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本文利用XRD,RBS,AES,SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiWyNx薄膜的组份,结构和扩散势垒特性,实验结构表明,膜的组份,结构和特性受溅射时N2流量影响和溅射功率的影响,这种TiWyNx膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了A1-TiWyNx/CoSi2/Si浅结接触的热稳定性。 相似文献
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低真空射频反应溅射Al2O3薄膜 总被引:5,自引:0,他引:5
用射频反应溅射法在硅片上制备Al2O3薄膜,在10Pa的低真空中和以适当比例混合的氩气和氧气中反应溅射以使薄膜充气氧化并保持一定的沉积速率,从而得到了理想配比和折射率为1.60 ̄1.65的Al2O3非晶薄膜。 相似文献
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为了研究氧气对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响,用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锌掺铝(ZAO)薄膜,靶材为锌铝合金靶,并研究了薄膜的透光率跟氧氩流量比的关系以及同一氧氩流量比下薄膜光学性能随温度变化的规律.实验结果表明,200℃下氧氩流量比为135时有最佳的透光率.250℃下氧氩流量比为130时有最佳的透光率;300℃下氧氩流量比为115时有最佳的透光率.同一氧氩流量比125时,200℃下制备的ZAO薄膜有最佳的透光性.温度更高或者更低都导致薄膜的透光性能变差. 相似文献
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从微观粒子的相互作用和输运出发,探讨靶溅射过程中的基元化学物理步骤,计算了溅射速率和离子能量分布,为深入研究溅射薄膜的生长速率和靶中毒奠定基础。 相似文献
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用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜.沉积过程在氧气、氮气和氩气的气氛中进行,衬底为多光谱ZnS,沉积温度为室温.用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪、紫外-可见分光光度计等分别研究了不同氧分压下HfOxNy薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能等.XRD分析表明随着氧分压的降低,薄膜的晶体结构由氧化铪转变为氮氧化铪相;SEM和AFM分析表明不同氧分压下沉积的薄膜都为柱状结构,氧分压较低时薄膜表面粗糙度较大;镀膜之后,在0.35~2μm范围内,薄膜的透过率变化有显著差异,在2~12μm波段,薄膜透过率和未镀膜衬底透过率相当,变化不明显. 相似文献
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在适当氧压下二极管式反应溅射镍靶制备NiOx薄膜,该薄膜无需长时间活化而直接在液体电解质KOH—H2O与LiCIO4-PC中均有稳定的电色性和牢固性,XPS分祈表明,O10具有两种结合能状态对应于Ni^2 和Ni^3 . 相似文献
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反应溅射制备TiN薄膜的靶中毒模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从靶动力学和粒子输运导出了靶中毒的判据.建立的靶中毒模型能体现工艺参数对靶中毒的影响,从而对解决薄膜高速生长与组份匹配的矛盾,为设计新型无中毒反应室提供了理论依据。 相似文献
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