首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
制作塑料软包装材料中的铝箔,分压延铝箔(金属纯铝箔)和真空镀铝薄膜。用99.00%~99.97%的电解铝.经过多次压延制成的铝膜是压延铝箔(金属纯铝箔)。在真空的状态下用蒸镀的方法将99.99%以上的高纯铝蒸镀附在BOPET(聚醢)、BOPP(双向拉伸聚丙烯)、CPP(流延聚丙烯)、PVC(聚氯乙烯)或CPE(流延聚乙烯)等塑料薄膜上——这种镀铝的塑料薄膜称为真空蒸镀铝薄膜。  相似文献   

2.
苯胺等离子体聚合膜的光学常数   总被引:1,自引:1,他引:0  
应用传递矩阵方法,从光强反射率和透射率得到苯胺等离子体聚合膜的复数折射率和复数介电函数。在0.5μm~2.5μm波长范围内,膜的折射率nf不随波长明显变化,其最佳值为1.65±0.05。由复数介电函数的虚部得到膜的光学能隙为1.8ev,与从吸收谱得到的结果(E0=1.76ev)基本一致。  相似文献   

3.
金刚石厚膜的制备及应用研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用电子增强热灯丝CVD(化学汽相沉积)方法制备出膜厚为0.1-2mm的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的耐磨性和热导特性,用它制作了金刚石膜焊接刀具和半导体激光器用金刚石膜热沉。  相似文献   

4.
《中国包装》1998,18(2):45-45
变换产品包装在方便面大战中取胜(单位:元)序号项目方便面各种包装(单个面饼70-90g)新型纸制包装塑袋包装塑碗包装纸碗包装1原材料淋膜白卡纸聚乙烯聚苯乙烯淋膜白卡纸2原材料(含印刷)费用0.3-0.40.06-0.100.2-0.30.8-0.93...  相似文献   

5.
由准稀溶液速冷凝胶(冻胶)化结晶方法制备出超高分子量聚乙烯(UHMWPE)膜。对不同成膜浓度条件,以及再经不同温度(室温~130℃)热处理后所获得的膜,用小角X射线衍射方法及广角X射线衍射仪对称反射几何布置,观测了它们的片晶层积状结构及其形态的变化。结果表明,这种C轴垂直于膜面的片晶层积状形态结构与初始成膜浓度有关。发现在可达最大拉伸比的成膜浓度范围(0.4~0.5g/100ml)内,膜中片晶排列  相似文献   

6.
高性能薄壁化和多层复合是当前塑料包装薄膜的发展趋势。双向拉伸多层共挤复合薄膜不仅可以满足包装行业对薄膜多功能性的要求,还具有"减薄"功能,可大幅度减少同类塑料薄膜的用量,降低生产成本。文中分别介绍拉伸取向和多层共挤关键技术、商业化薄膜生产设备和几种主要的薄膜产品,如双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜、双向拉伸聚酯(BOPET)薄膜、双向拉伸聚酰胺(BOPA)薄膜、双向拉伸聚乳酸(BOPLA)薄膜和双向拉伸聚乙烯(BOPE)薄膜,着重讨论了BOPE薄膜研究现状及未来展望。  相似文献   

7.
辛煜  宁兆元 《功能材料》1996,27(4):377-380
本文用多弧离子镀方法制备了Ti1-xAlxN(x<0.3)薄膜,并且运用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等技术对Ti1-xAlxN进行测试和分析。结果表明:膜层中除含Al、Ti、N元素外,还出现了一定量的氧;薄膜呈现了(111)、(222)等晶面的择优取向;薄膜与基底间的附着力较好。  相似文献   

8.
用磁控射频溅射方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb(Z0.52Ti0.48)O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明,所制备的薄膜表面致密,光滑。此Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜以钙钛矿结构为主,并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得。通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的铁电特性得  相似文献   

9.
RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜,测量其X射线光电子能谱(XPS),获得两组C(1s)电子和N(ls)电子结合能,它们是E(C^1)=398.0 ̄398.7eV,E(C^2)=284.6 ̄284.8eV;E(N^1)=398。0 ̄398.7eV,E(N^2)=400.0 ̄400.9eV。证实了薄膜中碳原子存在sp^3杂化轨道成键和sp^2杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄  相似文献   

10.
用原位电阻法监测了无限层薄膜(Sr0.7Ca0.3)0.9K0.1CuO2沉积时电阻随时间的变化过程,以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程。通过监测了解到氧含量在无支薄膜中起着重要作用。沉积完毕对真空室充入0.1MPA O2时薄膜吸氧。对薄膜热处理时,薄膜吸氧或放氧发生在330℃以上。  相似文献   

