LED相关专利简介

1纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法公开(公告)号:CN102610715A摘要:一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模     

GaN外延薄膜的研究进展

首先回顾GaN外延薄膜生长工艺。然后综述了高质量GaN外延薄膜生长技术的最新重要进展，主要的新技术有：横向外延生长技术；柔性衬底技术；多缓冲层技术；短周期超晶格（SPS）技术；沟道接触结技术以及四组分AlInGaN合金技术，最后对GaN外延薄膜生长技术的发展方向及应用前景提出了展望。     

超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长

介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n~+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p~-n~+结构材料生长,利用Candela CS920表征了100μm厚p型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷,典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷,3种结构缺陷分别是基晶面位错(BPD)、三角形肖克利型层错(SSF)和条形层错(BSF)。微波光电导衰退法(μ-PCD)测试表明,100μm厚p型4H-SiC外延层载流子寿命为2.29μs,采用二次离子质谱(SIMS)测试方法分析了不同铝(Al)掺杂浓度的深度分布,最高Al掺杂浓度为2×10~(19)cm~(-3)。     

HIT电池缓冲层的关键技术发展概述

HIT电池由日本Sanyo公司于1990年提出,目前已达到23.7％的最高效率.HIT电池制备的关键技术在于其本征缓冲层的工艺.大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长.对于外延生长影响的认识存在着很大争议,有学者认为其中含有大量缺陷态,会降低电池性能,并提出了完全阻止外延生长的新结构,但也有学者认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用.分析认为,不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺陷态密度的控制有关,外延结构不是影响电池性能的关键,外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素.     

4H-SiC氯基体系外延研究

化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)外延碳化硅是其面向高频率及大功率器件应用的关键技术,而传统的无氯体系4H-SiC外延生长速率只能达到5~10μm/h。采用氯基生长工艺,在自主研发的热壁CVD系统中在20μm/h生长速率的条件下外延表面没有硅滴缺陷;研究C/Si比与生长温度对氯基体系外延表面粗糙度的影响,在优化条件下可实现表面粗糙度R_a=0.175 nm;探讨C/Si比对外延层背地掺杂浓度的影响。在所做研究基础上,可期待通过进一步工作以同时实现低的背底掺杂及低的表面粗糙度。     

一种反向多结GaAs太阳电池背反射器的研究

介绍了一种具有全方位反射器的GaAs太阳电池的制作方法;分析了GaAs太阳电池全方位反射器制备工艺,在GaAs外延上生长全方位反射器ODR,即生长一层介质层,再在介质层上用黄光工艺进行开孔;并在介质层上使用蒸镀工艺蒸镀金属层。通过蒸镀、键合、衬底腐蚀、栅线、背电极制作等工艺完成电池制作。介绍了ODR结构的设计及工艺,并对比了实验结果。     

超薄锗片背面磨削技术的研究

在推广表面磨削技术大量实践的基础上,对表面磨削工艺和双面研磨工艺进行了对比,通过实验的方法,对切割后的锗片表面用四种不同粒度的砂轮进行磨削,对磨削后晶片的厚度、TTV、Ra、损伤层进行了测试,结果表明,晶片的Ra、损伤层随着砂轮粒度的降低而降低,使用1500#砂轮获得了较理想的表面粗糙度(0.10～0.15μm)。     

高压电缆阻水缓冲层烧蚀缺陷的射线检测工艺参数研究

通过理论分析和试验研究了高压电缆阻水缓冲层烧蚀缺陷的射线检测工艺参数,给出了射线参数及两次射线检测夹角,为高压电缆阻水缓冲层烧蚀缺陷的射线检测工艺参数规范化和标准制定提供了参考.     

外延生长单晶FeRh/MgO/PMN-PT异质结与电场调控磁性能

引入MgO薄膜作为缓冲层,采用磁控溅射镀膜方法在(001)取向[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7—x[PbTiO3]0.3(PMN-PT)单晶铁电衬底上外延生长单晶FeRh二元合金薄膜,从而获得单晶FeRh/MgO/PMN-PT多层膜异质结.利用XRD进行物相分析和结构表征,表明MgO缓冲层的插入促使单晶FeR...     

科研人员提出抑制超宽禁带半导体材料AlN位错的新方法

正超宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制备大功率电子器件、表面声波滤波器、激光器、紫外探测器、紫外发光器件,在航天航空、5G通信、功率开关、杀菌消毒、新能源等领域发挥重要作用。现阶段,在大尺寸、低成本、工艺成熟的蓝宝石衬底上利用MOCVD方法进行异质外延生长是制备AlN材料的主流技术路线。然而,AlN外延层和蓝宝石衬底之间存在严重的晶格失配和热失配,     

4H型碳化硅高温氧化工艺研究

在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方法对LMOS的场效应迁移率和MOS的击穿电压分布情况进行分析。结果表明,经过表面抛光可大大改善表面形貌,在一定程度上抑制界面态的产生,并且改善沟道导电的一致性。     

高压交联电缆缓冲层烧蚀缺陷检测方法研究北大核心CSCD

近年来,国内频繁出现高压输电电缆缓冲层烧蚀缺陷或故障,缓冲层烧蚀缺陷已成为影响输电电缆本体安全运行的重大问题,但目前电力部门对此类缺陷尚无较好的检测方法。文中在分析输电电缆缓冲层作用、类型及参数要求的基础上,对半导电阻水缓冲带和铜丝纤维编织布两种缓冲层结构进行了烧蚀缺陷的特征分析,并以两条故障电缆线路为研究对象,采用高次谐波法、宽频阻抗法、X射线检测法进行了检测方法的探索性试验研究。经研究分析,发现半导电阻水缓冲带和铜丝纤维编织布缓冲层结构的烧蚀缺陷虽表征现象相似,但引起烧蚀的原因不同。高次谐波法的现场实际检测结论没有针对性,难以指导生产应用;宽频阻抗法测试的阻抗波动重复性不佳,对局部缺陷点的定位效果不好;X射线成像技术对电缆缓冲层烧蚀缺陷具有一定的检测效果,但铜丝纤维编织布及铝护套等金属物质对烧蚀缺陷的灰度对比影响较大。     

