简讯

●TI在300毫米晶圆上成功实现了0.13微米铜工艺德州仪器公司(TI)日前宣布,DMOS 6生产设施正在制造采用0.13微米铜工艺的300毫米晶圆。与200毫米晶圆相比,300毫米晶圆和0.13微米工艺可将单个晶圆的印刷模提高2.4倍并将成本降低30～40％左右,产品的外形也更小、     

RF系统

SSEC3308是一种单晶圆湿法处理设备，小型机的产能为每小时180片晶圆。它有八个工艺模块，可以任意配置成各种特定的应用，比如两面清洗，湿刻，以及去胶工艺。晶圆可以通过晶圆盒（cassette），或者以300毫米FOUP、200毫米SMIF pods的形式进行处理。所有的工艺参数都是PC控制的。     

公司要闻

华晶计划投建新工厂 华晶半导体(CSMC)日前宣布在2007年前新建三个工厂,计划目标是实现月产20万片150毫米晶圆。 华晶目前月产量近1.3万片150毫米晶圆。该公司计划撤除现有的125毫米生产线,引进150毫米生产线,在2002年底使该工厂的处理能力提高到每月2万片。该公司计划从2003年开始运行第1生产线,从2004年开始运行第2生产线。3号和4号工厂的构成与2号工厂相同,华晶计划在2007年之前完成所有上述生产线。 新建产生线均为150毫米晶圆生产线,大部分将采用0.35微米工艺。 http://www.semico.com.cn     

SEMI：2008年底全球300毫米晶圆产能将翻倍

尽管内存供应商正在经历衰退，但SEMI日前表示，芯片制造商投资建设300毫米晶圆厂的热情不减。从2007年初到2008年末，预计全球总共有25座新的高产能300毫米晶圆厂上线，300毫米晶圆产能将加倍。到2008年底之前，全球大约有73处300毫米晶圆厂投入生产，每月出货量超过620万片晶圆。     

解读英特尔大连建厂：欲先取之必先予之

3月26日，英特尔宣布将投资25亿美元在中国大连建立一个晶圆厂。新工厂将采用世界最先进的300毫米晶圆生产技术。此次英特尔晶圆厂落户大连，不但是英特尔在中国市场的最大一笔投资，也是英特尔在东亚的第一个晶圆工厂。     

IR公司在西安的封装测试厂启动运营

英特尔表示，将投资3．45亿美元扩充其在美国英特尔在科罗拉多州和马萨诸塞州的两家200毫米晶圆厂，以提高200毫米晶圆产能。     

采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法

针对传统的晶圆预对准控制系统成本高和体积大的不足，设计了基于晶圆传送机器人的晶圆预对准装置，并提出了高效、高精度的晶圆圆心和缺口定位算法。采用交换吸附的方式通过预对准装置一维旋转和晶圆传送机器人空间平移实现晶圆预对准。误差分析及预对准实验研究结果表明，晶圆圆心的定位精度＜50 ，预对准时间为10 s，满足设计要求。     

台积电75亿美元建下一代晶圆厂

据《现代电子技术》2005年第11期报导,中国台湾领先的半导体代工制造商台积电计划投入巨资在台中建立下一代300毫米晶圆工厂。根据设计,新工厂每月的最终生产能力将超过10万片晶圆。新工厂的投资成本是空前的,将达到75亿美元。这一投资数字是台积电现有工厂的三倍。这个新建立的制造芯片的工厂将采用最先进的65纳米和45纳米制造工艺生产直径300毫米的晶圆。台积电75亿美元建下一代晶圆厂@江兴     

奇梦达拟削减200毫米晶圆产量

奇梦达（Qimonda）将削减其200毫米晶圆产量，并专注于300毫米产品。此举将影响奇梦达在美国里士满市和德国德累斯顿的工厂，以及母公司英飞凌（Infineon）。     

台积电：2018年开始使用450毫米晶圆技术

台积电日前宣布,在几经推迟后,该公司计划于2018年使用450毫米晶圆来制造处理器。 台积电发言人迈克尔·克拉默（Michael Kramer）表示,该公司将于2016年或2017年开始试产450毫米晶圆,真正的量产要到2018年。     

半导体业界将推出450mm晶圆标准

国际半导体设备和材料协会（SEMI）于11月10召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。芯片制造协会Sematech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925±25微米,也就是略大于0．9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。下个月,半导体业界将争取指定450mm晶圆的“测试晶圆厚度”标准。     

英飞凌计划关闭慕尼黑150毫米晶圆厂，出售给X-Fab

德国英飞凌（Infineon Technologies AG）正在与X-Fab Semiconductor Foundries AG商谈出售其150毫米晶圆厂的计划。德国X-Fab公司是一家晶圆代工厂商，英飞凌正在寻求出售其位于慕尼黑的晶圆厂。     

一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器，工作频段DC～15 GHz，衰减范围0～35 dB，步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现，信号传输采用共面波导（CPW）结构，6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换，每个开关带有三个触点，电阻网络采用T型结构，整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示，DC～15 GHz频段内实现了8个衰减态，衰减器插入损耗小于1.7 dB，回波损耗小于-15 dB，衰减平坦度小于±5%，功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。     

三维（3D）互连校准型晶圆片压焊技术

本文对有发展前途的三维（3D）技术平台进行简要回顾，说明采用校准型晶圆片压焊技术的晶圆片级三维（3D）集成。重点强调了胶粘剂晶圆片压焊技术，分别叙述了3D集成、校准型晶圆片压焊、多芯片互连、晶圆片校准和晶圆片级3D ICs的关键性问题，并对所获得的结果进行综述。     

通信集成电路研讨会在杭州召开

德国芯片厂商英飞凌(Infineon)日前表示，计划投资约10亿美元在马来西亚兴建一座芯片厂，为汽车与工业电力应用生产功率和逻辑芯片。新厂将于明年初在Kulim高科技园区破土动工，2006年投产。该工厂满负荷运转时将需雇用大约1，700人。英飞凌没有说新厂将生产200毫米，还是300毫米晶圆。     

Xilinx投资大陆晶圆厂和舰科技

赛灵思公司(Xilinx)近日宣布对中国晶圆代工厂和舰科技公司(苏州)的投资计划,表明赛灵思公司正在开发和实施高性价比的芯片制造工艺技术.和舰科技是目前在中国积极扩展产能来满足全球半导体行业需求的四大晶圆代工厂之一,目前月产量约2万块200毫米的晶圆,其目标是到2006时产量达到每月6万晶圆.     

半导体业界将推出450mm晶圆标准

国际半导体设备和材料协会（SEMI）将于近日召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。 在经过几轮争议之后,芯片制造协会Semotech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925±25微米,也就是略大于0.9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。     

300mm离子注入机靶室晶圆传输控制系统设计

在实现了高效晶圆传输全自动控制的基础上,阐述了靶室晶圆传送系统运动部件的结构和各自的功能;介绍了整个晶圆传输控制系统的设计思路,在采用高性能多轴运动控制卡和机械手模块的硬件基础上,引用了有限状态机对系统软件进行了智能化模型设计。     

GLOBALFOUNDRES:半导体生产制造的领头羊——访GLOBALFOUNDRIES公司200毫米晶圆业务高级副总裁兼新加坡业务总经理RajKumar先生

在前不久举办的"SEMICON China2011"期间,我们有机会采访了GLOBALFOUNDRIES公司200毫米晶圆业务高级副总裁兼新加坡业务总经理RajKumar先生,他和我们分析了关于新的半导体生产制造模式、200mm晶圆领域的最新技术产品,创新优势,以及未来的市场挑战等问题.     

基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究

首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。