11.
结晶态WO3膜电致变色性能及机理   总被引:4,自引:0,他引:4  
磁控溅射沉积获得的非晶态WO3膜在空气中分别加热200℃,250℃,300℃,350℃及400℃,并保温30min进行热处理。随着热处理温度的提高,非晶态WO3膜的电致变色性能下降。当然热处理温度高于350℃时,非晶态转变成结晶态。着色的结晶态WO3膜在可见光谱范围(0.38 ̄0.78μm)及太阳光谱范围(0.34 ̄2.5μm)内吸收调制能力低于非晶态WO3膜,但是结晶态WO3膜在近红外区有较强的  相似文献   

12.
C2H2/N2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制轩的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。结果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5-2.0μm。  相似文献   

13.
国外氯磺化聚乙烯弹性体近况1952年杜邦公司首先推出氯磺化聚乙烯弹性体(CSM),它是以晶体聚乙烯为基础,引入氯[24%~43%(重量)]进行改性,并加入少量的磺酰基[0.9%~1.5%(重量)]制成的。弹性体为非晶形,其结构为:或中,x大约为12,...  相似文献   

14.
本文简要介绍双向拉伸尼龙(BOPA)薄膜的生产工艺与应用。  相似文献   

15.
CoNiP高密度磁记录介质性能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
杨贤金  王玉芬 《功能材料》1996,27(2):158-160
用化学镀法制取了CoNiP磁性合金薄膜,测定了膜厚和成分对磁性能的影响,结果表明:随膜厚的增加,平行于膜面的矫顽力Hc(//)和垂直于膜面的矫顽力Hc(┴)下降,当膜厚大于0.2μm时,趋于平缓,CoNiP合金中钴的含量从10.53%到74.37%变化时,其Hc(//)和Hc(┴)分别由0.3和5.1增加到93.4和108.9KA/m。  相似文献   

16.
用快速胶凝法制备无机氧化铝膜   总被引:4,自引:0,他引:4  
用溶胶快速胶凝法制备了无龟裂的氧化铝膜. 勃姆石凝胶膜的厚度与喷雾距离、时间和溶胶的浓度之间的关系为δ∝ct/ d2 . 适宜的溶胶( Al O O H) 浓度为0 .5 ~1 .4mol/ L,粘度应小于25 ×10 - 3 Pa·s.用此法可制备厚度为0 .05μm 的超薄负载氧化铝膜和厚度为0 .2m m 的无龟裂的无负载氧化铝膜. 利用 X 射线衍射、透射电镜研究了不同温度时的物相和膜的截面、表面的形貌. γ Al2 O3 膜的晶粒大小均匀, 以长形晶粒为主, 形成了较均匀的孔结构, 微孔孔径约为3nm  相似文献   

17.
定点激光反射热循环测量铜膜应力及屈服强度   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法,测定了硅片(100)上四种厚度(0.24μm,0.53μm,1.28μm,3.42μm)磁控溅射纯铜膜应力随温度(20~300℃的变化,发现屈服强度与膜厚倒数成线性关系。  相似文献   

18.
铝合金上铈氧化膜形成的电化学研究   总被引:20,自引:3,他引:17  
研究了LC4铝合金在静置的、充氧或充氮的CeCl3(0.1%)/NaCl(0.1mol/L)溶液中长时间浸泡形成的铈氧化物膜。在0.1mol/LNaCl中测得的极化数据表明,自上述三种浸泡体系所形成的铈氧化物膜在对铝合金的抗腐蚀特性上没有差别,这种膜是合金表面先前存在的自然铝氧化膜直接转化而成的,浸泡溶液中的溶液中的溶解氧对成膜速度并无贡献。提出了膜的形成机理。  相似文献   

19.
本文采用搅拌法测量氯化聚乙烯(CPE)及氯化聚乙烯(CPE)接枝(-g-)氯乙烯(VC)悬浮液的粘度,与含固率建立关系,用Mooney和Robinson方程式进行关联。由悬浮液表观粘度ηa与含固率ψv的关系曲线得出临界含固率ψc,结果发现ψc与悬浮液沉降层体积Vp呈线性关系:CPE:ψc=-0.455Vp+1.456;CPE-g-VC:ψc=-0.186Vp+0.752  相似文献   

20.
张昭宇  王肖钧 《工程力学》2000,1(A01):953-957
使用单级轻气炮对含孔隙的Fe粉颗粒增强环氧树脂复合材料(FREC)的激波状态方程进行了测定。撞击速度由100-800m/s,相应的撞击压力是0.15-1.02GPa。由实验结果拟合得到此种材料的低压Hugoniot线性关系和低压状态方程。在0.15-1.02GPa范围内此种材料冲击绝热线呈水平直线。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号