高压XLPE电缆缓冲层缺陷研究现状综述

高压交联聚乙烯电缆因缓冲层缺陷引发的故障频发,已严重威胁到电力系统的安全运行。本文首先介绍了缓冲层的基本结构和作用,并在此基础上梳理了目前国内外对于缓冲层失效的相关研究;其次从缓冲层的材料特征和内部结构等角度结合电场仿真来分析缺陷发生的主要原因;之后对缓冲层缺陷中出现的白色粉末绝缘性能和理化特征进行总结,并提出其形成机理;最后对缓冲层缺陷的检测手段进行汇总,提出使用计算机断层成像技术对电缆缓冲层缺陷进行检测以弥补现有检测手段的不足,并建议对铝护套及缓冲层的材料或结构进行优化,以预防缓冲层缺陷的生成。     

热壁外延生长 ZnSe 薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量．俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明,经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖,从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度．用喇曼光谱（Ｒａｍａｎ）的空间相干模型,对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇曼谱线形变化进行分析,定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣．分析认为,经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量．理论分析与实验分析相一致．     

高压电缆缓冲层烧蚀缺陷的超声检测实验

高压电缆缓冲层烧蚀故障是近年来频发的电缆故障类型，然而目前的烧蚀缺陷检测手段难以满足存量电缆的检测需求。本文首次研究了基于铝护套内表面粗糙度的高压电缆缓冲层烧蚀缺陷的超声检测方法。首先，开展了潮湿条件下的缓冲层烧蚀模拟实验，并对烧蚀后的铝片开展了激光共聚焦显微镜测试以及电化学阻抗谱分析，发现随着烧蚀时间的增加，铝片的表面粗糙度逐渐增大，同时铝片表面的腐蚀程度逐渐加深，对应的缓冲层烧蚀缺陷逐渐加重，表明铝片的表面粗糙度与潮湿条件下缓冲层的烧蚀程度存在关联。其次，对烧蚀后的铝片开展了超声检测实验，并通过相邻超声回波信号的幅值比推算出了铝片腐蚀面的粗糙度，与实验测得的粗糙度具有相同的变化趋势。本文结果表明超声检测可用于检测缓冲层烧蚀缺陷的严重程度，为高压电缆缓冲层烧蚀缺陷超声检测方法的应用奠定了研究基础。     

铝护套结构对XLPE电缆绝缘屏蔽层悬浮电位影响

为研究电缆铝护套结构对绝缘屏蔽层悬浮电位以及缓冲层间电场强度的影响,优化电缆铝护套结构进而降低缓冲层烧蚀缺陷的严重程度,本文建立缓冲层分压模型以及Comsol仿真模型,分析在缓冲层白斑缺陷出现后,计算不同电缆铝护套结构下的绝缘屏蔽层悬浮电位以及缓冲层电场强度。仿真和理论分析结果表明铝护套最小内径φmin和铝护套波谷处曲率K与绝缘屏蔽层悬浮电位以及缓冲层间电场强度有如下关系：φmin和K越小,绝缘屏蔽层悬浮电位越小,缓冲层间电场强度降低,其中φmin的影响更明显;以本文缺陷电缆为例,仿真定量分析得出φmin和K优化后绝缘屏蔽层悬浮电位分别下降了30%、13.7%;缓冲层间电场强度分别下降了30.3%、13%。     

氮化镓体单晶生长的进展

主要讨论了3种氮化镓(GaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法。首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离和掺杂等。比较了3种方法的生长机制。其次,通过纳米压痕仪和高空间分辨表面光电压谱两种方法研究了体单晶中位错的力学行为。最后,介绍了GaN体单晶衬底在器件方面的应用。     

华灿光电成功研制新型蓝绿光LED芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外延片，实现了GaN外延片的批量生产。一般在蓝宝石上制造的蓝绿光LED芯片，由于其单向导电，所以抗静电性能差。公司在提高器件ESD水平上投入了大量的人物力研发，     

高压电缆缓冲层的设计与工艺研究

高压与超高压交联电缆金属护套与电缆缆芯之间的缓冲层是电缆的重要组成部分,对电缆的机械、热性能具有重要的影响。为研究缓冲层对电缆性能的影响,分析了不同的阻水带的热阻特性与工艺特点,对国产两种同型号不同厂家的电缆进行了对比温升试验,最后讨论和分析了现在国内外高压交联电缆缓冲层的结构与工艺特点。研究表明,具有不同结构与材料的缓冲层,对电缆本体的热阻有显著影响,也对电缆载流量有着很大的影响。在此基础上,对国产电缆的缓冲层设计与工艺提出了一些建议。     

CIGS薄膜太阳电池研究进展

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池以其具有的诸多优势成为最具发展潜力的太阳电池之一。随着CIGS薄膜太阳电池光电转换效率世界纪录的不断被刷新,继续提高电池性能、研究无Cd缓冲层材料,发展柔性衬底CIGS薄膜电池及组件,优化现有的工艺流程,开发低成本的吸收层沉积工艺,尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为今后的研究热点。主要介绍了CIGS薄膜太阳电池近年来在这些方面的研究进展。