响作了初步分析,为推广离子氮化新工艺提供了设备工艺参数。     

反相微乳液法制备CdTe@SiO2荧光微球及其荧光性能研究

利用巯基丙酸(MPA)为稳定剂,水相合成高质量的CdTe纳米晶,然后通过反相微乳液方法制备得到了具有明显核壳结构并单分散的CdTe@SiO2荧光复合纳米粒子;利用透射电子显微镜(TEM)、荧光分光光度计以及紫外可见光分光光度计对制备的纳米粒子进行表征;研究了未包裹的CdTe量子点与核壳型CdTe@SiO2纳米复合粒子分别对pH及离子强度的耐受性.研究发现:由于SiO2壳层的存在使得CdTe@SiO2能够在很高的离子强度及很广泛的pH范围下仍具有较强的荧光.由于这些优点,使其在生物标记、细胞成像等生物领域具有广泛应用.     

保温式活性屏离子热处理炉主体结构设计

设计了保温式活性屏离子热处理炉主体结构,主要进行了炉体材料及保温材料的选择、炉体壁厚及保温层厚度的计算、冷却系统和炉体零部件设计。该设备兼有离子热处理炉和活性屏离子渗氮炉的优点,实现了节能、环保、多功能化生产。     

高速钢表面PN＋PVD复合处理工艺和性能研究

采用多弧离子镀设备,在高速钢W18Cr4V上先进行等离子氮化,再沉积TiN薄膜,研究了不同渗氮温度和时间对PN＋TiN薄膜组织和性能的影响。结果表明,温度为500℃左右和时间为2h以上条件下对W18Cr4V进行渗氮处理后再沉积TiN薄膜,可以得到最佳的薄膜表面显微硬度（1800～2000HV0.05）和膜／基结合力（50N）,涂层耐磨性也得到明显提高。     

双相不锈钢表面奥氏体高氮层的制备技术

高温渗氮是在奥氏体/铁素体双相不锈钢表面形成奥氏体高氮层的一种有效方法.为了获得氮含量高、组织均匀且适合于后续加工的表面高氮不锈钢层，必须确定合理的高温渗氮工艺.通过优化高温渗氮工艺参数，研究了双相不锈钢高温渗氮过程中加热温度、保温时间、氮气压力等对渗氮效果的影响.结果表明，通过高温高压渗氮可使不锈钢表面形成高氮氮化层，可使双相不锈钢通过渗氮发生表面奥氏体转变，获得组织梯度变化的多相复合不锈钢材料.     

直流接地极地表电位的切比雪夫多项式求解法

运行经验表明,直流接地极造成电网大范围直流偏磁危害,其根源在地表电位不均匀分布.针对广域深度分层的复杂大地模型关于地表电位分布求解方面的难题,利用切比雪夫多项式拟合地表电位的汉克尔变换核函数.通过切比雪夫多项式的移位运算、系数展开和截断误差判定,得到了核函数的切比雪夫多项式自适应阶数拟合方法,从而大幅降低了直流接地极造成广大区域地表电位分布的计算难度.与标准接地计算软件CDEGS的水平8层结构大地算例对比结果表明,直流接地极入地电流5 kA时,本方法在1～100 km地表范围内的地表电位偏差小于1 V.进一步分析了切比雪夫多项式阶数对地表电位的计算结果的影响,证实了20阶切比雪夫多项式的精度就可以满足一般的直流偏磁风险评估的应用需求.基于移位切比雪夫多项式的地表电位快速评估方法为直流偏磁风险评估提供了一种基础的技术手段,有助于降低电网直流偏磁风险评估的难度.